技术特征：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成叉板结构；在所述叉板结构附近形成电源轨接触件；在所述电源轨接触件上形成隔离区，所述叉板结构从所述隔离区突出；在所述叉板结构中生长第一源极/漏极区；在所述第一源极/漏极区上沉积层间电介质(ild)；以及形成穿过所述ild和所述隔离区的源极/漏极接触件，所述源极/漏极接触件连接到所述第一源极/漏极区和所述电源轨接触件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述叉板结构包括第一纳米结构、第二纳米结构以及在所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间的电介质壁，所述第一源极/漏极区邻接所述第一纳米结构，所述方法还包括：在所述叉板结构中生长第二源极/漏极区，所述第二源极/漏极区邻接所述第二纳米结构，所述电介质壁设置在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述第一纳米结构周围形成第一栅极结构；和在所述第二纳米结构周围形成第二栅极结构，所述第二栅极结构连接到所述第一栅极结构。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一纳米结构、所述第二纳米结构和所述电介质壁在第一方向上具有平行的纵轴，并且所述电介质壁在第二方向上设置在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间，所述第一方向垂直于所述第二方向。5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电源轨接触件包括：在所述叉板结构上和所述叉板结构附近沉积导电层；和去除所述叉板结构上的所述导电层的部分，所述电源轨接触件包括邻近所述叉板结构的保留的所述导电层的部分。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述隔离区包括：在所述叉板结构和所述电源轨接触件上沉积电介质层；和去除所述叉板结构上的所述电介质层的部分，所述隔离区包括所述电介质层的保留在电源轨上的部分。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述叉板结构包括：形成从所述衬底延伸的第一鳍结构和第二鳍结构；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上方和所述第一鳍结构与所述第二鳍结构之间沉积电介质层；和去除所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上方的所述电介质层的部分以形成电介质壁，所述电介质壁包括所述电介质层的保留在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间的部分。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述隔离区上形成电介质鳍，在生长所述第一源极/漏极区之后，将所述第一源极/漏极区与所述电介质鳍分离；和在生长所述第一源极/漏极区之后，在所述电介质鳍和所述第一源极/漏极区之间沉积电介质层，所述ild沉积在所述电介质层上。
9.一种半导体器件，包括：电源轨接触件；隔离区，位于所述电源轨接触件上；第一电介质鳍，位于所述隔离区上；第二电介质鳍，邻近所述隔离区和所述电源轨接触件；第一源极/漏极区，位于所述第二电介质鳍上；以及源极/漏极接触件，位于所述第一源极/漏极区和所述第一电介质鳍之间，所述源极/漏极接触件接触所述第一源极/漏极区的顶表面、所述第一源极/漏极区的侧表面和所述电源轨接触件的顶表面。10.一种半导体器件，包括：第一互连结构，包括金属化图案；第二互连结构，包括电源轨线；器件层，位于所述第一互连结构和所述第二互连结构之间，所述器件层包括：晶体管，包括源极/漏极区；电源轨接触件，连接到所述电源轨线；和源极/漏极接触件，连接到所述电源轨接触件、所述源极/漏极区和所述金属化图案。
技术总结
本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：电源轨接触件；位于电源轨接触件上的隔离区；位于隔离区上的第一电介质鳍；邻近隔离区和电源轨接触件的第二电介质鳍；位于第二电介质鳍上的第一源极/漏极区；位于第一源极/漏极区和第一电介质鳍之间的源极/漏极接触件，源极/漏极接触件连接到第一源极/漏极区和电源轨接触件。件。件。
技术研发人员：苏焕杰 庄正吉 张尚文 邱奕勋 王培宇 蔡庆威 王志豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.05.26
技术公布日：2021/9/6