技术特征：
1.一种晶片的制造方法，其特征在于，该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从该晶片分离，该瑕疵器件区域包含形成于该晶片的多个该半导体器件中的被判别为瑕疵品的该半导体器件；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将该瑕疵器件区域从该晶片分离而形成的贯通孔中的大小的器件芯片嵌入至该贯通孔中，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的该半导体器件相同的功能，在该去除步骤中，沿着围绕被判别为瑕疵品的该半导体器件的该间隔道照射激光束。2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中，在将对于该晶片具有透过性的波长的该激光束的聚光点定位于该晶片的内部的状态下，沿着该间隔道照射该激光束，由此沿着该间隔道形成作为该瑕疵器件区域的分离的起点发挥功能的改质层。3.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中，在将对于该晶片具有吸收性的波长的该激光束的聚光点定位于该间隔道的状态下，沿着该间隔道照射该激光束，由此将该晶片的沿着该间隔道的区域去除。4.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中，在将对于该晶片具有吸收性的波长的该激光束的聚光点定位于通过朝向该晶片喷射液体而形成的液柱的内部的状态下，经由该液柱而沿着该间隔道照射该激光束，由此将该晶片的沿着该间隔道的区域去除。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，该晶片的制造方法还具有如下的磨削步骤：在实施该去除步骤之前，在该晶片的形成有该半导体器件的第1面侧粘贴保护部件，对该晶片的位于该第1面的相反侧的第2面侧进行磨削，将该晶片薄化至规定的厚度。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中，对该晶片的位于形成有该半导体器件的第1面侧的相反侧的第2面侧进行磨削，由此使通过该激光束的照射而进行了加工的被加工区域或从该被加工区域发展的龟裂在该晶片的该第2面侧露出。7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中，对通过该激光束的照射而进行了加工的被加工区域或从该被加工区域发展的龟裂提供蚀刻液。8.根据权利要求1至6中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中，对通过该激光束的照射而进行了加工的被加工区域或从该被加工区域发展的龟裂提供等离子化的气体。9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，该晶片的制造方法还具有如下的步骤：树脂填充步骤，在实施了该嵌入步骤之后，向该器件芯片与该晶片之间的间隙中填充树脂；以及
树脂磨削步骤，在实施了该树脂填充步骤之后，对形成于该间隙的外侧的该树脂进行磨削。10.一种层叠器件芯片的制造方法，其特征在于，该层叠器件芯片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备第1晶片和第2晶片，该第1晶片和该第2晶片在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件；去除步骤，将瑕疵器件区域从该第1晶片分离，该瑕疵器件区域包含形成于该第1晶片的多个该半导体器件中的被判别为瑕疵品的该半导体器件；嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将该瑕疵器件区域从该第1晶片分离而形成的贯通孔中的大小的器件芯片嵌入至该贯通孔中，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的该半导体器件相同的功能；晶片层叠步骤，在该第1晶片上层叠该第2晶片，由此形成层叠晶片；以及分割步骤，将该层叠晶片沿着该间隔道进行分割，由此形成具有层叠的多个该半导体器件的层叠器件芯片，在该去除步骤中，沿着围绕被判别为瑕疵品的该半导体器件的该间隔道照射激光束。
技术总结
本发明提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从晶片分离，该瑕疵器件区域包含形成于晶片的多个半导体器件中的被判别为瑕疵品的半导体器件；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将瑕疵器件区域从晶片分离而形成的贯通孔中的大小的器件芯片嵌入至贯通孔中，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的半导体器件相同的功能。同的功能。同的功能。
技术研发人员：金永奭 张秉得 川合章仁 寺西俊辅
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2021.11.15
技术公布日：2022/5/20