技术特征：
1.一种氮化物材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在衬底上低温生长含in的氮化物形核层；高温退火刻蚀，所述含in的氮化物形核层中in脱附，形成均匀分布的氮化物形核层岛；在所述氮化物形核层岛上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长gan基材料；在所述gan基材料上生长功能层。2.如权利要求1所述的氮化物材料的制备方法，其特征在于，所述衬底包括单晶衬底、复合模板衬底、柔性衬底中的任一种。3.如权利要求1所述的氮化物材料的制备方法，其特征在于，在衬底上低温生长含in的氮化物形核层中，所述含in的氮化物形核层的生长温度为400
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1200℃。4.如权利要求1所述的氮化物材料的制备方法，其特征在于，所述氮化物形核层的氮化物外延生长工艺包括金属有机物化学气相沉淀外延沉积、分子束外延沉积、脉冲激光沉积、磁控溅射沉积、电子束蒸发沉积、化学气相沉积中的任一种。5.如权利要求1所述的氮化物材料的制备方法，其特征在于，所述含in的氮化物形核层包括ingan、inaln、inbn、inalgan中的任一种。6.如权利要求1所述的氮化物材料的制备方法，其特征在于，所述含in的氮化物形核层的厚度为0
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10000nm。7.如权利要求1所述的氮化物材料的制备方法，其特征在于，所述高温退火刻蚀，退火温度为900
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1800℃，时间0
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20000s。8.如权利要求1所述的氮化物材料的制备方法，其特征在于，所述缓冲层包括gan、aln、algan、inn、inaln、ingan，厚度为0
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10000nm。9.如权利要求1所述的氮化物材料的制备方法，其特征在于，所述gan基材料包括gan、inn、inaln、ingan、algan等氮化物材料，厚度为0
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100000nm。10.一种氮化物半导体器件，其特征在于，利用如权利要求1
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9任一项所述的氮化物材料的制备方法获得的氮化物材料制备。
技术总结
本发明提供了一种氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件，属于半导体材料制备技术领域，所述方法包括以下步骤：在衬底上低温生长含In的氮化物形核层；高温退火刻蚀，含In的氮化物形核层中In脱附，形成均匀分布的氮化物形核层岛；在氮化物形核层岛上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN基材料；在GaN基材料上生长功能层。本发明提供的氮化物材料的制备方法，可以获得均匀分布的氮化物形核层，有利于提高材料晶体质量，此外制备的均匀性更好的氮化物材料，可以提高器件成品率及均一性，该发明尤其适用于4英寸及更大尺寸外延材料制备。适用于4英寸及更大尺寸外延材料制备。适用于4英寸及更大尺寸外延材料制备。
技术研发人员：郭艳敏 尹甲运 李佳 王波 张志荣 芦伟立 高楠 房玉龙 冯志红
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2021/11/8