技术特征：
1.一种用于光刻的抗反射膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：形成抗反射膜层结构；对所述抗反射膜层结构的表面进行等离子体处理，得到抗反射膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述抗反射膜层结构包含两层膜层，不同膜层使用不同气体形成。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述抗反射膜层结构时，使用sih4、nh3和n2o三种气体形成sion膜，作为第一抗反射膜。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成所述抗反射膜层结构时，在所述第一抗反射膜上，使用sih4和n2o两种气体形成sion膜，作为第二抗反射膜。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，制备过程中通过调整所述不同膜层的厚度比例实现对所述抗反射膜反射率的控制。6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一抗反射膜时，通过调整注入的nh3气体和n2o气体的量实现对所述抗反射膜反射率的控制。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，进行等离子体处理时采用氧气作为气源。8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用等离子增强气相沉积工艺形成所述不同膜层。9.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述抗反射膜的折射率范围为1.5～2.5。10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在待图案化层上涂覆权利要求1-8任一项所述的抗反射膜；在所述抗反射膜上涂覆光刻胶；将掩膜版置于所述光刻胶的上方，利用曝光源辐照所述掩膜版；对所述待图案化层进行图案化。
技术总结
一种用于光刻的抗反射膜的制备方法，包括以下步骤：形成抗反射膜层结构；对抗反射膜层结构的表面进行等离子体处理，得到抗反射膜。通过优化光刻胶下部的抗反射涂层，改良了抗反射涂层的特性，能够明显减少光刻图案化时的光反射和光散射，提高光刻形成的图案形状的精确度，进而有助于制造细微图案，最终提高元器件的集成度。的集成度。的集成度。
技术研发人员：金志勋 金廷修 白国斌 高建峰 王桂磊 田光辉 丁云凌
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.12.25
技术公布日：2022/6/28