技术特征：
1.一种微型led芯片与控制基板激光共晶焊接装置，其特征在于，利用激光同时将微型led芯片(1)中多个led晶片与控制基板(2)焊接到一起；所述微型led芯片(1)包括芯片基板(15)以及固定于所述芯片基板(15)上的多个led晶片(11)；多个led晶片(11)具有共同的第一负电极(12)，且多个led晶片(11)分别具有独立的第一正电极(13)；所述控制基板(2)位于所述微型led芯片(1)的下方，其包括控制基板主体(21)以及位于所述控制基板主体(21)上的多个第二正电极(22)和一个第二负电极(23)；所述激光共晶焊接装置包括：负压吸附单元(4)，其用于吸取所述微型led芯片(1)，并将其放置在所述控制基板(2)上；激光发射系统(6)，其位于所述微型led芯片(1)上方，其通过发射激光对多个所述第一正电极(13)和多个所述第二正电极(22)、以及一个所述第一负电极(12)和一个所述第二负电极(23)的焊接点加热，完成同时共晶焊接。2.根据权利要求1所述的微型led芯片的激光共晶焊接装置，其特征在于，所述第二正电极(22)的数量等于所述第一正电极(13)的数量；且所述第一正电极(13)与所述第二正电极(22)的位置对应，精度偏差小于0.7μm；所述第一负电极(12)和所述第二负电极(23)均为一个，且成面状，多个所述led晶片(11)以共阴极的方式电连接到所述控制基板(2)上。3.根据权利要求1所述的激光共晶焊接装置，其特征在于，所述激光共晶焊接装置还包括图像采集单元(3)，其用于采集所述微型led芯片(1)和所述控制基板(2)的图像，所述图像采集单元(3)与外界电脑主机连接，可以将采集到的图像发送到外界电脑主机；所述图像采集单元(3)包括多个ccd相机。4.根据权利要求1所述的激光共晶焊接装置，其特征在于，所述负压吸附单元(4)包括负压吸附单元主体(41)、抽气口(42)和负压吸附孔(43)，所述抽气口(42)处连接有抽气装置，抽出所述负压吸附单元主体(41)内的空气，使所述负压吸附孔(43)处为负压环境，进而产生吸力，吸取所述微型led芯片(1)。5.根据权利要求4所述的激光共晶焊接装置，其特征在于，所述负压吸附单元主体(41)是透明的，选自石英、玻璃等透明材质；所述负压吸附孔(43)分布在所述芯片基板(15)的显示区域外的四周，且避开对位靶标点位置，占面积小于所述芯片基板(15)的面积。6.根据权利要求1所述的激光共晶焊接装置，其特征在于，所述芯片基板(15)上还具有第一对位靶标(14)，所述控制基板主体(21)上具有第二对位靶标(24)；所述第一对位靶标(14)和所述第二对位靶标(24)匹配，使得所述微型led芯片(1)和所述控制基板(2)对应，进而使得所述第一正电极(13)与所述第二正电极(22)电连接，所述第一负电极(12)与所述第二负电极(23)电连接。7.根据权利要求6所述的激光共晶焊接装置，其特征在于，所述第一对位靶标(14)为一个小正方形，所述第二对位靶标(24)为四个分离的小正方形，其中四个分离的小正方形又两两并列形成中间具有空“十”字形的大正方形，四个分离的小正方形分别位于大正方形的四个角，所述第一对位靶标(14)的小正方形刚好可以装进空“十”字形的十字交叉点，且与外围的每一个所述第二对位靶标(24)的小正方形之间的间隙相等。8.根据权利要求1所述的激光共晶焊接装置，其特征在于，所述激光共晶焊接装置还包
括精准对位平台(5)，所述精准对位平台(5)可以控制所述控制基板(2)在x、y、z、θ轴移动对位；所述精准对位平台(5)也与外界的电脑主机连接，首先通过所述第一对位靶标(14)和所述第二对位靶标(24)使得所述微型led芯片(1)和所述控制基板(2)在位置上对应，所述图像采集单元(3)采集所述第一对位靶标(14)和所述第二对位靶标(24)处的图像，并将该图像信息反馈到外界的电脑主机，电脑主机根据该图像信息和设定值，通过调控精准对位平台(5)，进一步对所述第一对位靶标(14)和所述第二对位靶标(24)的位置进行调整。9.一种微型led芯片与控制基板激光共晶焊接方法，其特征在于，使用权利要求1
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8任一项所述的激光共晶焊接装置，包括如下步骤：a、所述负压吸附单元(4)吸取所述微型led芯片(1)，并将其放置在所述控制基板(2)上；b、所述微型led芯片(1)与所述控制基板(2)对位并贴装在一起；c、激光共晶焊接系统(6)工作对焊接点加热并完成焊接。10.根据权利要求9所述的微型led芯片与控制基板激光共晶焊接方法，其特征在于，通过图像采集单元(3)和精准对位平台(5)完成所述微型led芯片(1)与所述控制基板(2)的对位。
技术总结
本发明公开一种微型LED芯片与控制基板激光共晶焊接装置，利用激光同时将微型LED芯片(1)中多个LED晶片与控制基板(2)焊接到一起；激光共晶焊接装置包括：负压吸附单元(4)，其用于吸取微型LED芯片(1)，并将其放置在控制基板(2)上；激光发射系统(6)，其位于微型LED芯片(1)上方，其通过发射激光对多个第一正电极(13)和多个第二正电极(22)、以及一个第一负电极(12)和一个第二负电极(23)的焊接点加热，完成同时共晶焊接。本发明采用激光加热温度可以精确控制加热区域温度，实现Micro LED模块化转移共晶焊接，避免了单颗MicroLED单颗转移共晶焊接点二次融化。同时本发明以MicroLED模块化以阵列的形式转移共晶焊接速度快，有效提高了共晶速度。了共晶速度。了共晶速度。
技术研发人员：林俊荣 王宏 吕河江
受保护的技术使用者：乙力国际股份有限公司
技术研发日：2021.06.22
技术公布日：2021/9/27