技术特征：
1.一种硅基led的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:在硅衬底抛光的一侧表面设置一层银膜，将所述硅衬底设置有银膜的一侧浸泡于h2o2和hf的混合水溶液中进行腐蚀，得到一侧表面粗糙的硅基衬底；在所述硅基衬底上粗糙的一侧表面上设置一层硅纳米晶薄膜；在所述硅纳米晶薄膜远离所述硅基衬底的一侧设置一层表面等离激元；在所述表面等离激元远离所述硅纳米晶薄膜的一侧设置负极区；在所述硅基衬底远离所述银膜的一侧设置正极区。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述银膜通过蒸镀设置于所述硅衬底表面，所述银膜厚度为5～15nm；所述h2o2和hf的混合水溶液中h2o:h2o2:hf＝8:4:1，腐蚀时间为5～15min。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅纳米晶薄膜通过以下步骤设置：在所述硅基衬底上粗糙的一侧表面蒸镀氧化硅薄膜，而后在惰性气体氛围下退火得到硅纳米晶薄膜。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氧化硅为薄膜包括逐渐远离硅基衬底设置的sio薄膜和/或sio2薄膜，所述sio薄膜的厚度为50～80nm，所述sio2薄膜的厚度为80～120nm，所述氧化硅薄膜的退火温度为1000～1200℃，退火时间为50～70min，退火氛围为氮气。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述表面等离激元通过以下步骤设置：将所制备的硅纳米晶浸没于agno3溶液中进行超声处理，干燥后在惰性气体氛围下退火得到银表面等离激元。6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述银表面等离激元的尺寸为20nm～200nm，均匀度高于80％，所述银表面等离激元制备步骤中，退火温度为200～600℃，退火时间为30min，退火氛围为氮气。7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅衬底为p型硅衬底，晶向为<100>，电阻率为(0.5～1)ω
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cm。8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正极区为金属电极，所述负极区为ito。9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述正极区为al电极，并通过以下步骤设置：在所述硅基衬底远离所述银膜的一侧蒸镀1～3μm的al电极，在400～500℃条件下，退火8～13min，退火氛围为氮气；所述ito通过以下步骤设置：在所述表面等离激元远离所述硅纳米晶薄膜的一侧蒸镀100～300nm的ito，在180～230℃条件下，退火3～7min。10.一种硅基led，其特征在于，按层状结构包括依次设置的负极区、表面等离激元、硅纳米晶薄膜、硅基衬底和正极区，其中，所述硅基衬底靠近所述硅纳米晶薄膜的一侧表面粗糙。