高功率晶片电阻的制作方法

1.本发明涉及一种晶片电阻，特别是涉及一种高功率晶片电阻。


背景技术：

2.晶片电阻目前已被广泛地设置在各种电子产品中，用于提供预定的电阻值，其结构一般是使用金属合金作为电阻层，并在其相对两侧边形成电极后，便进行封装而制成晶片电阻。
3.然而，在现有的晶片电阻结构中，当电流在电阻层上通过时，便会让晶片电阻的温度提高，且没有其它散热结构，容易导致晶片电阻温度过高而出现漂移的现象，使晶片电阻的电阻值不稳定；另外，晶片电阻在单一面积内的功率也会因为高温的影响而受局限。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种高功率晶片电阻。
5.本发明所述的高功率晶片电阻，包含电阻本体及两个电极；其特征在于：该电阻本体包括电阻层、金属散热层、金属导热层及绝缘单元，该金属散热层设置在该电阻层的其中一侧，并包括两片彼此间隔而不相连接的金属散热片，该金属导热层设置在该电阻层反向该金属散热层的一侧，并包括两片彼此间隔而不相连接的金属导热片，该绝缘单元位于该电阻层、该金属散热层，及该金属导热层之间，所述电极分别设置在该电阻本体的相反两侧边，且每一个电极对应由该金属散热层延伸至该金属导热层，且让电流能由其中一个电极经该电阻层传输至其中另一个电极。
6.本发明所述的高功率晶片电阻，该绝缘单元包括位于该电阻层与该金属散热层之间并延伸至所述金属散热片之间的第一绝缘隔离层，及位于该电阻层与该金属导热层之间并延伸至所述金属导热片之间的第二绝缘隔离层，且该第一绝缘隔离层与该第二绝缘隔离层分别让该电阻层、该金属散热层，及该金属导热层相对两侧部分露出，所述电极通过露出部分分别对应电连接该电阻层、该金属散热层及该金属导热层。
7.本发明所述的高功率晶片电阻，所述金属散热片及所述金属导热片分别具有间隙，使其彼此间隔而不相连接，所述间隙对应沿相同方向延伸，每一个电极为电连接其中一金属散热片及其中一金属导热片，令电流不会由其中一电极经所述金属散热片及所述金属导热片传输至其中另一电极。
8.本发明所述的高功率晶片电阻，该第一绝缘隔离层覆盖所述金属散热片反向该电阻层的表面。
9.本发明所述的高功率晶片电阻，所述电极的一端延伸覆盖该金属导热层的部分表面。
10.本发明所述的高功率晶片电阻，还包括位于所述电极之间并覆盖在该金属导热层反向该电阻层的表面的绝缘保护层。
11.本发明所述的高功率晶片电阻，每一个电极包括电极块、第一外焊层及第二外焊
层，该电极块电连接该电阻层、该金属散热层及该金属导热层，该第一外焊层包覆该电极块，该第二外焊层包覆该第一外焊层。
12.本发明的有益效果在于：在该电阻层的相反两侧设置该金属散热层与该金属导热层，通过该金属导热层的设置，能提升该高功率晶片电阻运作时的耐功率，且相反侧的该金属散热层能在该高功率晶片电阻运作时增进其散热效率，用于降低元件整体的温度。
附图说明
13.图1是一立体示意图，说明本发明高功率晶片电阻的一实施例；
14.图2是一剖视图，是由图1直线ii-ii剖面所得的侧视图，辅助说明本发明高功率晶片电阻的该实施例；
15.图3是一立体示意图，说明该实施例的一电阻层、一金属散热层，及一金属导热层之间的态样；
16.图4是一热影像图，说明现有晶片电阻在运作时的热影像图；及
17.图5是一热影像图，说明该实施例在运作时的热影像图。
具体实施方式
18.下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
19.参阅图1至图3，本发明高功率晶片电阻，包含一电阻本体2、两个分别设置在该电阻本体2相反两侧边的电极3，及一设置在所述电极3之间的绝缘保护层4；其中，该电阻本体2包括一电阻层21、设置在该电阻层21两相反侧的一金属散热层22与一金属导热层23，及一位于该电阻层21、该金属散热层22，与该金属导热层23之间的绝缘单元24。
20.具体地说，该电阻层21的形状并没有限制，在本实施例中，该电阻层21是以矩形为例做说明，而适用于构成本实施例的该电阻层21的材料则可选自例如锰铜合金、镍铜合金、镍铬合金、镍铬铝合金，或铁铬铝合金等合金材料。
21.该金属散热层22设置在该电阻层21的其中一侧，并包括两片彼此间隔不相连而具有间隙200的金属散热片221；该金属导热层23则设置在该电阻层21反向该金属散热层22的其中另一侧，并包括两片彼此间隔不相连而具有间隙200的金属导热片231。在本实施例中，所述金属散热片221与所述金属导热片231的所述间隙200对应地沿相同方向延伸。
22.该绝缘单元24位于该电阻层21、该金属散热层22、该金属导热层23、所述金属散热片221，及所述金属导热片231之间。较佳地，该绝缘单元24包括一位于该电阻层21与该金属散热层22之间并延伸至所述金属散热片221之间的第一绝缘隔离层241，及一位于该电阻层21与该金属导热层23之间并延伸至所述金属导热片231之间的第二绝缘隔离层242，且该第一绝缘隔离层241与该第二绝缘隔离层242分别让该电阻层21、该金属散热层22，及该金属导热层23相对两侧部分露出。
23.更佳地，在本实施例中，该第一绝缘隔离层241覆盖所述金属散热片221反向该电阻层21的表面，以在露出所述金属散热片221的相对两侧之外，而包覆所述金属散热片221其他部分，并用于与该电阻层21隔绝；该第二绝缘隔离层242则是除了让相对两侧露出外，也让所述金属导热片231反向该电阻层21的表面露出。
24.所述电极3分别对应设置在露出部分而分别对应电连接该电阻层21、该金属散热
层22，及该金属导热层23，且每一个电极3对应由该金属散热层22延伸至该金属导热层23，并进一步让所述电极3的一端延伸覆盖该金属导热层23反向该电阻层21露出的部分表面，使电流能由其中一电极3经该电阻层21传输至其中另一电极3，但因所述间隙200的存在，使得电流不会由其中一电极3经所述金属散热片221及所述金属导热片231传输至其中另一电极3。
25.详细地说，每一个电极3包括一电极块31、一第一外焊层32，及一第二外焊层33；该电极块3电连接该电阻层21、该金属散热层22，及该金属导热层23，该第一外焊层32包覆该电极块31，该第二外焊层33包覆该第一外焊层32。在本实施例中，让所述电极块31部分延伸至该金属导热层23的部分表面，且位于该金属导热层23表面的所述电极块31部分厚度较厚，而适用于电连接至外部的电路板(图未示)。该绝缘保护层4位于所述电极3之间并覆盖在该金属导热层23反向该电阻层21的表面。
26.适用于本实施例的所述电极块31可由金属铜所构成，而所述第一外焊层32与所述第二外焊层33则分别是由镍(ni)与锡(ti)所构成，但不限于此。
27.本发明高功率晶片电阻是以该金属导热层23一侧通过所述电极3电连接至电路板上，由于该金属导热层23是邻近该电路板设置，因此，会最先经所述电极3将该电阻层21产生的热能传导至电路板，从而能辅助提升整体元件的耐功率。
28.配合参阅图4与图5，图4是现有晶片电阻没有设置金属散热层的结构，在运作时的热影像图，而图5则是本实施例设有该金属散热层22，在运作时的热影像图。本实施例在反向该金属导热层23的一侧设置该金属散热层22(也就是在该电阻层21的上表面)，以在该高功率晶片电阻运作时，增进其散热效率，用于降低元件整体的温度，由图4与图5的热影像图可知，本实施例设置该金属散热层22后，其运作时的表面温度明显较现有晶片电阻(无设置金属散热层)降低20℃。
29.要说明的是，通过两片金属散热片221构成该金属散热层22，及两片金属导热片231构成该金属导热层23，使其具有该间隙200，能避免电流由其中一电极3传输至其中另一电极3而导致短路。
30.综上所述，本发明高功率晶片电阻，在该电阻层21的相反两侧分别设置该金属散热层22与该金属导热层23，通过让该金属导热层23邻近电路板地设置，能提升该高功率晶片电阻运作时的耐功率，并在其相反侧设置该金属散热层22，能在该高功率晶片电阻运作时增进其散热效率，用于降低元件整体的温度，所以确实能达成本发明的目的。