技术特征：
1.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：一半导体基底，包括一第一主动区和一截断区；一源极/漏极区，设置于该第一主动区中；一隔离结构，设置于该截断区中；以及一第一栅极结构，至少延伸通过该截断区中的该隔离结构，其中该第一栅极结构包括：一第一栅极电极层以及内衬于该第一栅极电极层上的一第一栅极衬层，其中该第一栅极衬层包括在该截断区中的一第一部分，且该第一栅极衬层的该第一部分的一上表面低于该源极/漏极区的一底面。2.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，更包括：一第二栅极结构，延伸通过该第一主动区，其中该第二栅极结构包括：一第二栅极电极层以及内衬于该第二栅极电极层上的一第二栅极衬层，其中该第二栅极衬层包括在该第一主动区中的一第二部分，该第二栅极衬层的该第二部分的一上表面高于该源极/漏极区的该底面，且该源极/漏极区设置于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。3.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，该第一栅极结构更延伸通过该半导体基底的一第二主动区，其中该第一栅极衬层更包括在该第二主动区中的一第二部分，且该第一栅极衬层的该第二部分的一上表面高于该第一栅极衬层的该第一部分的该上表面。4.如权利要求3所述的半导体存储器结构，其特征在于，更包括：一盖层，设置于该第一栅极结构之上；以及一气隙，位于该盖层与该第一栅极衬层之间，其中该气隙暴露出该第二部分的侧表面。5.如权利要求4所述的半导体存储器结构，其特征在于，该气隙连续地延伸于该第一栅极衬层的该第一部分和该第二部分之上。6.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，该第一栅极衬层与该截断区中的该隔离结构界面相接。7.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：一半导体基底；一栅极结构，埋置于该半导体基底中，其中该栅极结构包括一栅极衬层，该栅极衬层包括：一第一部分以及突出于该第一部分之上的一第二部分；以及一源极/漏极区，设置于该半导体基底中，其中该源极/漏极区的一底面高于该栅极衬层的该第一部分的一上表面且低于该栅极衬层的该第二部分的一上表面。8.如权利要求7所述的半导体存储器结构，其特征在于，该栅极结构更包括：一栅极介电层和一栅极电极层，其中该栅极衬层设置于该栅极电极层与该栅极介电层之间。9.如权利要求7所述的半导体存储器结构，其特征在于，更包括：一隔离结构，设置于该半导体基底中，其中该栅极衬层的该第一部分设置于该隔离结构中，该隔离结构隔开该源极/漏极区与该栅极衬层的该第一部分，且该半导体基底包括一主动区，且该源极/漏极区与该栅极衬层的该第二部分设置于该主动区中。10.如权利要求7所述的半导体存储器结构，其特征在于，更包括：一介电结构，设置于该半导体基底之上；一接触插塞，设置于该介电结构中且位于该源极/漏极区之上，其中该接触插塞电连接
至一电容器。11.一种半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，该半导体基底包括一截断区和一主动区；形成一第一栅极结构通过该截断区且形成一第二栅极结构通过该主动区，其中该第一栅极结构和该第二栅极结构的每一个包括：一栅极电极层以及内衬于该栅极电极层上的一栅极衬层；形成一图案化遮罩层覆盖该第二栅极结构且暴露出该第一栅极结构；使用该图案化遮罩层，刻蚀该第一栅极结构的该栅极衬层；以及形成一源极/漏极区于该主动区中，其中在刻蚀该第一栅极结构的该栅极衬层之后，该第一栅极结构的该栅极衬层的一上表面低于该源极/漏极区的一底面。12.如权利要求11所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，刻蚀该第一栅极结构的该栅极衬层形成一间隙，其中该方法更包括：形成一盖层于该第一栅极结构之上，以密封该间隙。13.如权利要求11所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，更包括：在刻蚀该第一栅极结构的该栅极衬层之前，凹蚀该第一栅极结构和该第二栅极结构两者的所述栅极衬层，使得所述多个栅极电极层突出于所述多个栅极衬层之上。
技术总结
本发明提供了一种半导体存储器结构及其形成方法，该半导体存储器结构包含半导体基底，半导体基底包含第一主动区和截断区。此半导体存储器结构还包含设置于第一主动区中的源极/漏极区、设置于截断区中的隔离结构、以及至少延伸通过截断区中的隔离结构的第一栅极结构。第一栅极结构包含第一栅极电极层以及内衬于第一栅极电极层上的第一栅极衬层。第一栅极衬层包含在截断区中的第一部分，且第一栅极衬层的第一部分的上表面低于源极/漏极区的底面。本发明在降低源极/漏极区与旁通字线的电容的同时，可保持半导体存储器装置的电晶体的导通电流。本发明可提升半导体存储器装置的可靠性和制造良率，并且维持半导体存储器装置的导通电流。导通电流。导通电流。
技术研发人员：魏宏谕
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2021.03.04
技术公布日：2022/9/8