技术总结
本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该器件包括依次层叠的衬底、缓冲层、GaN层、AlN层和InAlN层，以及形成于InAlN层远离衬底一侧的源极、漏极和栅极，其中，源极和漏极的材料为Ti5Al1和TiN的层叠结构或Ti5Al1和W的层叠结构，利用Ti5Al1和TiN、Ti5Al1和W的材料特性，将源极和漏极与GaN层、AlN层及InAlN层接触，形成欧姆接触电极的机理，有效降低欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，另外，利用ALE刻蚀工艺形成常关型GaN器件，实现了在降低导通电阻的同时还实现了低速低损失的刻蚀，同时精准控制刻蚀深度从而有效降低栅极漏电，提高器件高耐压值和阈值电压。提高器件高耐压值和阈值电压。提高器件高耐压值和阈值电压。
技术研发人员：蒋洋 于洪宇 汪青 郑韦志 乔泽鹏 范梦雅
受保护的技术使用者：南方科技大学
技术研发日：2020.12.30
技术公布日：2021/5/18