技术特征：
1.一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，在所述衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在所述衬底的所述第一表面上并且耦接到所述隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在所述衬底的所述第二表面上；其中，所述接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞，其中，所述隔离图案的一部分延伸跨过所述衬底中的第一区和第二区，其中，所述第一区与所述第一接触插塞竖直重叠，并且其中，所述第二区与所述第二接触插塞竖直重叠。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，当在平面图中观察时，所述第一接触插塞处于由所述第一微透镜图案中的四个相邻的第一微透镜图案的中心点包围的区域中。3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：布线结构，在所述衬底的所述第一表面上并且耦接到所述接触插塞；焊盘端子，在所述衬底的所述第二表面上；以及导电图案，所述导电图案穿透所述衬底并且耦接到所述焊盘端子，其中，所述布线结构通过所述导电图案电连接到所述焊盘端子。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离图案包括：多个第一部分，所述多个第一部分中的每一个第一部分具有平行于平面图中的第一方向的主轴；第二部分，具有平行于与所述第一方向不同的第二方向的主轴；以及多个交叉部分，在所述第一部分与所述第二部分相交的相应部分处，其中，所述接触插塞与所述隔离图案的相应的交叉部分接触。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述接触插塞具有与所述隔离图案接触的底表面，其中，所述接触插塞的所述底表面在第三方向上的宽度小于所述交叉部分的顶表面在所述第三方向上的宽度，其中，所述接触插塞的所述底表面在所述第一方向上的宽度大于所述第二部分的顶表面在所述第一方向上的宽度，其中，所述第一方向平行于所述衬底的所述第一表面，并且其中，所述第三方向平行于所述衬底的所述第一表面并且与所述第一方向和所述第二方向交叉。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述衬底包括由所述隔离图案限定的第一聚焦像素区和第二聚焦像素区，其中，所述隔离图案包括：第一部分，在所述第一聚焦像素区和所述像素区之间；以及第二部分，在所述第一聚焦像素区和所述第二聚焦像素区之间；并且其中，所述接触插塞不在所述隔离图案的所述第二部分上。7.根据权利要求6所述的图像传感器，还包括：第二微透镜图案，在所述衬底的所述第二表面上，
其中，所述第二微透镜图案与所述第一聚焦像素区、所述第二聚焦像素区和所述隔离图案的所述第二部分重叠。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述衬底包括多个像素组，所述多个像素组中的每一个像素组包括所述像素区中的多个像素区，其中，所述隔离图案包括所述像素组之间的多个第一部分和所述像素组中的多个第二部分，其中，所述接触插塞不在所述第二部分上，并且其中，所述接触插塞与所述第一部分接触。9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述多个像素组包括第一像素组，其中，所述图像传感器还包括所述衬底的所述第二表面上的所述第一像素组上的滤色器，并且其中，所述滤色器与包括在所述第一像素组中的多个像素区重叠。10.根据权利要求8所述的图像传感器，还包括：共享浮动扩散区，所述共享浮动扩散区在平面图中在所述多个像素组中的第一像素组的中心部分上，其中，所述共享浮动扩散区包括：多个杂质区，在所述衬底中并且在所述像素区上；以及掺杂部分，在所述像素区之间并且连接到所述杂质区。11.根据权利要求10所述的图像传感器，还包括：上隔离图案，在所述隔离图案的顶表面上，其中，所述上隔离图案包括所述共享浮动扩散区的所述掺杂部分与所述隔离图案之间的介电部分，并且其中，所述共享浮动扩散区的所述掺杂部分与所述隔离图案电绝缘。12.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离图案包括晶体半导体材料。13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，所述隔离图案中的掺杂剂的浓度等于或小于大约10
15
离子/cm3。14.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述衬底还包括相应的像素区上的多个光电转换区。15.一种图像传感器，包括：衬底，具有像素阵列区和焊盘区，所述焊盘区在平面图中包围所述像素阵列区，所述像素阵列区包括多个像素区；焊盘端子，在所述衬底的第二表面上并且在所述衬底的所述焊盘区处；导电图案，在所述衬底的所述焊盘区处，所述导电图案穿透所述衬底并且耦接到所述焊盘端子；多个微透镜图案，在所述衬底的所述第二表面上位于所述衬底的所述像素阵列区处；所述衬底中的隔离图案，所述隔离图案限定所述像素区；接触插塞，在所述衬底的第一表面上位于所述衬底的所述像素阵列区处，所述接触插
塞耦接到所述隔离图案；以及布线结构，在所述衬底的所述第一表面上，所述布线结构电连接到所述接触插塞和所述导电图案，其中，所述衬底的所述第二表面与所述衬底的所述第一表面相对。16.根据权利要求15所述的图像传感器，其中，所述接触插塞与所述隔离图案的交叉部分接触，并且其中，当在平面图中观察时，所述隔离图案的所述交叉部分与由所述像素区中的四个相邻的像素区包围的区域重叠。17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述接触插塞包括多个接触插塞，其中，所述隔离图案的所述交叉部分包括多个交叉部分，其中，所述多个接触插塞与所述多个交叉部分中的相应交叉部分接触，其中，所述隔离图案包括所述多个交叉部分之中的两个交叉部分之间的连接部分，并且其中，两个相邻的交叉部分通过所述连接部分彼此连接。18.根据权利要求15所述的图像传感器，还包括：多个光电转换区，在所述衬底的相应的像素区上；多个杂质区，在所述衬底中的所述像素区上并且与所述光电转换区间隔开；导电插塞，在所述衬底的所述第一表面上并且耦接到所述杂质区；栅极图案，在所述衬底的所述第一表面上；以及栅极接触插塞，设置在所述栅极图案上并且耦接到所述栅极图案，其中，所述接触插塞与所述栅极接触插塞和所述导电插塞电分离。19.一种图像传感器，包括：衬底，包括像素阵列区、光学黑体区和焊盘区，所述光学黑体区被设置在所述像素阵列区和所述焊盘区之间；焊盘端子，在所述衬底的第二表面上并且在所述衬底的所述焊盘区处；导电图案，在所述衬底的所述焊盘区处，所述导电图案穿透所述衬底并且耦接到所述焊盘端子；光屏蔽图案，在所述衬底的所述第二表面上并且在所述衬底的所述光学黑体区处；多个微透镜图案，在所述衬底的所述第二表面上并且在所述衬底的所述像素阵列区处；多个滤色器，在所述衬底的所述第二表面和所述微透镜图案之间，并且在所述衬底的所述像素阵列区处；多个光电转换区，在所述衬底中并且在所述衬底的所述像素阵列区处；所述衬底中的第一隔离图案，在所述光电转换区之间并且在所述衬底的所述像素阵列区处；第二隔离图案，在所述第一隔离图案和所述衬底之间；多个接触插塞，在所述衬底的第一表面上并且在所述衬底的所述像素阵列区处，所述接触插塞耦接到所述第一隔离图案；
栅极图案，在所述衬底的所述第一表面上并且在所述衬底的所述像素阵列区处；栅极接触插塞，设置在所述栅极图案上并且耦接到所述栅极图案；以及布线层，在所述衬底的所述第一表面上，所述布线层包括多个介电层和布线结构，其中，所述栅极接触插塞与所述接触插塞电分离，并且其中，所述接触插塞中的至少一个接触插塞通过所述布线结构和所述导电图案电连接到所述焊盘端子。20.根据权利要求19所述的图像传感器，还包括：所述布线层上的上布线层，所述上布线层包括上连线图案和多个上介电层；以及上衬底，在所述上布线层上，其中，所述上连线图案电连接到所述导电图案。
技术总结
公开了一种图像传感器，包括：衬底，该衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，该隔离图案在衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在衬底的第一表面上并且耦接到隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在衬底的第二表面上。该接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞。该隔离图案的一部分延伸以跨过衬底中的第一区和第二区。第一区与第一接触插塞竖直重叠。第二区与第二接触插塞竖直重叠。叠。叠。
技术研发人员：李冈勋 罗承柱 郑熙根 赵万根
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.02.10
技术公布日：2021/10/22