技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：于一鳍片结构中形成多个纳米结构通道区；沉积一高介电常数栅极介电层，该高介电常数栅极介电层围绕所述纳米结构通道区；对该高介电常数栅极介电层的多个第一部分与多个第二部分选择性地进行使用一稀土金属基掺质的一第一掺杂制程，其中该第一掺杂制程以一第一稀土金属基掺质浓度掺杂该高介电常数栅极介电层的所述第一部分与所述第二部分；对该高介电常数栅极介电层的所述第一部分与该高介电常数栅极介电层的多个第三部分择性地进行使用该稀土金属基掺质的一第二掺杂制程，其中该第二掺杂制程以一第二稀土金属基掺质浓度掺杂该高介电常数栅极介电层的所述第一部分与所述第三部分，该第二稀土金属基掺质浓度与该第一稀土金属基掺质浓度不同；于该高介电常数栅极介电层上沉积一功函数金属层；以及于该功函数金属层上沉积一栅极金属填充层。
技术总结
本发明实施例揭示一种具有不同栅极结构组态的半导体装置以及一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：沉积围绕纳米结构通道区的高介电常数介电层；使用稀土金属基掺质并以第一稀土金属基掺质浓度对高介电常数介电层的第一部分与第二部分进行第一掺杂步骤；以及使用稀土金属基掺质并以第二稀土金属基掺质浓度对高介电常数介电层的第一部分与第三部分进行第二掺杂步骤，第二稀土金属基掺质浓度与第一稀土金属基掺质浓度不同。半导体的制造方法还包括于高介电常数介电层上沉积功函数金属层以及于功函数金属层上沉积栅极填充层。积栅极填充层。积栅极填充层。
技术研发人员：郑振辉 陈冠仲 刘昌淼
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.03.31
技术公布日：2021/10/7