技术特征：
1.一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于，包括以下步骤：(1)配制适合瀑布流延的介质浆料：a、将陶瓷粉、溶剂和球混合，然后再加入增塑剂、分散剂和消泡剂得到混合料，其中所述球、所述陶瓷粉与所述溶剂的比例为，球：陶瓷粉：溶剂＝(3～6)：(0.5～2):(0.5～3)，所述陶瓷粉为电容用的钛酸钡系、钛酸锶系、锆钛系等陶瓷材料中的一种或多种，所述陶瓷粉的粒度在0.1μm
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3μm；b、将混合料进行第一次球磨，然后加入粘合剂后再进行第二次球磨，所述粘合剂的加入量为所述陶瓷粉的5％
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25％；c、第二次球磨完成后出料，出料时采用300目滤布过滤，即得所述介质浆料；(2)在载板上粘贴聚酯膜得到聚酯膜板，所述聚酯膜的厚度为0.1mm
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0.5mm；(3)在所述聚酯膜板上流延下盖介质保护层，使用步骤(1)制得的所述介质浆料在所述聚酯膜板上流延多层介质浆料膜，流延一层烘干一次，每层所述介质浆料膜的厚度为20μm
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100μm，所述流延在回转流延成型线上进行，流延完后放置4h
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16h，得流延载板a；(4)在所述流延载板a上印刷电极，所述电极的厚度为0.3μm
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30μm，印刷电极后再次在所述成型线上流延所述介质浆料膜，循环印刷、流延，直至达到设定的层数值，得到流延载板b；所述印刷电极材料为银、镍、铜、铝、铂、银钯、钯等金属电极材料中的一种或多种；(5)在所述流延载板b上重复步骤(3)流延上盖介质保护层，流延完所述上盖保护层后放置2h
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8h，得到流延载板c；(6)将所述流延载板c在30℃
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80℃条件下在带抽风的烘箱中烘干燥1h
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50h，烘干后进行层压得层压产品，层压的压力为20mpa
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100mpa，层压的温度为40℃
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70℃，层压的时间为5min
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60min；(7)制成成品：所述层压产品经过切割、排胶、烧结、封端、烧端、电镀等工艺，制成高精度、高电压大功率多层电容器。2.根据权利要求1所述的一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于：步骤(1)中，所述增塑剂为dop、dbp及聚合酯类系列等中的一种或多种，所述增塑剂的添加量为所述陶瓷粉的2％
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13％。3.根据权利要求1所述的一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于：步骤(1)中，所述分散剂为不带金属离子的有机系列，所述分散剂的添加量为所述陶瓷粉的0.2％
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3％。4.根据权利要求1所述的一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于：步骤(1)中，所述消泡剂的加入量为所述陶瓷粉的0.2％
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3％。5.根据权利要求1所述的一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于：步骤(1)中，所述溶剂为酯类系列溶剂与醇类系列溶剂的混合溶剂，所述酯类系列溶剂与所述醇类系列溶剂的混合比为(5～9):(5～1)，所述酯类系列溶剂为醋酸正丙酯、乙酸乙酯等中的一种，所述醇类系列溶剂为异丁醇、异丙醇的等中的一种。6.根据权利要求1所述的一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于：步骤(1)中，所述球的直径为1～8mm，所述球为锆球或锆柱等中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于：步骤(1)中，所述第一次球磨为使用球磨机在转速20转/分钟
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80转/分钟条件下球磨4小
时
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25小时或使用砂磨机先搅拌10分钟
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30分钟，再砂磨20分钟到120分钟；所述第二次球磨为使用球磨机在转速40转/分钟至60转/分钟的条件下球磨5h
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15h，或使用砂磨机磨40分钟到300分钟。8.根据权利要求1所述的一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于：步骤(1)中，所述粘合剂的配制方法为：在30℃～60℃条件下，往所述溶剂中加入粘合剂树脂，边加入边搅拌，搅拌速度50转/分钟至70转/分钟，搅拌时间1h～5h，配制成树脂含量为10％～30％的粘合剂，静置15h
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24h。9.根据权利要求1所述的一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于：步骤(1)中，所述粘合剂树脂为聚乙烯醇缩丁醛(pvb)或丙烯酸树脂，所述聚乙烯醇缩丁醛为聚合度分子量在6万以内，所述丙烯酸树的脂分子量在10万以内。10.根据权利要求1所述的一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，其特征在于：步骤(3)中，所述聚酯膜板在所述成型线上由皮带自动带动进行流延直至达到下盖总厚度的设定值。
技术总结
本发明公开了一种高精度多层片式电容器成型工艺及其电容器，(1)配制适合瀑布流延的介质浆料：a、将陶瓷粉、溶剂和球混合，然后再加入增塑剂、分散剂和消泡剂得到混合料，其中所述球、所述陶瓷粉与所述溶剂的比例为，球：陶瓷粉：溶剂＝(3～6)：(0.5～2):(0.5～3)，所述陶瓷粉为电容用的钛酸钡系、钛酸锶系、锆钛系等陶瓷材料中的一种或多种，所述陶瓷粉的粒度在0.1μm
技术研发人员：徐建平 胡愿防
受保护的技术使用者：广东海之源新材料科技有限公司
技术研发日：2021.09.22
技术公布日：2021/12/23