技术特征：
1.一种jbs二极管结构，其特征在于，包括：阴极背面金属层，n型衬底层，n型外延层，p型扩散层，金属接触层和金属阳极层；所述阴极背面金属层，所述n型衬底层和所述n型外延层自下而上依次设置；所述n型外延层远离所述n型衬底层的上表面内嵌有多个沟槽区域；多个所述沟槽区域沿第一方向分布；所述第一方向为垂直于所述n型外延层厚度的方向；所述沟槽区域在所述第一方向的宽度沿第二方向连续增大，所述第二方向为所述n型外延层指向所述n型衬底层的方向；所述p型扩散层设置在多个所述沟槽区域的内壁；所述金属接触层位于所述n型外延层表面和所述p型扩散层表面；所述金属接触层与所述n型外延层形成肖特基接触；所述金属接触层与所述p型扩散层形成欧姆接触；所述金属阳极层覆盖在所述金属接触层远离所述n型衬底层的表面。2.根据权利要求1所述的jbs二极管结构，其特征在于，所述沟槽区域在所述第一方向的宽度沿所述第二方向线性增大。3.根据权利要求1所述的jbs二极管结构，其特征在于，所述沟槽区域的顶部在所述第一方向的第一宽度的范围为3um至10um；所述沟槽区域的顶部远离所述n型衬底层。4.根据权利要求3所述的jbs二极管结构，其特征在于，所述沟槽区域的底部在所述第一方向的第二宽度与所述第一宽度的差值范围为6um至10um。5.根据权利要求1所述的jbs二极管结构，其特征在于，所述沟槽区域在所述第二方向上的高度范围为1um至3um。6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，多个所述沟槽区域中相邻两个所述沟槽区域顶部之间的最近间距范围为10um至50um。7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属接触层厚度范围为10nm至100nm。8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述p型扩散层的结深范围为0.5um至1um。9.一种jbs二极管结构的制造方法，其特征在于，所述方法用于制造如权利要求1至8任一项所述的jbs二极管结构，所述方法包括如下步骤：在n型外延层远离n型衬底层的上表面加工形成多个沟槽区域；多个所述沟槽区域沿第一方向分布；所述第一方向为垂直于所述n型外延层厚度的方向；所述沟槽区域在所述第一方向的宽度沿所述第二方向连续增大，所述第二方向为所述n型外延层指向所述n型衬底层的方向；从所述沟槽区域的开口处对预设倾角范围对应的区域进行离子注入，形成离子注入区域。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述离子注入的注入剂量范围为1
×
10
11
cm-2
至5
×
10
12
cm-2
。
技术总结
本发明提供了一种JBS二极管结构及其制造方法，所述JBS二极管结构包括：阴极背面金属层，N型衬底层，N型外延层，P型扩散层，金属接触层和金属阳极层；阴极背面金属层，N型衬底层和N型外延层自下而上依次设置；N型外延层远离N型衬底层的上表面内嵌有多个沟槽区域；多个沟槽区域沿第一方向分布；沟槽区域在第一方向的宽度沿第二方向连续增大；P型扩散层设置在多个沟槽区域的内壁；金属接触层位于N型外延层表面和P型扩散层表面；金属接触层与N型外延层形成肖特基接触；金属接触层与P型扩散层形成欧姆接触；金属阳极层覆盖在金属接触层远离N型衬底层的表面。本发明提供的JBS二极管可以在提高JBS二极管的关断速度的同时降低高温漏电流。电流。电流。
技术研发人员：曹群 郭小青
受保护的技术使用者：比亚迪半导体股份有限公司
技术研发日：2020.12.25
技术公布日：2022/6/30