1.一种norflashcell区域控制栅回刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1)控制栅多晶硅沉积；
s2)光刻定义cell区域，打开cell区域，去除cell区域光刻胶，保留外围区域光刻胶；
s3)刻蚀去除部分多晶硅，降低cell区域多晶硅的整体高度；
s4)通过光刻和刻蚀工艺，定义cell区域drain端以及gate端，执行后续工艺。
2.如权利要求1所述的norflashcell区域控制栅回刻方法，其特征在于：
实施步骤s2)时，涂覆抗反射涂层后涂覆负性光刻胶，利用第一掩模版曝光、显影定义cell区域图形。
3.如权利要求1所述的norflashcell区域控制栅回刻方法，其特征在于：
实施步骤s2)时，涂覆抗反射涂层后涂覆正性光刻胶，利用第二掩模版曝光、显影定义cell区域图形。
4.如权利要求1所述的norflashcell区域控制栅回刻方法，其特征在于：
步骤s3)中，降低cell区域多晶硅的整体高度后，cell区域多晶硅高度和外围区域多晶硅高度差小于等于450埃。
5.一种用于执行权利要求1-4任意一项所述norflashcell区域控制栅回刻方法中步骤的计算机可读存储介质。
6.一种norflashcell区域控制栅回刻工艺控制模块，其能集成于半导体机台，其特征在于，其控制半导体机台执行以下步骤；
s1)控制栅多晶硅沉积；
s2)光刻定义cell区域图形，打开cell区域，去除cell区域光刻胶，保留外围区域光刻胶；
s3)刻蚀去除部分多晶硅，降低cell区域多晶硅的整体高度；
s4)通过光刻和刻蚀工艺，定义cell区域drain端以及gate端，执行后续工艺。
7.如权利要求6所述的norflashcell区域控制栅回刻工艺控制模块，其特征在于：
实施步骤s2)时，涂覆抗反射涂层后涂覆负性光刻胶，利用第一掩模版曝光、显影定义cell区域图形。
8.如权利要求6所述的norflashcell区域控制栅回刻工艺控制模块，其特征在于：
实施步骤s2)时，涂覆抗反射涂层后涂覆正性光刻胶，利用第二掩模版曝光、显影定义cell区域图形。
9.如权利要求6-8任意一项所述的norflashcell区域控制栅回刻工艺控制模块，其特征在于：步骤s3)中，降低cell区域多晶硅的整体高度后，cell区域多晶硅高度和外围区域多晶硅高度差小于等于450埃。