技术特征：
1.一种用于部分填充正在构造的半导体器件中的两个叠加结构(16、17)之间的空间(15)的方法，包括以下步骤：a.提供在其间具有所述空间(15)的所述两个叠加结构(16、17)，b.用热塑材料(14)完全填充所述空间(15)，c.移除存在于所述空间(15)中的所述热塑材料(14)的第一部分(18)，所述第一部分(18)包括存在于所述空间(15)中的所述热塑材料(14)的顶面的至少一部分，由此在所述空间(15)中留下具有高度(h)的剩余热塑材料(14)，以及d.加热所述剩余热塑材料(14)以降低其高度(h)。2.如权利要求1所述的方法，其中步骤b包括用光敏热塑材料(14)来完全填充所述空间(15)，所述光敏热塑材料(14)在暴露于电磁辐射(19)后相对于未暴露于所述电磁辐射(19)的相同的所述光敏热塑材料(14)而言变得能够被选择性地移除，其中步骤c包括：c1.将存在于所述空间(15)中的所述光敏热塑材料(14)的第一部分(18)暴露于所述电磁辐射(19)，由此使该第一部分(18)相对于所述光敏热塑材料(14)的未暴露于所述电磁辐射(19)的第二部分(20)而言能够被选择性地移除，以及c2.相对于所述第二部分(20)选择性地移除被暴露的所述第一部分(18)，由此在所述空间(15)中留下具有高度(h)的所述第二部分(20)。3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述两个叠加结构(16、17)包括晶体管沟道(1)。4.如权利要求1所述的方法，其中所述正在构造的半导体器件是互补场效应晶体管。5.如权利要求1所述的方法，其中所述两个叠加结构(16、17)包括顶部结构(17)和底部结构(16)，其中所述顶部结构(17)包括纳米片沟道(1)并且其中所述底部结构(16)包括鳍部沟道(1)或另一纳米片沟道(1)。6.如权利要求5所述的方法，其中所述顶部结构(17)包括垂直纳米片沟道(1)并且其中所述底部结构(16)包括鳍部沟道(1)。7.如权利要求1所述的方法，其中所述空间(15)是从10到100nm。8.如权利要求7所述的方法，其中所述空间(15)是从25到30nm。9.如权利要求1所述的方法，其中所述两个叠加结构(16、17)中的每一者具有其测量为从10到100nm的最小横向尺寸(w)。10.如权利要求9所述的方法，其中所述最小横向尺寸(w)测量为从25到50nm。11.如权利要求2所述的方法，其中所述光敏热塑材料(14)是可显影底部抗反射涂敷材料。12.如权利要求2所述的方法，其中所述光敏热塑材料(14)包括亲二烯体与二烯的反应产物。13.如权利要求12所述的方法，其中(i)所述亲二烯体是含酰亚胺的亲二烯体，并且所述二烯是多环芳族基团，或者(ii)所述二烯是蒽或并五苯基。14.一种用于在正在构造的半导体器件中的两个叠加晶体管沟道(1)上形成不同的栅极堆叠的替代金属栅极工艺，所述工艺包括：(i)取决于权利要求3来执行如权利要求1到13中的任一项所述的方法，其中这两个叠加结构(16、17)中的每一者包括：
a.其上具有介电层(12)的晶体管沟道(1)，以及b.所述介电层(12)上的第一导电层(13)，由此保护这两个叠加结构(16、17)中的最低结构(16)的所述第一导电层(13)，(ii)从这两个叠加结构(16、17)中的最高结构(17)中移除所述第一导电层(13)，由此暴露这两个叠加结构(16、17)中的最高结构(17)的所述介电层(12)，(iii)移除经加热的剩余热塑材料(14)，由此暴露这两个叠加结构(16、17)中的最低结构的所述第一导电层(13)，以及(iv)用第二导电层来涂敷：a.这两个叠加结构(16、17)中的最高结构(17)的所述介电层(12)，以及b.这两个叠加结构(16、17)中的最低结构(16)的所述第一导电层(13)，由此在这两个叠加晶体管沟道(1)上形成不同的栅极堆叠。15.一种正在构造的半导体器件，包括a.其间具有空间(15)的两个叠加结构(16、17)，以及b.部分填充所述空间(15)的光敏热塑材料(14)，所述光敏热塑材料(14)由此在暴露于电磁辐射(19)后相对于未暴露于所述电磁辐射(19)的相同的所述光敏热塑材料(14)而言变得能够被选择性地移除。
技术总结
一种用于部分填充正在构造的半导体器件中的两个叠加结构之间的空间的方法，包括以下步骤：a.提供在其间具有所述空间的两个叠加结构，b.用热塑材料完全填充所述空间，c.移除存在于该空间中的热塑材料的第一部分，该第一部分包括该热塑材料的顶面的至少一部分，由此在所述空间中留下具有一高度的剩余热塑材料，以及d.加热该剩余光敏热塑材料以降低其高度。及d.加热该剩余光敏热塑材料以降低其高度。及d.加热该剩余光敏热塑材料以降低其高度。
技术研发人员：曾文德 李伟健 陶铮
受保护的技术使用者：IMEC非营利协会
技术研发日：2021.03.22
技术公布日：2021/9/24