阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法。


背景技术：

2.随着显示面板的广泛应用，用户对显示面板的需求也是越来越高，因此，显示面板制造行业的竞争也愈发激烈。显示面板从液晶显示面板发展至qned(quantum
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dot nano
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rod electroluminescent di
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ode，量子点纳米棒电致发光二极管)显示面板等类型的显示面板。
3.目前，qned显示面板或基于qned显示面板改进的显示面板，多是采用主动发光阵列和驱动电路分别通过不同的制程形成，即在形成驱动电路形成后，再进行主动发光阵列的制作，但是这种方式会导致制程翻倍，使得产品制造成本高，生产效率低，产品的竞争力弱。


技术实现要素：

4.本技术的目的是提供一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法，通过共用制程形成驱动薄膜晶体管与主动发光阵列，减少制程，进而降低制造成本。
5.本技术公开了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底和多个像素单元，多个所述像素单元设置在所述衬底上，每个所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括驱动薄膜晶体管和主动发光阵列；所述驱动薄膜晶体管和所述主动发光阵列相邻设置在所述衬底上，且所述驱动薄膜晶体管与所述主动发光阵列连接。
6.相对于主动发光阵列与驱动电路通过不同制程形成，导致制程翻倍，制造成本高的方案来说，本技术的阵列基板，通过将驱动薄膜晶体管和主动发光阵列相邻设置在衬底上，相比驱动薄膜晶体管与主动发光阵列上下重叠设置的方式，可以使得阵列基板的厚度减小，实现阵列基板的轻薄化；同时，驱动薄膜晶体管与主动发光阵列之间连接，用于连接驱动薄膜晶体管与主动发光阵列之间的金属层通过采用同一制程制作，使得驱动薄膜晶体管与主动发光阵列之间的金属层连续性更好，避免了不同制程制作产生的质量差异，在驱动薄膜晶体管与主动发光阵列进行电性连接时，出现断线或短路的风险，提高了阵列基板的稳定性。另外，驱动薄膜晶体管与主动发光阵列中的其他膜层也可以共用工艺制程，极大程度的减少工艺制程次数，比如曝光、显影、沉积和蚀刻等制程，进一步降低阵列基板的制造成本，提高生产效率和产能，进而提高了产品的竞争力。
附图说明
7.所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创
造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
8.图1是本技术实施例阵列基板的俯视示意图；
9.图2是本技术图1沿a
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a’方向的剖面示意图；
10.图3是本技术实施例显示面板的示意图；
11.图4是本技术第一实施例的阵列基板的制作流程示意图；
12.图5是本技术第二实施例阵列基板的制作流程示意图；
13.图6是本技术第三实施例阵列基板的制作流程示意图；
14.图7是本技术第三实施例在制造流程中对应图1沿a
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a’方向的膜层变化剖面示意图。
15.其中，100、显示面板；200、阵列基板；210、衬底；220、驱动薄膜晶体管；221、缓冲介质层；222、半导体层；223、绝缘层；224、栅电极；225、第一层间介质层；226、源电极；227、漏电极；228、第二层间介质层；229、平坦化层；230、主动发光阵列；231、第一电极；232、第二电极；233、纳米发光二极管；234、第一接触电极；235、第二接触电极；236、反射层；240、薄膜封装层；250、扫描线；260、数据线；270、开关薄膜晶体管；280、电容；300、颜色转换层；310、子颜色转换层；320、黑矩阵；330、偏光层。
具体实施方式
16.需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本技术可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
17.在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
18.另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本技术的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
19.此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
20.下面参考附图和可选的实施例对本技术作详细说明。
21.图1是本技术实施例阵列基板的俯视示意图，图2是本技术图1沿a
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a’方向的剖面示意图，参考图1和图2可知，本技术公开了一种阵列基板200，所述阵列基板200包括衬底210和多个像素单元，多个像素单元设置在所述衬底210上，每个所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括驱动薄膜晶体管220和主动发光阵列230，所述驱动薄膜晶体管220和所述主动发光阵列230相邻设置在所述衬底210上，且所述驱动薄膜晶体管220与所述主动
发光阵列230连接。
22.相对于主动发光阵列与驱动电路通过不同制程形成，导致制程翻倍，制造成本高的方案来说，本技术在阵列基板200上，通过将驱动薄膜晶体管220和主动发光阵列230相邻设置在衬底210上，相比驱动薄膜晶体管220与主动发光阵列230上下重叠设置的方式，可以使得阵列基板200的厚度减小，实现阵列基板200的轻薄化；同时，驱动薄膜晶体管220与主动发光阵列230之间连接，用于连接驱动薄膜晶体管220与主动发光230之间的金属层通过采用同一制程制作，使得驱动薄膜晶体管220与主动发光阵列230之间的金属层连续性更好，避免了不同制程制作产生的质量差异，在驱动薄膜晶体管220与主动发光阵列230进行电性连接时，出现断线或短路的风险，提高了阵列基板200的稳定性。另外，驱动薄膜晶体管220与主动发光阵列230中的其他膜层也可以共用工艺制程，极大程度的减少工艺制程次数，比如曝光、显影、沉积和蚀刻等制程，进一步降低阵列基板200的制造成本，提高生产效率和产能，进而提高了产品的竞争力。
23.具体地，所述主动发光阵列230包括绝缘层223、第一电极231、第二电极232、纳米发光二极管233、第一层间介质层225、第一接触电极234、第二层间介质层228和第二接触电极235，所述绝缘层223设置在所述衬底210上；所述第一电极231设置在所述绝缘层223上；所述第二电极232设置在所述绝缘层223上，与所述第一电极231间隔设置；所述纳米发光二极管233设置在所述绝缘层223上，且位于所述第一电极231和所述第二电极232之间；所述第一层间介质层225设置在所述第一电极232、所述第二电极232和所述纳米发光二极管233上；所述第一接触电极234设置在所述第一层间介质层225上，位于所述第一电极231和所述纳米发光二极管233之间，且连通所述第一电极231和所述纳米发光二极管233的两极中的一个；所述第二层间介质层228设置在所述第一接触电极234上，且覆盖所述第一层间介质层225裸露的表面；所述第二接触电极235设置在所述第二层间介质层228上，位于所述第二电极232和所述纳米发光二极管233之间，且连通所述第二电极232和所述纳米发光二极管233的两极中未被连接的另一个。
24.本实施方式中，纳米发光二极管233一般设置有多个；多个纳米发光二极管233分别对位设置在第一电极231和第二电极232之间，而多个纳米发光二极管233与第一电极231和第二电极232不直接接触，每个纳米发光二极管233的一端通过第一接触电极234与第一电极231连通，另一端通过第二接触电极235和第二电极232连通，实现信号的传递，一方面，第一电极231和第二电极232起到使多个纳米发光二极管233对位准确的作用，防止喷墨打印过程中多个纳米发光二极管233出现混乱排列，导致相邻纳米发光二极管233出现短接的风险；另一方面，第一电极231和第二电极232分别与第一接触电极234和第二接触电极235连通，还可以提高多个纳米发光二极管233之间的信号稳定性。
25.在阵列基板200的实际应用过程中，驱动薄膜晶体管220可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，本技术以驱动薄膜晶体管220为顶栅结构为例，所述驱动薄膜晶体管220包括缓冲介质层221、半导体层222、栅电极224、源电极226和漏电极227，所述缓冲介质层221设置在所述衬底210和所述绝缘层223之间；所述半导体层222位于所述绝缘层223与所述缓冲介质层221之间；所述栅电极224设置在所述绝缘层223与所述第一层间介质层225之间，且与所述半导体层222位置对应，所述栅电极224在所述衬底210上的正投影面积小于所述半导体层222的正投影面积；所述源电极226设置在所述第一层间介质层225与所述第二层间
介质层228之间，且与所述半导体层222连通；所述漏电极227设置在所述第一层间介质层225与所述第二层间介质层228之间，与所述源电极226相对设置，且与所述半导体层222连通；其中，所述栅电极224与所述第一电极231和所述第二电极232共用同一制程制作；所述源电极226、所述漏电极227和所述第一接触电极234共用同一制程制作，且所述漏电极227和所述第一接触电极234连通。
26.本实施方式中，驱动薄膜晶体管220采用顶栅结构，源电极226和漏电极227与栅电极224之间没有交叠区域，或具有很小的交叠区域，很大程度上抑制或减少了栅电极224与源电极226，和/或栅电极224与漏电极227之间产生的寄生电容，避免了由于电容效应引起的不良现象，比如显示面板显示画面时产生的闪烁现象，使得驱动薄膜晶体管220还具有更好的稳定性。
27.而且，驱动薄膜晶体管220的栅电极224与主动发光阵列230的第一电极231和第二电极232共用同一制程制作，源电极226、漏电极227和第一接触电极234共用同一制程制作，且漏电极226与第一接触电极234连通，各个金属层采用同一制程制作，保证了金属层的连续性和各个位置的均匀性，一方面，避免不同制程制作出现平坦度不一致导致性能差异，或通过不同制程制作，后续将驱动薄膜晶体管220和主动发光阵列230连接在一起而出现的连接效果不好的现象，提高阵列基板200的稳定性；另一方面，驱动薄膜晶体管220和主动发光阵列230的金属层共用同一制程制作，还可以减少各个膜层的制程次数，提高生产效率，降低制造成本。
28.进一步地，阵列基板200中纳米发光二极管233发出的光可以是沿衬底向纳米发光二极管233延伸方向发出，也可以是沿纳米发光二极管233向衬底延伸方向发出，本技术以纳米发光二极管233发出的光沿纳米发光二极管233向衬底210延伸方向发出为例，所述阵列基板200还包括平坦化层229、反射层236和薄膜封装层240，所述平坦化层229设置在所述阵列基板220上，且位于所述驱动薄膜晶体管220和所述主动发光阵列230远离所述衬底210的一侧；所述反射层236设置在所述平坦化层229远离所述阵列基板200的一侧，且与所述主动发光阵列230位置对应；所述薄膜封装层240设置在所述反射层236远离所述平坦化层229的一侧，用于对所述阵列基板200进行封装；所述衬底210对应反射层236设置有透明区域。
29.本实施方式中，在驱动薄膜晶体管220和主动发光阵列230上设置平坦化层229，平坦化层229包括透光材料，以便有效地引导光，使纳米发光二极管233发出的光能向平坦化层229方向发出，在平坦化层229对应主动发光阵列230位置设置反射层236，在衬底210对应反射层236位置设置有透光区域，以使得纳米发光二极管233发出的光经反射层236反射从衬底210处发出。同时在反射层236上设置薄膜封装层240对阵列基板200进行封装，薄膜封装层240同时覆盖驱动薄膜晶体管220与主动发光阵列230，可以采用同一道制作工艺对驱动薄膜晶体管220与主动发光阵列230同时进行封装，减少封装的次数，降低制造成本，还可以避免不同制程产生的质量差异，保证了阵列基板200平整度，同时，提高阵列基板200的生产效率，提升产能。
30.为了提高主动发光阵列230发出的光的利用率，所述平坦化层229对应所述主动发光阵列230的位置设置有穹顶结构，所述穹顶结构在所述衬底210上的正投影完全覆盖所述第一电极231、所述第二电极232和所述纳米发光二极管233在所述衬底210上的正投影；所述反射层236设置在所述穹顶结构上，且所述反射层236在所述衬底210上的正投影面积大
于等于所述穹顶结构的正投影面积。
31.本实施方式中，在平坦化层229对应主动发光阵列230位置设置穹顶结构，相对于其他位置，穹顶结构处的平坦化层229厚度更大，能引导更多的光聚集至穹顶结构，光的集中性更好，将穹顶结构在衬底210上的正投影设置为完全覆盖第一电极231、第二电极232和纳米发光二极管233在衬底210上的正投影，使纳米发光二极管233发出的光利用率更高。
32.同时，将反射层236设置在穹顶结构上，并且反射层236在衬底210上的正投影面积设置为大于等于穹顶结构的正投影面积，使纳米发光二极管233发出的光经平坦化层229透过时，位于穹顶结构之外的光也能够经反射层236返回至衬底210的下方，使光最大程度的经反射层236反射，提高光的利用率。另外，将反射层236在衬底210上的正投影面积设置为等于穹顶结构的正投影面积，可以在提高光的利用率的同时，使光的均匀性更好，并且本实施例中，该穹顶结构的弧度，以纳米发光二极管233发出的光线，经反射后转为平行光最佳。
33.通常主动发光阵列230需要发光，还需要触发驱动薄膜晶体管220工作的开关，因而，所述衬底210上还设置有开关薄膜晶体管270，阵列基板200还包括扫描线250、数据线260和电容280；电容280设置在开关薄膜晶体管270和驱动薄膜晶体管220之间，电容280的一端与开关薄膜晶体管270连接，另一端与驱动薄膜晶体管220连接，通过开关薄膜晶体管270控制驱动薄膜晶体管220的打开与关闭。
34.图3是本技术实施例显示面板的示意图，参考图3可知，本技术还公开了一种显示面板100，包括本技术任意实施例中的阵列基板200，所述阵列基板200还设置有颜色转换层300，所述颜色转换层300设置在所述衬底210远离所述薄膜封装层240的一侧，所述颜色转换层300包括透光区域和遮光区域，所述遮光区域对应所述驱动薄膜晶体管220设置，所述透光区域对应所述主动发光阵列230设置。
35.本实施方式中，显示面板100作为qned显示面板，阵列基板200在衬底210远离薄膜封装层240的一侧设置颜色转换层300，颜色转换层300对应驱动薄膜晶体管220设置遮光区域，以防止驱动薄膜晶体管220处产生漏光现象；对应主动发光阵列230设置透光区域，使得主动发光阵列230经反射后的光完全透过，且经颜色转换层300进行转换，以实现显示目标显示画面，使显示面板100的显示效果更好。颜色转换层300可以是贴合的方式设置在衬底210上，也可以是采用其他工艺制作在衬底210上。
36.当然，颜色转换层300也可以不设置在阵列基板200上，而是单独制作在一个基板上，与阵列基板200可以采用对盒的方式设置。
37.其中，阵列基板200的驱动薄膜晶体管220和主动驱动阵列230采用共用同一制程制作的方式，减少工艺制程次数，还可以减小阵列基板200的厚度，进一步实现显示面板100的轻薄化，从而提高显示面板100的竞争力。
38.通常，在实际使用过程中，纳米发光二极管233可以是发蓝光、白光或其他颜色的光，本技术以纳米发光二极管233发蓝光为例，所述阵列基板200包括红色像素、绿色像素和蓝色像素；所述纳米发光二极管233包括蓝光纳米发光二极管；所述颜色转换层300包括多种颜色的子颜色转换层310，所述子颜色转换层310设置在所述透光区域；所述子颜色转换层310包括红色子颜色转换层和绿色子颜色转换层，所述红色子颜色转换层和所述绿色子颜色转换层均设置有量子点，所述子颜色转换层310对应所述蓝色像素镂空设置，所述红色子颜色转换层对应所述红色像素设置；所述绿色子颜色转换层对应所述绿色像素设置。
39.本实施方式中，纳米发光二极管233为蓝光纳米发光二极管，颜色转换层300包括多种颜色的子颜色转换层310，子颜色转换层310设置在透光区域，子颜色转换层310包括红色子颜色转换层和绿色子颜色转换层，并且子颜色转换层310对应蓝色像素镂空设置，红色子颜色转换层对应红色像素设置，绿色子颜色转换层对应绿色像素设置，绿色子颜色转换层对应和绿色子颜色转换层均设置有量子点，通过量子点将阵列基板200的纳米发光二极管233中发出的蓝光变换为红光和绿光，以实现画面显示。此时，显示面板100作为量子点纳米棒电致发光二极管显示面板。当然，子颜色转换层310也可以设置其他可以将蓝色转换为红色或绿色的物质，或者采用不同颜色的纳米发光二极管233，比如白色，或红色等，同样可以实现显示画面。
40.因而，子颜色转换层310可以与反射层236的位置对应设置，使经反射层236反射出的光能全部通过量子点310进行转换，以实现光最大程度的利用。颜色转换层300还包括黑矩阵320，黑矩阵320作为光隔断膜设置在遮光区域，主要用于防止相邻透光区域之间的光发生混色，以及遮挡阵列基板200上的驱动薄膜晶体管220部分以防止漏光现象，因而黑矩阵320可以设置在颜色转换层300上除子颜色转换层310以外的区域，提高显示面板100的显示效果。
41.其中，本实施例的子颜色转换层310的尺寸小于等于穹顶结构的尺寸，等于的时候，可以保证反射光的最大化利用；而小于的时候，则可以提高光的均匀性，因为穹顶结构边缘处反射的光相对均匀度会差一些，子颜色转换层310设置尺寸小于穹顶结构的尺寸，则可以把这部分光剔除，进而提高光的均匀性。
42.进一步地，所述显示面板100还包括偏光层330，所述偏光层330设置在所述颜色转换层300远离所述阵列基板200的一侧，偏光层330可以采用胶水或双面胶等方式贴附在颜色转换层300的表面，通过偏光层330使通过颜色转换层300发出的光，垂直于颜色转换层300的方向发出，提高显示面板100的显示效果。
43.图4是本技术第一实施例的阵列基板的制作流程示意图，参考图4可知，作为本技术的第一实施例，公开了一种阵列基板的制作方法，包括步骤：
44.s1、提供衬底，将衬底划分为至少包括驱动区域和发光区域；
45.s2、在衬底上形成覆盖驱动区域和发光区域的绝缘层；
46.s3、在绝缘层上沉积第一导电材料，并对第一导电材料进行蚀刻，对应驱动区域形成栅电极，对应发光区域形成相对设置的第一电极和第二电极；
47.s4、在第一电极和第二电极之间形成主动发光层；
48.s5、在驱动区域对应栅电极的位置形成驱动薄膜晶体管，在发光区域对应主动发光层的位置形成主动发光阵列，以得到阵列基板。
49.相对于在驱动电路铺设完成后，形成主动发光阵列，导致制程翻倍，制造成本高的方案来说，本技术在阵列基板的制造过程中，通过采用同一工艺制程，在形成驱动区域驱动薄膜晶体管的栅电极的同时，形成发光区域主动发光阵列的第一电极和第二电极，至少节省一次工艺制程，降低制造成本；同时，形成驱动薄膜晶体管和主动发光阵列中其他各层的过程也可以采用同一制程完成，极大程度的减少工艺制程次数，比如曝光、显影、沉积和蚀刻等制程，进一步降低阵列基板的制造成本，还提高了生产效率，提升产品的产能，进而提高了产品的竞争力。
50.本实施方式中，步骤s1中首先提供一衬底作为阵列基板的制作基板，衬底可以是玻璃基板，将衬底划分为驱动区域a1和发光区域a2；接着在步骤s2中，在衬底上的整个驱动区域和发光区域，采用cvd(化学气相沉积)方法形成一层绝缘层，绝缘层可以是无机绝缘层或有机绝缘层，包括氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)中的任何一种，可由sinx层或siox层中的至少一个构成，即绝缘层可以采用sinx层或siox层单层结构制作，也可以采用由sinx层或siox层中两层或两层以上的多层结构制作，具体的绝缘层的材质，根据栅电极的材质进行选择。
51.在步骤s3中，在绝缘层上沉积第一导电材料，并对第一导电材料进行蚀刻并图案化，对应驱动区域形成驱动薄膜晶体管的栅电极，对应发光区域形成主动驱动阵列的第一电极和第二电极，且第一电极和第二电极相对设置，栅电极、第一电极和第二电极可以采用铜、铝、钼和钛或氧化铟锡等材质中的至少一种或至少两种材质混合的单层结构，也可以是采用铜、铝、钼和钛或氧化铟锡等材质中的至少一种或至少两种形成的两层或两层以上的复合层结构，当然也可以采用其他的电极金属材料制作；完成步骤s3后，进行步骤s4在第一电极和第二电极之间形成主动发光层；接下来步骤s5，在驱动区域对应栅电极的位置形成驱动薄膜晶体管，在发光区域对应主动发光层的位置形成主动发光阵列，以得到阵列基板。
52.本技术的驱动薄膜晶体管可以采用顶栅结构，也可以采用底栅结构，为了更清楚的示意，如下展示采用顶栅结构设计的方案：
53.图5是本技术第二实施例阵列基板的制作流程示意图，参考图5可知，在阵列基板的实际应用过程中，驱动薄膜晶体管主要用于驱动主动发光阵列进行发光，驱动薄膜晶体管可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，相对于底栅结构，顶栅结构中栅电极与源电极和漏电极的交叠区域较少，可以减少栅电极与源电极，和/或栅电极与漏电极之间产生的寄生电容，更稳定地确保驱动薄膜晶体管的性能，优选的，本技术以驱动薄膜晶体管为顶栅结构为例，所述在衬底上形成覆盖驱动区域和发光区域的绝缘层的步骤s2包括：
54.s21、在衬底上沉积缓冲介质材料，形成缓冲介质层；
55.s22、在缓冲介质层上沉积半导体层材料，并对半导体层材料进行蚀刻，对应驱动区域部分蚀刻形成半导体层，对应发光区域完全蚀刻；
56.s23、在半导体层上形成覆盖驱动区域和发光区域的绝缘层。
57.其中，在形成绝缘层前，首先在衬底上沉积缓冲介质材料，形成缓冲介质层，缓冲介质层可以是由两层以上的多层结构组成，采用sinx层或siox层中的至少一个构成；在缓冲介质层上沉积半导体层材料，蚀刻并进行图案化，对应驱动区域形成半导体层，半导体层可以是氧化半导体也可以是多晶硅，且将栅电极在衬底上的正投影面积小于半导体层在衬底上的正投影面积；并在半导体层上进行绝缘层的制作。
58.图6是本技术第三实施例阵列基板的制作流程示意图，图7是本技术第三实施例在制造流程中对应图1沿a
‑
a’方向的膜层变化剖面示意图，结合图5
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图7，作为本技术的第三实施例，为减少阵列基板的制程次数，所述在驱动区域对应栅电极的位置形成驱动薄膜晶体管，在发光区域对应主动发光层的位置形成主动发光阵列，以得到阵列基板的步骤s5包括：
59.s511、在主动发光层上通过印刷喷墨方式形成纳米发光二极管；
60.s512、在纳米发光二极管上沉积第一层间介质层材料，并对第一层间介质层材料
进行蚀刻以形成第一层间介质层，位于栅电极两侧的第一过孔和第二过孔，以及位于第一电极与纳米发光二极管之间的第一接触孔；
61.s513、在第一层间介质层上沉积第二导电材料，并对第二导电材料进行蚀刻，以形成位于第一过孔的源电极、位于第二过孔的漏电极以及位于第一接触孔的第一接触电极，且漏电极与第一接触电极连接；
62.s514、在源电极、漏电极和第一接触电极上沉积第二层间介质层材料，并对第二层间介质层材料进行蚀刻，以形成第二层间介质层，以及位于第二电极与纳米发光二极管之间的第二接触孔；
63.s515、在第二层间介质层上沉积第三导电材料，并对第三导电材料进行蚀刻，以形成通过第二接触孔，将第二电极和纳米发光二极管连通的第二接触电极；
64.s516、在第二接触电极上沉积平坦化层材料，并对平坦化层材料进行蚀刻，得到对应驱动区域平坦，对应发光区域形成穹顶结构的平坦化层；
65.s517、在平坦化层上，形成与穹顶结构对应的反射层；
66.s518、在反射层上形成薄膜封装层，以在驱动区域形成驱动薄膜晶体管，在发光区域对应主动发光层的位置形成主动发光阵列，以得到阵列基板。
67.步骤s511中，在发光溶剂中掺入多个纳米发光二极管器件，采用喷墨设备，通过印刷喷墨方式将多个纳米发光二极管喷射到发光区域，并采用扩散和对准技术将多个纳米发光二极管进行阵列排布，设置在第一电极和第二电极之间；完成后，进行步骤s512，在纳米发光二极管上沉积第一层间介质层材料，并对其蚀刻形成第一层间介质层，和位于栅电极两侧，且贯穿第一层间介质层、绝缘层至半导体层表面的第一过孔和第二过孔，以及位于第一电极与纳米发光二极管之间的第一接触孔，第一层间介质层可以由sinx层或siox层中的至少一个构成，可采用sinx层或siox层单层结构制作，也可以采用由sinx层或siox层中两层或两层以上的多层结构制作，即第一层间介质层的材质可以与绝缘层的材质相同，采用同一制程对第一层间介质层和绝缘层进行蚀刻处理，形成驱动区域贯穿至半导体层表面的的第一过孔和第二过孔，减少工艺制程，从而减少制作成本。
68.当然，第一层间介质层也可以采用其他材质制作，为了防止同一制程蚀刻过程中，不同材质的蚀刻速率不同，第一层间介质层和绝缘层在形成第一过孔和第二过孔时，过孔在两层结合处产生下切角的情况，可以对第一层间介质层和绝缘层分别蚀刻，采用两次蚀刻制程，形成第一过孔和第二过孔，防止下切角导致的断线问题，提高阵列基板的稳定性。
69.步骤s513中，在第一层间介质层上沉积第二导电材料，并采用蚀刻工艺对第二导电材料进行蚀刻处理，并图案化形成位于驱动区域，且间隔设置的源电极和漏电极，以及与漏电极连通，且位于发光区域的第一接触电极，通过第一接触电极连通第一电极、纳米发光二极管和漏电极，源电极、漏电极和第一接触电极可以采用铜、铝、钼和钛或氧化铟锡等材料中的至少一种或至少两种材质混合的单层结构，也可以是采用铜、铝、钼和钛或氧化铟锡等材料中的至少一种或至少两种形成的两层或两层以上的复合层结构，当然也可以采用其他的电极金属材料制作。
70.步骤s513完成后进行步骤s514，在源电极、漏电极和第一接触电极上沉积一层第二层间介质层材料，并对第二层间介质层材料进行蚀刻，形成第二层间介质层，以及位于第二电极与纳米发光二极管之间，且贯穿第二层间介质层与第一层间介质层的第二接触孔，
第二层间介质层可以由sinx层或siox层中的至少一个或一个以上构成，可以采用sinx层或siox层单层结构制作，也可以采用由sinx层或siox层中两层或两层以上的多层结构制作，即第二层间介质层和第一层间介质层材质可以选择相同，对第一层间介质层和第二层间介质层同时蚀刻，形成贯穿第二层间介质层与第一层间介质层的第二接触孔。当然，第二层间介质层和第一层间介质层材质也可以选择不相同，对第一层间介质层和第二层间介质层分别进行蚀刻，采用两次蚀刻制程，防止第二接触孔在第二层间介质层和第一层间介质层结合处产生下切角。
71.步骤s515中，在第二层间介质层上沉积第三导电材料，并对其进行蚀刻处理，并图案化形成第二接触电极，通过第二接触电极将第二电极和纳米发光二极管之间实现连通，第二接触电极可以采用铜、铝、钼和钛或氧化铟锡等材料中的至少一种或至少两种材质混合的单层结构，也可以是采用铜、铝、钼和钛或氧化铟锡等材料中的至少一种或至少两种形成的两层或两层以上的复合层结构，当然也可以采用其他的电极金属材料制作。
72.在第二接触电极形成后进行步骤s516，对应驱动区域和发光区域，采用喷嘴或旋涂工艺，在第二接触电极上使用透光性极强的有机绝缘物质，并且采用半色调曝光工艺，形成对应驱动区域平坦，对应发光区域上部形成穹顶状的曲面图案结构的平坦化层，穹顶结构为对应纳米发光二极管的上部设置，沿第二接触电极向平坦化层延伸方向，且凸出于驱动区域平坦化层的半球面结构，穹顶结构的正投影完全覆盖纳米发光二极管、第一电极、第二电极、第一接触电极和第二接触电极，使得穹顶结构覆盖多个纳米发光二极管，起到将多个纳米发光二极管发出的光汇聚的作用，提高光的利用率。
73.步骤s517在对应发光区域，在平坦化层的穹顶结构上沉积一层金属材料，并对金属材料蚀刻且图案化形成反射层，可以将反射层的正投影设置为大于等于穹顶结构的正投影，使纳米发光二极管发出的光得到充分反射，并返回至反射层的下方；在形成反射层后，进行步骤s518，在反射层上采用cvd沉积方法和喷嘴打印方法形成薄膜封装层，薄膜封装层覆盖反射层，以及驱动区域和发光区域平坦化层裸露的表面，薄膜封装层可以采用由有机绝缘物质和无机膜(sinx,siox,sion中的至少一种或至少两种以上的复合层)构成的多层封装层，封装完成后形成阵列基板。
74.另外，为了提高阵列基板的稳定性，防止制作该过程中出现下切角的问题，在阵列基板的制作时，步骤s512中，在对第一层间介质层蚀刻时，不仅形成对应驱动区域的第一过孔和第二过孔，还同时形成对应发光区域，位于第一电极与纳米发光二极管之间的第一接触孔和位于第二电极与纳米发光二极管之间的第二接触孔；步骤s514在对第二层间介质层蚀刻时，对应第二接触孔位置，蚀刻去除第二接触孔位置上方的第二层间介质层形成第三接触孔，同时露出纳米发光二极管和第二电极之间的第二接触孔，对第二接触孔和第三接触孔，分两次蚀刻，使得接触孔处，第一层间介质层和第二层间介质层之间的结合处侧边过渡更加平缓，通过第二接触孔和第三接触孔将第二电极和纳米发光二极管暴露出来，通过后续形成的第二接触电极将第二电极和纳米发光二极管连通。
75.通过两道制程工序形成第二电极和纳米发光二极管之间的接触孔，即第二接触孔和第三接触孔，这样可以减少两层或多层介质层结构之间形成下切角等问题的可能性，避免第二接触电极出现断线，提高第二电极和纳米发光二极管之间的连接性能；同时，第一接触孔和第二接触孔同一制程形成，还可以减少一次光罩制程，降低制造成本。
76.当然，第一接触孔和第二接触孔同一道制程形成时，第二接触电极和第一接触电极也可以同一道制程形成，即在进行步骤s513时，在第一层间介质层上沉积第二导电材料，并对第二导电材料进行蚀刻时，同时形成位于第一过孔位置的源电极、第二过孔位置的漏电极、第一接触孔位置的第一接触电极和第二接触孔位置的第二接触电极，且漏电极与第一接触电极连接，第一接触电极和第二接触电极之间不连通，这样就可以减少至少两次光罩和一次蚀刻制程，降低制造成本。
77.此外，当第一接触电极和第二接触电极同一制程形成时，也可以省略形成第二层间介质层的步骤，直接在源电极、漏电极、第一接触电极和第二接触电极上进行平坦化层的制作，还可以减少一次沉积和光罩制程，进一步降低制作成本。
78.通常主动发光阵列需要发光，还需要触发驱动薄膜晶体管工作的开关，因而，衬底还划分有开关区域，开关区域形成有开关薄膜晶体管，开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管通过同一制程形成。将开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管同一制程制作，即开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和主动发光阵列同一制程制作，减少了开关薄膜晶体管各个膜层单独形成的制程，降低了制程翻倍的次数，节省了至少两次沉积、曝光、蚀刻等制程，降低了生产制造成本，进一步提高生产效率。
79.需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本技术的保护范围。
80.需要说明的是，本技术的发明构思可以形成非常多的实施例，但是申请文件的篇幅有限，无法一一列出，因而，在不相冲突的前提下，以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例，各实施例或技术特征组合之后，将会增强原有的技术效果。
81.本技术的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如qned(quantum
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dot nano
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rod electroluminescent diode，量子点纳米棒电致发光二极管)显示面板，oled(organic light
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emitting diode，有机发光二极管)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，均可适用上述方案。
82.以上内容是结合具体的可选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。