技术特征：
1.一种电路新型栅极结构，包括衬底机构(1)，其特征在于，所述衬底机构(1)的一端设置有用于进行隔离防护的隔离机构(2)，所述衬底机构(1)的另一端设置有用于形成金属栅极的导电机构(3)，所述隔离机构(2)的一端设置有用于保护金属栅极的膜层机构(4)，所述膜层机构(4)的一端连接有用于提高防护效果的顶膜机构(5)。2.根据权利要求1所述的一种电路新型栅极结构，其特征在于，所述衬底机构(1)包括作为金属栅极载体的半导体衬底(101)，所述半导体衬底(101)的内部开设有浅沟槽(102)。3.根据权利要求2所述的一种电路新型栅极结构，其特征在于，所述浅沟槽(102)关于半导体衬底(101)的中轴线左右对称设置。4.根据权利要求1所述的一种电路新型栅极结构，其特征在于，所述隔离机构(2)包括设置于半导体衬底(101)上端的第一金属阻挡层(201)，所述第一金属阻挡层(201)的上表面设置有栅氧化层(202)，所述栅氧化层(202)均匀涂抹于第一金属阻挡层(201)的表面。5.根据权利要求1所述的一种电路新型栅极结构，其特征在于，所述导电机构(3)包括设置于半导体衬底(101)内侧的填充凸起(301)，所述填充凸起(301)的底部设置有第一导电金属层(302)。6.根据权利要求5所述的一种电路新型栅极结构，其特征在于，所述第一导电金属层(302)的外侧设置有第二金属阻挡层(303)，所述第一导电金属层(302)的内侧连接有第二导电金属层(304)。7.根据权利要求1所述的一种电路新型栅极结构，其特征在于，所述膜层机构(4)包括第一掩膜层(401)，所述第一掩膜层(401)的底部依次连接有第二掩膜层(402)、第三掩膜层(403)和抗反射层(404)。8.根据权利要求7所述的一种电路新型栅极结构，其特征在于，所述第一掩膜层(401)、第二掩膜层(402)、第三掩膜层(403)和抗反射层(404)两两之间粘贴连接。9.根据权利要求1所述的一种电路新型栅极结构，其特征在于，所述顶膜机构(5)包括第四掩膜层(501)，所述第四掩膜层(501)的左右两端内侧均开设有收纳槽(502)。10.根据权利要求9所述的一种电路新型栅极结构，其特征在于，所述收纳槽(502)与定位凸起(503)呈一一对应设置。
技术总结
本申请提供了一种电路新型栅极结构，包括衬底机构，所述衬底机构的一端设置有用于进行隔离防护的隔离机构，所述衬底机构的另一端设置有用于形成金属栅极的导电机构，所述隔离机构的一端设置有用于保护金属栅极的膜层机构，所述膜层机构的一端连接有用于提高防护效果的顶膜机构。本申请通过设置的导电机构，通过第一导电金属层与第二导电金属层，形成双层金属栅极，增加了栅极的阈值电压，进而增加了半导体器件的稳定，同时通过第一金属阻挡层和栅氧化层设置，可保证金属栅极的稳定运行，第一导电金属层的功函数小于第二导电金属层的功函数，使两者之间构成欧姆栅极，降低了漏极接面内的高电场所造成的漏极漏电流。面内的高电场所造成的漏极漏电流。面内的高电场所造成的漏极漏电流。
技术研发人员：黄球军
受保护的技术使用者：成都市金天之微波技术有限公司
技术研发日：2021.10.08
技术公布日：2022/2/11