技术特征：
1.一种从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，其特征在于，双层石墨烯电子传输层封装在上下两层六角氮化硼之间，构成范德瓦尔斯异质结；所述异质结下方放置了石墨作为背栅，异质结上方放置石墨烯作为顶栅，异质结两侧搭载有源极和漏极。2.根据权利要求1所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，其特征在于，所述源极和漏极采用由70nm厚的铬/金层。3.根据权利要求1或2所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，其特征在于，所述源极和漏极通过一维电接触技术搭载在异质结两侧。4.根据权利要求3所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，其特征在于，所述一维电接触技术包括刻蚀和热蒸镀。5.根据权利要求1所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，其特征在于，所述双层石墨烯光电探测器放置在绝缘衬底上。6.根据权利要求5所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，其特征在于，所述绝缘衬底的材质为sio2。7.根据权利要求5或6所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，其特征在于，所述绝缘衬底的厚度为几十到几百纳米。8.根据权利要求1所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，其特征在于，所述双层石墨烯光电探测器放在光学低温恒容器的真空环境中，测量温度为4k～77k，源极和漏极之间的偏置电压为1～10mv。
技术总结
本发明公开了一种从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器，双层石墨烯电子传输层封装在上下两层六角氮化硼之间，构成范德瓦尔斯异质结；所述异质结下方放置了石墨作为背栅，异质结上方放置石墨烯作为顶栅，异质结两侧搭载有源极和漏极。本发明利用BN封装并且石墨烯透明顶栅和石墨背栅构成双栅调控，有效地提高石墨烯的载流子浓度和迁移率，极大地提高了石墨烯器件的光电响应。通过电场调控使双层石墨烯打开带隙，并且能够续调控带隙0
技术研发人员：王雷 刘义俊 陈以威 黄焱
受保护的技术使用者：南京大学
技术研发日：2021.07.20
技术公布日：2021/10/23