技术特征：
1.一种集成电路器件，包括：衬底，包括多个有源区；位线，在所述衬底上沿第一方向延伸；直接接触部，连接在所述多个有源区中的第一有源区与所述位线之间；内部氧化物层，接触所述直接接触部的侧壁；以及含碳氧化物层，在所述位线的侧壁上沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，所述含碳氧化物层接触所述位线的侧壁。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：接触插塞，连接到所述多个有源区中的与所述第一有源区邻近的第二有源区，所述接触插塞在所述衬底上沿所述第二方向延伸，以及间隙填充绝缘图案，设置在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间，其中，所述内部氧化物层包括设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间的第一部分，以及所述含碳氧化物层包括突出部，所述突出部从所述位线向外突出，处于在所述第二方向上比所述间隙填充绝缘图案的顶表面高的水平处。3.根据权利要求2所述的集成电路器件，还包括：覆盖所述接触插塞的侧壁的间隙填充绝缘图案，其中，所述内部氧化物层和所述含碳氧化物层中的每一个的至少一部分被设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间。4.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：接触插塞，连接到所述多个有源区中的与所述第一有源区邻近的第二有源区，所述接触插塞在所述衬底上沿所述第二方向延伸，以及间隙填充绝缘图案，设置在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间，其中，所述内部氧化物层与所述接触插塞间隔开，其中所述间隙填充绝缘图案在所述内部氧化物层与所述接触插塞之间，以及所述含碳氧化物层包括设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间的第一部分、以及接触所述直接接触部的第二部分。5.根据权利要求4所述的集成电路器件，还包括：覆盖所述接触插塞的侧壁的间隙填充绝缘图案，其中，所述内部氧化物层包括设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间的第一部分，以及其中，所述含碳氧化物层未被设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间。6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：接触插塞，连接到所述多个有源区中的与所述第一有源区邻近的第二有源区，所述接触插塞在所述衬底上沿所述第二方向延伸，间隙填充绝缘图案，设置在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间，以及外部绝缘间隔物，在所述间隙填充绝缘图案上覆盖所述位线的侧壁，其中，所述内部氧化物层包括设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间的第一部分、以及接触所述直接接触部的第二部分，以及
所述含碳氧化物层与所述接触插塞间隔开，其中所述外部绝缘间隔物在所述含碳氧化物层与所述接触插塞之间。7.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：接触所述内部氧化物层的间隙填充绝缘图案，所述间隙填充绝缘图案面向所述直接接触部，其中所述内部氧化物层在所述间隙填充绝缘图案与所述直接接触部之间，以及外部绝缘间隔物，在所述间隙填充绝缘图案上覆盖所述位线的侧壁，其中，所述含碳氧化物层包括突出部，所述突出部朝着所述外部绝缘间隔物突出，处于在所述第二方向上比所述间隙填充绝缘图案的顶表面高的水平处。8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：外部绝缘间隔物，沿所述第二方向延伸，以在所述内部氧化物层上覆盖所述位线的侧壁，所述外部绝缘间隔物与所述内部氧化物层分开，以及中间绝缘间隔物，设置在所述内部氧化物层与所述外部绝缘间隔物之间，以覆盖所述位线的侧壁，其中，所述含碳氧化物层包括突出部，所述突出部设置在所述位线与所述外部绝缘间隔物之间，朝向所述外部绝缘间隔物突出，并且所述突出部接触所述中间绝缘间隔物的底表面。9.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：外部绝缘间隔物，沿所述第二方向延伸，以在所述内部氧化物层上覆盖所述位线的侧壁，所述外部绝缘间隔物与所述内部氧化物层分开，以及中间绝缘间隔物，设置在所述内部氧化物层与所述外部绝缘间隔物之间，以覆盖所述位线的侧壁，其中，所述含碳氧化物层包括：第一部分，设置在所述位线与所述中间绝缘间隔物之间；第二部分，整体连接到所述第一部分并且接触所述内部氧化物层的侧壁；以及第三部分，整体连接到所述第一部分并且接触所述中间绝缘间隔物的底表面。10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，在所述第二方向上，所述内部氧化物层的最上面的表面处于与所述直接接触部的最上面的表面相同的水平上，其中，所述直接接触部包括掺杂的多晶硅层，所述内部氧化物层包括氧化硅层，并且所述含碳氧化物层包括sioc层。11.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：外部绝缘间隔物，沿所述第二方向延伸，以在所述内部氧化物层上覆盖所述位线的侧壁，所述外部绝缘间隔物与所述内部氧化物层分开，以及中间绝缘间隔物，设置在所述内部氧化物层与所述外部绝缘间隔物之间，以覆盖所述位线的侧壁，其中，所述中间绝缘间隔物包括氧化硅层、空气间隔或两者的组合。12.一种集成电路器件，包括：衬底，包括多个有源区；多条位线，在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，所述多条位线沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；直接接触部，连接在所述多个有源区中的第一有源区与所述多条位线中的第一位线之
间；接触插塞，连接到所述多个有源区中的与所述第一有源区邻近的第二有源区，所述接触插塞在所述衬底上沿与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向延伸；以及间隔物结构，设置在所述第一位线与所述接触插塞之间，其中，所述间隔物结构包括：内部氧化物层，接触所述直接接触部的侧壁；以及含碳氧化物层，在所述第一位线的侧壁上沿所述第三方向延伸，所述含碳氧化物层与所述第一位线的侧壁直接接触。13.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中，所述内部氧化物层的一部分与所述含碳氧化物层的一部分在所述第三方向上重叠。14.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中，所述多条位线中的每一条位线包括：包括掺杂的多晶硅层的下导电层、以及包括金属的上导电层，所述内部氧化物层接触所述第一位线的下导电层，以及所述含碳氧化物层接触所述第一位线的上导电层。15.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中，所述间隔物结构还包括：间隙填充绝缘图案，设置在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间，其中，所述内部氧化物层包括设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间的第一部分，以及所述含碳氧化物层包括突出部，所述突出部从所述第一位线向外突出，处于在所述第三方向上比所述间隙填充绝缘图案的顶表面高的水平处。16.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中，所述间隔物结构还包括：间隙填充绝缘图案，设置在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间，以及所述内部氧化物层和所述含碳氧化物层中的每一个包括设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间的第一部分。17.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中，所述间隔物结构还包括：间隙填充绝缘图案，设置在所述接触插塞的下部与所述直接接触部之间，所述内部氧化物层包括设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间的第一部分，以及其中，所述含碳氧化物层未被设置在所述直接接触部与所述间隙填充绝缘图案之间。18.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中，所述间隔物结构还包括：外部绝缘间隔物，沿所述第三方向延伸，以在所述内部氧化物层上覆盖所述第一位线的侧壁，所述外部绝缘间隔物与所述内部氧化物层分开；以及中间绝缘间隔物，设置在所述内部氧化物层与所述外部绝缘间隔物之间，以覆盖所述第一位线的侧壁，其中，所述中间绝缘间隔物包括氧化硅层、空气间隔或两者的组合。19.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中，所述多条位线中的每一条位线包括：包括掺杂的多晶硅层的下导电层、以及包括金属的上导电层，所述直接接触部包括掺杂的多晶硅层；所述内部氧化物层包括接触所述第一位线的下导电层的氧化硅层、以及接触所述直接
接触部的氧化硅层；以及所述含碳氧化物层包括接触所述第一位线的上导电层的sioc层。20.一种集成电路器件，包括：衬底，包括彼此间隔开的多个有源区；第一位线和第二位线，在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，所述第一位线和所述第二位线沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；多个接触插塞，沿所述第二方向以行布置在所述第一位线与所述第二位线之间；多个绝缘围栏，分别设置在所述多个接触插塞之间；直接接触部，连接在所述多个有源区中的第一有源区与所述第一位线之间；以及间隔物结构，设置在所述第一位线与所述接触插塞之间，其中，所述间隔物结构包括：内部氧化物层，接触所述直接接触部的侧壁，所述内部氧化物层包括氧化硅层；以及sioc层，在所述第一位线的侧壁上沿第三方向延伸，所述sioc层接触所述第一位线的侧壁。
技术总结
一种集成电路器件，包括：衬底，包括多个有源区；位线，在衬底上沿水平方向延伸；直接接触部，连接在从多个有源区中选择的第一有源区与所述位线之间；内部氧化物层，接触直接接触部的侧壁；以及含碳氧化物层，在所述位线的侧壁上沿竖直方向非线性地延伸，含碳氧化物层接触所述位线的侧壁。所述位线的侧壁。所述位线的侧壁。
技术研发人员：洪智硕 李相昊 朴瑞龙 安志荣 李基硕 李基硕 崔允荣 韩昇煜
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.03.12
技术公布日：2021/12/23