1.一种降低侧壁缺陷复合的micro-led芯片结构，其特征是，p型重掺杂半导体材料层仅位于p型半导体材料层上方中间区域；n型材料传输层完全覆盖p型半导体材料层和p型重掺杂半导体材料露出层；n型材料传输层与部分p型半导体材料层直接接触。
2.如权利要求1所述的芯片结构，其特征是，p型半导体材料层边缘暴露部分的面积占其总面积的1％～80％。
3.如权利要求1所述的芯片结构，其特征是，n型材料传输层为gan、gap、zno、ito、石墨烯、azo、ni/au或al的材料层。
4.如权利要求1所述的芯片结构，其特征是，micro-led芯片为标准micro-led芯片中的任意一种，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非掺杂半导体材料层、n型半导体材料层、多量子阱层、p型限制层、p型半导体材料层、p型重掺杂半导体材料层和n型材料传输层和相应的p型欧姆电极和n型欧姆电极。