一种电路新型栅极结构的制作方法

1.本实用新型涉及电路领域，具体而言，涉及一种电路新型栅极结构。


背景技术：

2.电路是电子产品中必备的主要功能性部件之一，堪比人类的心脏，栅极结构则是电路中极其重要的组成部分，为了提高电路的使用寿命，因此人们对于栅极结构对的要求越来越严格。
3.当我们在针对栅极结构进行改进的过程中，市面上常见的栅极结构的阈值电压低，半导体器件稳定性差，且容易出现出现漏极漏电流的情况，影响半导体集成电路的正常使用，因此我们对此做出改进，提出一种电路新型栅极结构。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于：针对目前存在的阈值电压低，半导体器件稳定性差，且容易出现出现漏极漏电流的情况，影响半导体集成电路的正常使用。
5.为了实现上述实用新型目的，本实用新型提供了以下技术方案：
6.电路新型栅极结构，以改善上述问题。
7.本技术具体是这样的：
8.包括衬底机构，所述衬底机构的一端设置有用于进行隔离防护的隔离机构，所述衬底机构的另一端设置有用于形成金属栅极的导电机构，所述隔离机构的一端设置有用于保护金属栅极的膜层机构，所述膜层机构的一端连接有用于提高防护效果的顶膜机构。
9.作为本技术优选的技术方案，所述衬底机构包括作为金属栅极载体的半导体衬底，所述半导体衬底的内部开设有浅沟槽。
10.作为本技术优选的技术方案，所述浅沟槽关于半导体衬底的中轴线左右对称设置。
11.作为本技术优选的技术方案，所述隔离机构包括设置于半导体衬底上端的第一金属阻挡层，所述第一金属阻挡层的上表面设置有栅氧化层，所述栅氧化层均匀涂抹于第一金属阻挡层的表面。
12.作为本技术优选的技术方案，所述导电机构包括设置于半导体衬底内侧的填充凸起，所述填充凸起的底部设置有第一导电金属层。
13.作为本技术优选的技术方案，所述第一导电金属层的外侧设置有第二金属阻挡层，所述第一导电金属层的内侧连接有第二导电金属层。
14.作为本技术优选的技术方案，所述膜层机构包括第一掩膜层，所述第一掩膜层的底部依次连接有第二掩膜层、第三掩膜层和抗反射层。
15.作为本技术优选的技术方案，所述第一掩膜层、第二掩膜层、第三掩膜层和抗反射层两两之间粘贴连接。
16.作为本技术优选的技术方案，所述顶膜机构包括第四掩膜层，所述第四掩膜层的
左右两端内侧均开设有收纳槽。
17.作为本技术优选的技术方案，所述收纳槽与定位凸起呈一一对应设置。
18.与现有技术相比，本实用新型的有益效果：
19.在本技术的方案中：
20.1.通过设置的导电机构，通过第一导电金属层与第二导电金属层，形成双层金属栅极，增加了栅极的阈值电压，进而增加了半导体器件的稳定，同时通过第一金属阻挡层和栅氧化层设置，可保证金属栅极的稳定运行；
21.2.通过设置的膜层机构，第一导电金属层的功函数小于第二导电金属层的功函数，使两者之间构成欧姆栅极，降低了漏极接面内的高电场所造成的漏极漏电流，并且在第一掩膜层、第二掩膜层、第三掩膜层和抗反射层的作用下，可对金属栅极结构提供防护。
附图说明：
22.图1为本技术提供的电路新型栅极结构的结构示意图；
23.图2为本技术提供的电路新型栅极结构的膜层机构的结构示意图；
24.图3为本技术提供的电路新型栅极结构的顶膜机构的结构示意图；
25.图4为本技术提供的电路新型栅极结构的图1中a处放大结构示意图。
26.图中标示：
27.1、衬底机构；101、半导体衬底；102、浅沟槽；2、隔离机构；201、第一金属阻挡层；202、栅氧化层；3、导电机构；301、填充凸起；302、第一导电金属层；303、第二金属阻挡层；304、第二导电金属层；4、膜层机构；401、第一掩膜层；402、第二掩膜层；403、第三掩膜层；404、抗反射层；5、顶膜机构；501、第四掩膜层；502、收纳槽；503、定位凸起。
具体实施方式
28.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。
29.因此，以下对本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的部分实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
30.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征和技术方案可以相互组合。
31.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
32.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，这类术语仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅
用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
33.如图1、图2、图3和图4所示，本实施方式提出一种电路新型栅极结构，包括衬底机构1，通过设有的衬底机构1，方便金属栅极结构的安装和使用，衬底机构1的一端设置有用于进行隔离防护的隔离机构2，在隔离机构2的作用下，方便对金属栅极进行隔离防护，衬底机构1的另一端设置有用于形成金属栅极的导电机构3，通过设有的导电机构3，便于金属栅极的形成，隔离机构2的一端设置有用于保护金属栅极的膜层机构4，在膜层机构4的作用下，方便对金属栅极提供保护，膜层机构4的一端连接有用于提高防护效果的顶膜机构5，在顶膜机构5的作用下，有利于提高对栅极结构的防护效果。
34.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，衬底机构1包括作为金属栅极载体的半导体衬底101，半导体衬底101的内部开设有浅沟槽102。
35.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，浅沟槽102关于半导体衬底101的中轴线左右对称设置，便于金属栅极的设置安装。
36.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，隔离机构2包括设置于半导体衬底101上端的第一金属阻挡层201，第一金属阻挡层201的上表面设置有栅氧化层202，栅氧化层202均匀涂抹于第一金属阻挡层201的表面，方便对金属栅极进行隔离防护。
37.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，导电机构3包括设置于半导体衬底101内侧的填充凸起301，填充凸起301的底部设置有第一导电金属层302。
38.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，第一导电金属层 302的外侧设置有第二金属阻挡层303，第一导电金属层302的内侧连接有第二导电金属层304，便于金属栅极的形成。
39.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，膜层机构4包括第一掩膜层401，第一掩膜层401的底部依次连接有第二掩膜层402、第三掩膜层403和抗反射层404。
40.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，第一掩膜层401、第二掩膜层402、第三掩膜层403和抗反射层404两两之间粘贴连接，方便对金属栅极提供保护。
41.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，顶膜机构5包括第四掩膜层501，第四掩膜层501的左右两端内侧均开设有收纳槽502。
42.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，收纳槽502与定位凸起503呈一一对应设置，有利于提高对栅极结构的防护效果。
43.具体的，本电路新型栅极结构在工作时：首先将第一导电金属层302和第二导电金属层304安装于半导体衬底101的内部，通过第一导电金属层302与第二导电金属层304，在衬底机构1中形成了双层金属栅极，增加了栅极的阈值电压，进而增加了半导体器件的稳定，同时通过第一金属阻挡层201和栅氧化层202设置，可保证金属栅极的稳定运行；
44.在由第一导电金属层302和第二导电金属层304所形成的双层金属栅极中，由于第一导电金属层302的功函数小于第二导电金属层304的功函数，因此可使第一导电金属层302和第二导电金属层304之间构成欧姆栅极，从而能够降低漏极接面内的高电场所造成的漏极漏电流，并且在第一掩膜层401、第二掩膜层402、第三掩膜层403和抗反射层404的作用下，可对金属栅极结构提供防护。
45.以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明，但本实用新型不局
限于上述具体实施方式，因此任何对本实用新型进行修改或等同替换；而一切不脱离实用新型的精神和范围的技术方案及其改进，其均涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。