技术特征：
1.一种cmos结构，其特征在于，所述cmos结构包括：第一金属层；介质层，所述介质层形成于所述第一金属层上；以及第二金属层，所述第二金属层形成于所述介质层上，所述第二金属层具有刻蚀槽，所述刻蚀槽的深度为h，所述刻蚀槽的宽度为l，其中，2μm≤h≤6μm，l＝a+2b，2μm≤b≤6μm，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸。2.根据权利要求1所述的cmos结构，其特征在于：所述刻蚀槽的深度范围为3μm≤h≤5μm，所述横向刻蚀尺寸范围为3μm≤b≤5μm。3.根据权利要求1所述的cmos结构，其特征在于：所述刻蚀槽的深度h的值与所述横向刻蚀尺寸b的值相同。4.根据权利要求1所述的cmos结构，其特征在于：所述刻蚀槽的侧壁呈弧形；所述第二金属层的厚度与所述刻蚀槽的深度相同。5.根据权利要求1所述的cmos结构，其特征在于：所述第一金属层为用于所述cmos结构内部电路连接的金属布线层，所述第二金属层具有焊垫区域部。6.根据权利要求1所述的cmos结构，其特征在于：所述介质层具有通孔，所述第二金属层覆盖所述通孔并通过所述通孔与所述第一金属层电性连接。7.根据权利要求1所述的cmos结构，其特征在于：所述cmos结构还包括衬底和形成于所述衬底上的栅极、源极、漏极、接触孔，所述第一金属层形成于所述衬底上。8.根据权利要求1至7任一项所述的cmos结构，其特征在于：所述cmos结构为铝栅cmos结构。9.一种半导体芯片，其特征在于：所述半导体芯片包括如权利要求1至8任一项所述的cmos结构。10.一种电子装置，其特征在于：所述电子装置包括如权利要求9所述的半导体芯片。
技术总结
本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种CMOS结构、半导体芯片及电子装置，CMOS结构包括：第一金属层；介质层，介质层形成于第一金属层上；以及第二金属层，第二金属层形成于介质层上，第二金属层具有刻蚀槽，刻蚀槽的深度的为H，刻蚀槽的宽度为L，其中，2μm≤H≤6μm，L＝a+2b，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸，2μm≤b≤6μm；利于刻蚀槽采用干法刻蚀与湿法刻蚀结合的方式刻蚀而成，可采用干法刻蚀和湿法刻蚀分别对第二金属层刻蚀一部分，以减小刻蚀槽的横向刻蚀尺寸，从而可有效减小因全采用湿法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。
技术研发人员：曹进伟 陈孟邦 卢玉玲 邹云根 蔡文前 张丹丹 肖敏 陈航强 林丽菲
受保护的技术使用者：宗仁科技（平潭）股份有限公司
技术研发日：2021.02.01
技术公布日：2021/10/15