技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：第一热传递层，设置在衬底上方；沟道材料层，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述沟道材料层设置在所述第一热传递层上，所述第一表面与所述第一热传递层接触；栅极结构，设置在所述沟道材料层上方；以及源极及漏极端子，与所述沟道材料层接触且位于所述栅极结构的相对的两侧处。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极及漏极端子位于所述第一热传递层上且穿透过所述沟道材料层。3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括第二热传递层，所述第二热传递层设置在所述沟道材料层上且与所述沟道材料层的所述第二表面接触，其中所述源极及漏极端子穿透过所述第二热传递层及所述沟道材料层。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极及漏极端子直接位于所述沟道材料层上。5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第二热传递层，所述第二热传递层设置在所述沟道材料层上且与所述沟道材料层的所述第二表面接触，其中所述源极及漏极端子穿透过所述第二热传递层。6.一种半导体器件，其特征在于包括：热传递层，其中所述热传递层的材料包含氮化硼；沟道层，设置在所述热传递层上，其中所述沟道层的材料包含低维材料；栅极结构，设置在所述沟道层上方；栅极介电层，设置在所述栅极结构与所述沟道层之间；以及源极及漏极，设置在所述栅极结构旁边，且接触所述沟道层。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述沟道层的所述低维材料包括表示为mx2的过渡金属二硫化物，其中m是钼或钨，且x是硫、硒或碲。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述沟道层的所述低维材料包括mos2、ws2或wse2。9.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括：在衬底上方形成热传递层；在所述热传递层上形成沟道材料层；在所述沟道材料层上形成介电层；将所述介电层图案化以在所述介电层中形成开口；在所述开口中形成源极及漏极端子；以及在所述介电层上方形成栅极结构。10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述热传递层包括执行化学气相沉积工艺以形成多层氮化硼。
技术总结
本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括设置在衬底上方的热传递层、沟道材料层、栅极结构以及源极及漏极端子。沟道材料层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且设置在热传递层上，其中第一表面与热传递层接触。栅极结构设置在沟道材料层上方。源极及漏极端子与沟道材料层接触且位于栅极结构的相对的两侧处。通过设于衬底与沟道材料层之间的热传递层的热传导，可以增强器件的散热能力而改善器件性能。件的散热能力而改善器件性能。件的散热能力而改善器件性能。
技术研发人员：洪以则 周昂升 江宏礼 陈自强 郑兆钦
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.09.01
技术公布日：2022/6/24