技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底中形成第一掺杂类型的漂移区；在所述半导体衬底的第一表面上形成栅极介质层；在所述栅极介质层上形成图案化的栅电极；在所述半导体衬底中的漂移区内形成第二掺杂类型的发射极区；至少部分去除所述发射极区之上的所述栅极介质层；在所述半导体衬底的第一表面上形成氧化层，所述氧化层至少覆盖所述栅电极的顶部和侧壁以及剩余的所述栅极介质层的顶部和侧壁；在所述发射极区中形成第一掺杂类型的源漏区；在所述半导体衬底的第二表面内形成第二掺杂类型的集电极区。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧化层的厚度在120-180埃之间。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述氧化层的温度在800-900摄氏度之间。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧化层为热氧化层。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底中的漂移区内形成第二掺杂类型的发射极区包括：在所述半导体衬底中的漂移区内形成具有第一宽度和第一深度的第二掺杂类型的第一阱区，所述第一阱区具有第一掺杂浓度；在所述半导体衬底中的漂移区内形成具有第二宽度和第二深度的第二掺杂类型的第二阱区，所述第二阱区具有第二掺杂浓度，所述第一阱区和所述第二阱区共同构成所述发射极区，其中所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一深度小于所述第二深度，所述第一掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度，其中所述第一阱区与所述第二阱区的位置部分重合。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括在所述发射极区中形成第一掺杂类型的源漏区之后、在所述半导体衬底的第二表面内形成第二掺杂类型的集电极区之前，在所述半导体衬底的第一表面上形成层间介质层，以及在所述层间介质层中形成与所述源漏区和所述发射极区连接的接触的步骤。7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括在所述半导体衬底的第二表面内形成第二掺杂类型的集电极区之前，从所述第二表面减薄所述半导体衬底的步骤。8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括在所述半导体衬底的第二表面内形成第二掺杂类型的集电极区之后，在所述半导体衬底的第二表面上形成与所述集电极区连接的背部电极的步骤。9.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底中形成有第一掺杂类型的漂移区；在所述半导体衬底的第一表面上形成有栅极介质层；在所述栅极介质层上形成有图案化的栅电极；在所述半导体衬底中的漂移区内形成有第二掺杂类型的发射极区；在所述半导体衬底的第一表面上形成的氧化层，所述氧化层至少覆盖所述栅电极的顶
部和侧壁以及所述栅极介质层的顶部和侧壁；在所述发射极区中形成的第一掺杂类型的源漏区；在所述半导体衬底的第二表面内形成的第二掺杂类型的集电极区。10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化层为热氧化层，厚度在120-180埃之间。
技术总结
提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；在半导体衬底中形成漂移区；在半导体衬底的第一表面上形成栅极介质层；在栅极介质层上形成栅电极；在漂移区内形成发射极区；至少部分去除发射极区之上的栅极介质层；在半导体衬底的第一表面上形成氧化层，氧化层至少覆盖栅电极的顶部和侧壁以及剩余的栅极介质层的顶部和侧壁；在发射极区中形成源漏区；在半导体衬底的第二表面内形成集电极区。本发明在离子注入形成源漏区之前形成至少覆盖栅电极的顶部和侧壁以及剩余的栅极介质层的顶部和侧壁的氧化层，可以修复栅极侧壁的氧化层形貌，提高其耐压能力，减少栅电极和发射极区之间的漏电问题。发射极区之间的漏电问题。发射极区之间的漏电问题。
技术研发人员：马荣利 卢江洁 邓紫红 陈湛 宋军
受保护的技术使用者：比亚迪半导体股份有限公司
技术研发日：2020.12.23
技术公布日：2022/6/24