技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和goa区，所述goa区包括顶栅型晶体管，所述顶栅型晶体管包括依次设置的第一有源层、第一栅极、桥接层和第一源漏极，所述显示区包括底栅型晶体管，所述底栅型晶体管包括依次设置的第二栅极、第二有源层和第二源漏极；所述第一栅极与所述第二栅极同层设置，所述第一源漏极与所述第二源漏极同层设置，所述第一源漏极通过所述桥接层与所述第一有源层连接，所述桥接层与所述第二有源层同层设置。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和层间介质层；所述栅极绝缘层位于所述第一有源层与所述第一栅极之间，所述层间介质层位于所述栅极绝缘层和所述第一栅极上；所述栅极绝缘层和所述层间介质层中设有开口，所述桥接层位于所述层间介质层上，并通过所述开口与所述第一有源层连接，所述第一源漏极位于所述层间介质层和所述桥接层上。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区还包括触控走线，所述触控走线与所述第一源漏极、所述第二源漏极同层设置。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区还包括公共电极和像素电极；所述公共电极位于所述第二源漏极背离所述第二栅极的一侧，所述像素电极位于所述公共电极背离所述第二源漏极的一侧；所述像素电极分别与所述公共电极、所述触控走线、所述第二源漏极连接。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述底栅型晶体管为igzo晶体管，所述顶栅型晶体管为ltps晶体管。6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的阵列基板。7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括显示区和goa区，所述方法包括：在goa区中形成第一有源层；在所述第一有源层的一侧形成第一金属层，所述第一金属层包括位于所述goa区中的第一栅极，以及位于所述显示区中的第二栅极；在所述第一金属层背离所述第一有源层的一侧形成半导体层，所述半导体层包括位于所述goa区中的桥接层，以及位于所述显示区中的第二有源层，且所述桥接层与所述第一有源层连接；在所述半导体层背离所述第一金属层的一侧形成第二金属层，所述第二金属层包括位于所述goa区的第一源漏极，以及位于所述显示区中的第二源漏极，且所述第一源漏极与所述桥接层连接。8.如权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一有源层的一侧形成第一金属层之前，还包括：在所述第一有源层上形成栅极绝缘层，所述第一金属层位于所述栅极绝缘层上；所述在所述第一金属层背离所述第一有源层的一侧形成半导体层，包括：
在所述栅极绝缘层和所述第一金属层上形成层间介质层；在所述goa区中的栅极绝缘层和层间介质层中开设开口，以裸露所述第一有源层；在所述层间介质层上形成半导体层，使所述goa区中的半导体层延伸至所述开口的侧壁和底部，以构成与所述第一有源层连接的所述桥接层，并使所述显示区中的半导体层构成所述第二有源层。9.如权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述层间介质层上形成半导体层之前，还包括：对所述开口中的氧化物进行清洗，所述氧化物由裸露的第一有源层氧化形成。10.如权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二金属层还包括位于所述显示区中的触控走线。
技术总结
本申请公开了一种阵列基板、显示面板及其制作方法。所述阵列基板包括显示区和GOA区，所述GOA区包括顶栅型晶体管，所述顶栅型晶体管包括依次设置的第一有源层、第一栅极、桥接层和第一源漏极，所述显示区包括底栅型晶体管，所述底栅型晶体管包括依次设置的第二栅极、第二有源层和第二源漏极；所述第一栅极与所述第二栅极同层设置，所述第一源漏极与所述第二源漏极同层设置，所述第一源漏极通过所述桥接层与所述第一有源层连接，所述桥接层与所述第二有源层同层设置。本申请能够在简化工艺制程的基础上，保证晶体管电性正常，提高晶体管的稳定性。定性。定性。
技术研发人员：刘广辉 艾飞 尹国恒 舒照伟
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2021.07.29
技术公布日：2021/11/4