1.一种双配体材料提高cspbibr2多晶膜质量以降低cspbibr2探测器暗电流的方法，其特征在于：通过在cspbibr2前驱体混合溶液中添加两种配体材料：卵磷脂和硫氰酸铵，在相对湿度不高于60％的大气环境下，制备出结构稳定、表面平整的cspbibr2多晶膜，并成功应用于紫外光电探测领域中，同时有望进一步应用于x射线探测领域。
2.根据权利要求1所述一种双配体材料提高cspbibr2多晶膜质量以降低cspbibr2探测器暗电流的方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)工艺环境选取：
控制大气环境相对湿度不高于60％；
(2)衬底预处理：
将氧化铟锡(ito)导电玻璃衬底分别在丙酮、乙醇、去离子水中各超声清洗至少15min；然后使氧化铟锡衬底通过氮气吹干后，再进行紫外臭氧预处理至少15min，得到洁净的氧化铟锡衬底，备用；
(3)配体材料溶液制备：
取设定量卵磷脂溶解于无水乙醇中，室温搅拌至少5h后，待用，作为配体材料1；
将硫氰酸铵直接使用，无需进一步处理，作为配体材料2；
(4)cspbibr2前驱体混合溶液的制备：
(4-1)分别将1mol的pbbr2和1mol的csi溶解在2.9ml和3.4ml的dmso溶剂中，分别作为cspbibr2前驱体溶液1和cspbibr2前驱体溶液2；然后将cspbibr2前驱体溶液1和cspbibr2前驱体溶液2分别置于磁力搅拌器上，恒温下搅拌，直至完全溶解为澄清透明溶液；然后将cspbibr2前驱体溶液1和cspbibr2前驱体溶液2混合加入至少6.3ml的dmf中，恒温下搅拌至少4h，作为cspbibr2前驱体混合溶液1；
(4-2)取设定量的配体材料1加入cspbibr2前驱体混合溶液1中，在室温下搅拌至少12h，作为cspbibr2前驱体混合溶液2；
(4-3)然后取设定量的配体材料2加入cspbibr2前驱体混合溶液1，在室温下搅拌至少4h，作为cspbibr2前驱体混合溶液3；
(4-4)然后取设定量的cspbibr2前驱体混合溶液3加入cspbibr2前驱体混合溶液2，在室温下搅拌至少4h，作为cspbibr2前驱体混合溶液4；
(5)cspbibr2多晶膜的制备：
将在所述步骤(1)中处理完毕的氧化铟锡衬底置于预热的加热台上，使用喷涂机喷涂cspbibr2前驱体混合溶液4，制备出cspbibr2多晶膜；
根据cspbibr2多晶膜厚度和质量要求，设定使用前驱体混合溶液的剂量、喷涂机的喷涂速率和加热台的退火条件，实现在相对湿度不大于60％的大气环境下，制备结构稳定、表面平整的cspbibr2多晶膜。
3.根据权利要求2所述双配体材料提高cspbibr2多晶膜质量以降低cspbibr2探测器暗电流的方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，配体材料1的浓度为5-30mg/ml。
4.根据权利要求2所述双配体材料提高cspbibr2多晶膜质量以降低cspbibr2探测器暗电流的方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，配体材料1在cspbibr2前驱体混合溶液2中占总溶液体积的5-30％。
5.根据权利要求2所述双配体材料提高cspbibr2多晶膜质量以降低cspbibr2探测器暗电流的方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，配体材料2在cspbibr2前驱体混合溶液3中物质的量的浓度为0.05-0.3mol/l。
6.根据权利要求2所述双配体材料提高cspbibr2多晶膜质量以降低cspbibr2探测器暗电流的方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，配体材料2在cspbibr2前驱体混合溶液3的搅拌时间控制在3-5h。
7.根据权利要求2所述双配体材料提高cspbibr2多晶膜质量以降低cspbibr2探测器暗电流的方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，cspbibr2前驱体溶液1和cspbibr2前驱体溶液2、cspbibr2前驱体混合溶液1的制备温度为60-75℃。
8.根据权利要求2所述双配体材料提高cspbibr2多晶膜质量以降低cspbibr2探测器暗电流的方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，加热台的温度控制在140-170℃之间；退火在相对湿度不高于60％的大气环境下进行。
9.根据权利要求2所述双配体材料提高cspbibr2多晶膜质量以降低cspbibr2探测器暗电流的方法，其特征在于：蒸镀金电极的厚度为80-100nm。