技术特征：
1.一种阵列基板，包括衬底和多个像素单元，多个所述像素单元设置在所述衬底上，其特征在于，每个所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括驱动薄膜晶体管和主动发光阵列；所述驱动薄膜晶体管和所述主动发光阵列相邻设置在所述衬底上，且所述驱动薄膜晶体管与所述主动发光阵列连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主动发光阵列包括：绝缘层，设置在所述衬底上；第一电极，设置在所述绝缘层上；第二电极，设置在所述绝缘层上，与所述第一电极间隔设置；纳米发光二极管，设置在所述绝缘层上，且位于所述第一电极和所述第二电极之间；第一层间介质层，设置在所述第一电极、所述第二电极和所述纳米发光二极管上；第一接触电极，设置在所述第一层间介质层上，位于所述第一电极和所述纳米发光二极管之间，且连通所述第一电极和所述纳米发光二极管的两极中的一个；第二层间介质层，设置在所述第一接触电极上，且覆盖所述第一层间介质层裸露的表面；以及第二接触电极，设置在所述第二层间介质层上，位于所述第二电极和所述纳米发光二极管之间，且连通所述第二电极和所述纳米发光二极管的两极中未被连接的另一个。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管包括：缓冲介质层，设置在所述衬底和所述绝缘层之间；半导体层，位于所述绝缘层与所述缓冲介质层之间；栅电极，设置在所述绝缘层与所述第一层间介质层之间，且与所述半导体层位置对应，所述栅电极在所述衬底上的正投影面积小于所述半导体层的正投影面积；源电极，设置在所述第一层间介质层与所述第二层间介质层之间，且与所述半导体层连通；漏电极，设置在所述第一层间介质层与所述第二层间介质层之间，与所述源电极相对设置，且与所述半导体层连通；其中，所述栅电极与所述第一电极和所述第二电极共用同一制程制作；所述源电极、所述漏电极和所述第一接触电极共用同一制程制作，且所述漏电极和所述第一接触电极连通。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦化层、反射层和薄膜封装层，所述平坦化层设置在所述阵列基板上，且位于所述驱动薄膜晶体管和所述主动发光阵列远离所述衬底的一侧；所述反射层设置在所述平坦化层远离所述阵列基板的一侧，且与所述主动发光阵列位置对应；所述薄膜封装层设置在所述反射层远离所述平坦化层的一侧，用于对所述阵列基板进行封装；所述衬底对应反射层设置有透明区域。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层对应所述主动发光阵列的位置设置有穹顶结构，所述穹顶结构在所述衬底上的正投影完全覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述纳米发光二极管在所述衬底上的正投影；所述反射层设置在所述穹顶结构上，且所述反射层在所述衬底上的正投影面积大于等于所述穹顶结构的正投影面积。
6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至5任意一项所述的阵列基板，所述阵列基板还设置有颜色转换层，所述颜色转换层设置在所述衬底远离所述薄膜封装层的一侧，所述颜色转换层包括透光区域和遮光区域，所述遮光区域对应所述驱动薄膜晶体管设置，所述透光区域对应所述主动发光阵列设置。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括红色像素、绿色像素和蓝色像素；所述纳米发光二极管包括蓝光纳米发光二极管；所述颜色转换层包括多种颜色的子颜色转换层，所述子颜色转换层设置在所述透光区域；所述子颜色转换层包括红色子颜色转换层和绿色子颜色转换层，所述红色子颜色转换层和所述绿色子颜色转换层均设置有量子点，所述子颜色转换层对应所述蓝色像素镂空设置，所述红色子颜色转换层对应所述红色像素设置；所述绿色子颜色转换层对应所述绿色像素设置。8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括偏光层，所述偏光层设置在所述颜色转换层远离所述阵列基板的一侧。9.一种阵列基板的制作方法，用于制作如权利要求1至5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，包括：提供衬底，将衬底划分为至少包括驱动区域和发光区域；在衬底上形成覆盖驱动区域和发光区域的绝缘层；在绝缘层上沉积第一导电材料，并对第一导电材料进行蚀刻，对应驱动区域形成栅电极，对应发光区域形成相对设置的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极之间形成主动发光层；在驱动区域对应栅电极的位置形成驱动薄膜晶体管，在发光区域对应主动发光层的位置形成主动发光阵列，以得到阵列基板。10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成覆盖驱动区域和发光区域的绝缘层的步骤包括：在衬底上沉积缓冲介质材料，形成缓冲介质层；在缓冲介质层上沉积半导体层材料，并对半导体层材料进行蚀刻，对应驱动区域部分蚀刻形成半导体层，对应发光区域完全蚀刻；在半导体层上形成覆盖驱动区域和发光区域的绝缘层；所述在驱动区域对应栅电极的位置形成驱动薄膜晶体管，在发光区域对应主动发光层的位置形成主动发光阵列，以得到阵列基板的步骤包括：在主动发光层上通过印刷喷墨方式形成纳米发光二极管；在纳米发光二极管上沉积第一层间介质层材料，并对第一层间介质层材料进行蚀刻以形成第一层间介质层，位于栅电极两侧的第一过孔和第二过孔，以及位于第一电极与纳米发光二极管之间的第一接触孔；在第一层间介质层上沉积第二导电材料，并对第二导电材料进行蚀刻，以形成位于第一过孔的源电极、位于第二过孔的漏电极以及位于第一接触孔的第一接触电极，且漏电极与第一接触电极连接；在源电极、漏电极和第一接触电极上沉积第二层间介质层材料，并对第二层间介质层材料进行蚀刻，以形成第二层间介质层，以及位于第二电极与纳米发光二极管之间的第二
接触孔；在第二层间介质层上沉积第三导电材料，并对第三导电材料进行蚀刻，以形成通过第二接触孔，将第二电极和纳米发光二极管连通的第二接触电极；在第二接触电极上沉积平坦化层材料，并对平坦化层材料进行蚀刻，得到对应驱动区域平坦，对应发光区域形成穹顶结构的平坦化层；在平坦化层上，形成与穹顶结构对应的反射层；以及在反射层上形成薄膜封装层，以在驱动区域形成驱动薄膜晶体管，在发光区域对应主动发光层的位置形成主动发光阵列，以得到阵列基板。
技术总结
本申请公开了一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括衬底和多个像素单元，多个所述像素单元设置在所述衬底上，每个所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括驱动薄膜晶体管和主动发光阵列；所述驱动薄膜晶体管和所述主动发光阵列相邻设置在所述衬底上，且所述驱动薄膜晶体管与所述主动发光阵列连接。本申请通过以上式实现通过共用制程形成驱动薄膜晶体管与主动发光阵列，减少制程，进而降低制造成本。进而降低制造成本。进而降低制造成本。
技术研发人员：李源规 唐波玲 李荣荣
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2021/11/9