技术特征：
1.一种线圈部件，其特征在于，具备：素体；线圈图案，埋入所述素体，跨多匝呈螺旋状地卷绕；以及第1端子电极及第2端子电极，设置于所述素体的表面，分别与所述线圈图案的一端及另一端连接，所述素体包括：形成有腔室的支撑体以及层叠于所述支撑体以覆盖所述腔室的第1绝缘层，从而在所述素体的内部形成有空洞，所述线圈图案包括：沿所述腔室的内壁设置的多个第1区间、和设置于所述第1绝缘层上的多个第2区间，所述多个第1区间的一端及与其对应的所述多个第2区间的一端相互连接，所述多个第1区间的另一端及与其对应的所述多个第2区间的另一端相互连接。2.根据权利要求1所述的线圈部件，其特征在于，所述素体还包括覆盖所述腔室的内壁的第2绝缘层，所述线圈图案的所述第1区间经由所述第2绝缘层设置于所述腔室的内壁。3.根据权利要求2所述的线圈部件，其特征在于，所述支撑体由硅构成。4.根据权利要求1所述的线圈部件，其特征在于，所述第1绝缘层由树脂类绝缘材料构成。5.根据权利要求4所述的线圈部件，其特征在于，在构成所述第1绝缘层的树脂类绝缘材料中添加有填料。6.根据权利要求4所述的线圈部件，其特征在于，所述素体还包括：第3绝缘层，覆盖所述第1绝缘层以将所述多个第2区间埋入并且由树脂类绝缘材料构成，所述第1端子电极及所述第2端子电极设置在所述第3绝缘层上，构成所述第3绝缘层的树脂类绝缘材料比构成所述第1绝缘层的树脂类绝缘材料的相对介电常数低。7.根据权利要求1至6的任一项所述的线圈部件，其特征在于，所述第1端子电极及所述第2端子电极在所述线圈图案的轴向上排列。8.根据权利要求7所述的线圈部件，其特征在于，所述第1端子电极及所述第2端子电极未形成于与所述轴向垂直的所述素体的表面，而形成于沿着所述轴向的所述素体的表面。9.一种线圈部件的制造方法，其特征在于，具备：第1工序，将空洞形成于支撑体；第2工序，沿着所述腔室的内壁形成线圈图案的多个第1区间；第3工序，通过由第1绝缘层覆盖所述腔室来形成空洞；第4工序，通过在所述第1绝缘层形成开口部，使所述多个第1区间的一端及另一端露出；以及
第5工序，通过在所述第1绝缘层上形成所述线圈图案的多个第2区间，来将所述多个第1区间的一端以及与其对应的所述多个第2区间的一端相互连接，并且将所述多个第1区间的另一端以及与其对应的所述多个第2区间的另一端相互连接。10.根据权利要求9所述的线圈部件的制造方法，其特征在于，还具备：在进行所述第1工序后并且在进行所述第2工序之前，形成覆盖所述腔室的内壁的第2绝缘层的工序。11.根据权利要求9或10所述的线圈部件的制造方法，其特征在于，还具备：第6工序，在所述第1绝缘层上形成由树脂类绝缘材料构成的第3绝缘层以将所述多个第2区间埋入；以及第7工序，在所述第3绝缘层上形成分别与所述线圈图案的一端以及另一端连接的第1端子电极以及第2端子电极，所述第1绝缘层由树脂类绝缘材料构成，构成所述第3绝缘层的树脂类绝缘材料比构成所述第1绝缘层的树脂类绝缘材料的相对介电常数低。12.一种线圈部件，其特征在于，包括：素体，其具有空洞；以及线圈图案，其埋入所述素体并且以多匝卷绕，所述线圈图案的每匝的第1区间在所述空洞露出，并且所述线圈图案的每匝的第2区间埋入构成所述素体的绝缘材料，并且未在所述空洞露出。13.根据权利要求12所述的线圈部件，其特征在于，所述线圈图案的每匝的所述第1区间具有：在所述空洞露出的内表面和被所述素体覆盖的外表面。14.根据权利要求13所述的线圈部件，其特征在于，所述素体包括：具有腔室以形成所述空洞的支撑体，并且所述线圈图案的每匝的所述第1区间的所述外表面被所述腔室的内壁覆盖。15.根据权利要求12所述的线圈部件，其特征在于，所述线圈图案的每匝的所述第2区间具有：被第1绝缘层覆盖的内表面和被第2绝缘层覆盖的外表面。16.根据权利要求15所述的线圈部件，其特征在于，所述第1绝缘层和所述第2绝缘层包括彼此不同的绝缘材料。17.根据权利要求16所述的线圈部件，其特征在于，所述第2绝缘层比所述第1绝缘层的相对介电常数低。18.根据权利要求17所述的线圈部件，其特征在于，还包括：连接到所述线圈图案的一端的第1端子电极以及连接到所述线圈图案的另一端的第2端子电极，所述第1端子电极和所述第2端子电极形成于所述第2绝缘层。
技术总结
本发明的技术问题在于，在具有将螺旋状的线圈图案埋入素体的结构的线圈部件，提高自谐振频率。本发明的线圈部件(1)：包括埋入到素体(10)的线圈图案(C)。素体(10)包括：形成有腔室的支撑体(11)和层叠于支撑体(11)以覆盖腔室的绝缘层(13)，从而在素体(10)的内部形成有空洞(S)。线圈图案(C)包括：沿着腔室的内壁(11a)设置的第1区间(31～34)和设置于绝缘层(14)上的第2区间(41～45)，第1区间(31～34)的端部以及与其对应的第2区间(41～45)的端部相互连接。由此，线圈图案(C)的内径区域的大部分由空洞(S)构成，因此，能够大幅降低线圈图案(C)的相邻的匝之间产生的杂散电容，提高自谐振频率。率。率。
技术研发人员：奥泽信之 伊藤一彦 高久宗裕 占部顺一郎
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2021.10.18
技术公布日：2022/5/16