技术特征：
1.一种有机中介层，包括：多个介电材料层，内埋多个重分布互连结构；多个封装侧凸块结构，位于所述介电材料层的一第一侧，并连接到所述重分布互连结构中的一封装侧子集；多个晶粒侧凸块结构，位于所述介电材料层的一第二侧，并连接到所述重分布互连结构中的一晶粒侧子集，其中，所述晶粒侧凸块结构包括位于一第一区域中的多个第一晶粒侧凸块结构和位于一第二区域中的多个第二晶粒侧凸块结构，在一平面图中，该第二区域与该第一区域横向地间隔开一间隙区域，在该间隙区域中没有任何晶粒侧凸块结构；以及多个应力减轻线路结构，位于在该平面图中在该间隙区域的范围内的所述介电材料层之上或之内，其中，所述应力减轻线路结构与所述封装侧凸块结构、所述重分布互连结构和所述晶粒侧凸块结构中之一者包括相同的材料且位于相同的水平高度。2.如权利要求1所述的有机中介层，其中，所述应力减轻线路结构中的每一者包括沿各自的水平方向横向地延伸的多个直线段部，并且不电性连接到所述重分布互连结构。3.如权利要求1所述的有机中介层，其中，所述应力减轻线路结构中的每一者包括：多个第一直线段部，沿一第一水平方向横向地延伸；以及多个第二直线段部，沿不同于该第一水平方向的一第二水平方向横向地延伸。4.如权利要求2所述的有机中介层，其中，所述直线段部通过具有弯曲侧壁的多个曲线段部相互连接。5.如权利要求1所述的有机中介层，其中：所述应力减轻线路结构包括沿一第一水平方向横向地延伸的多个第一应力减轻线路结构和沿一第二水平方向横向地延伸的多个第二应力减轻线路结构；以及所述应力减轻线路结构布置为一互连网，其中所述第一应力减轻线路结构和所述第二应力减轻线路结构以网格图案形式邻接。6.如权利要求1所述的有机中介层，其中：所述介电材料层包括一晶粒侧介电材料层；所述晶粒侧凸块结构各自包括与该晶粒侧介电材料层的一水平面接触的水平面；所述应力减轻线路结构与该晶粒侧介电材料层的该水平面接触；以及所述应力减轻线路结构具有与所述晶粒侧凸块结构相同的材料组成和相同的厚度。7.如权利要求1所述的有机中介层，其中：所述介电材料层包括一封装侧介电材料层，该封装侧介电材料层内埋所述封装侧凸块结构和所述应力减轻线路结构；以及所述封装侧凸块结构的水平面和不与所述介电材料层或所述重分布互连结构接触的所述应力减轻线路结构的水平面位于同一水平平面内。8.如权利要求1所述的有机中介层，其中，所述应力减轻线路结构内埋在所述介电材料层内，并位于一第一水平平面与一第二水平平面之间，该第一水平平面包括所述封装侧凸块结构与所述重分布互连结构中的一第一子集之间的界面，该第二水平平面包括所述晶粒侧凸块结构与所述重分布互连结构中的一第二子集之间的界面。9.一种有机中介层，包括：多个介电材料层，内埋多个重分布互连结构；
多个封装侧凸块结构，位于所述介电材料层的一第一侧，并连接到所述重分布互连结构中的一封装侧子集；多个晶粒侧凸块结构，位于所述介电材料层的一第二侧，并连接到所述重分布互连结构中的一晶粒侧子集，其中，所述晶粒侧凸块结构包括位于一第一区域中的多个第一晶粒侧凸块结构和位于一第二区域中的多个第二晶粒侧凸块结构，在一平面图中，该第二区域与该第一区域横向地间隔开一间隙区域，在该间隙区域中没有任何晶粒侧凸块结构；以及多个应力减轻线路结构，位于在该平面图中在该间隙区域的范围内的所述介电材料层之上或之内，其中，所述应力减轻线路结构与从所述封装侧凸块结构、所述重分布互连结构和所述晶粒侧凸块结构中选择的一金属部件位于相同的水平高度；以及其中，所述应力减轻线路结构包括与该金属部件不同的材料。10.一种形成有机中介层的方法，包括：在一载体基板上方形成内埋在一封装侧介电材料层内的多个封装侧凸块结构；在所述封装侧凸块结构上方形成多个互连级介电材料层和多个重分布互连结构；在所述互连级介电材料层上方形成一晶粒侧介电材料层；在该晶粒侧介电材料层上方形成多个晶粒侧凸块结构，其中，所述晶粒侧凸块结构包括位于一第一区域中的多个第一晶粒侧凸块结构和位于一第二区域中的多个第二晶粒侧凸块结构，在一平面图中，该第二区域与该第一区域横向地间隔开一间隙区域，在该间隙区域中没有任何晶粒侧凸块结构；以及在该平面图中在该间隙区域的范围内的该封装侧介电材料层、所述互连级介电材料层或该晶粒侧介电材料层中的一者之内或之上形成多个应力减轻线路结构，其中，所述应力减轻线路结构中的每一者包括沿各自的水平方向横向地延伸的多个直线段部，并且所述应力减轻线路结构具有选自以下的至少一特征：所述应力减轻线路结构不电性连接到所述重分布互连结构；以及所述应力减轻线路结构与所述封装侧凸块结构或所述晶粒侧凸块结构位于相同的水平高度。
技术总结
一种有机中介层及其制造方法，该有机中介层包括内埋重分布互连结构的介电材料层、位于介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构、以及位于介电材料层的第二侧的晶粒侧凸块结构。在包括第一晶粒侧凸块结构的第一区域与包括第二晶粒侧凸块结构的第二区域之间存在间隙区域。应力减轻线路结构位于在平面图中在间隙区域的范围内的介电材料层之上或之内。每个应力减轻线路结构包括沿各自的水平方向横向地延伸的多个直线段部，并且不电性连接到重分布互连结构。应力减轻线路结构可以包括与位于相同水平高度的重分布互连结构或凸块结构的金属材料相同或不同的材料。料相同或不同的材料。料相同或不同的材料。
技术研发人员：廖莉菱 游明志 许佳桂 叶书伸 林柏尧 郑心圃
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2022/2/28