技术特征：
1.一种半导体元件，包括：一基底；一电路层，设置在该基底上并包括：一功能方块，设置在该基底上；以及一测试垫，设置在该基底上并远离该功能方块；一重分布结构，设置在该电路层上并包括：一第一导电部，设置在该功能方块上且电性耦接到该功能方块；以及一第二导电部，设置在该测试垫上且电性耦接到该测试垫；以及一半导体穿孔，实体且电性耦接到该测试垫。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该功能方块与该重分布结构的该第一导电部经由该电路层的一多层互连结构而电性耦接。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该重分布结构的该第一导电部与该重分布结构的该第二导电部为电性耦接。4.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第一钝化层，设置在该电路层与该重分布结构之间，其中该第一钝化层包含聚苯并恶唑、聚酰亚胺、苯并环丁烯、味之素积层膜、阻焊膜、氮氧化硅、氧化氮化硅、磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃或掺杂硼的磷硅酸盐玻璃。5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该半导体穿孔包括：一填充层，沿着该第一钝化层设置并延伸到该电路层；以及二隔离层，设置在该填充层的两侧边上，其中该二隔离层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、四乙氧基硅烷、聚对二甲苯、环氧树脂或聚对茬。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该半导体穿孔包括一晶种层，设置在该二隔离层与该填充层之间以及在该填充层与该测试垫之间，且电性耦接到该填充层与该测试垫。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该半导体穿孔包括一粘着层，设置在该晶种层与该二隔离层之间以及在该晶种层与该测试垫之间，且电性耦接到该晶种层与该测试垫，其中该粘着层包含钛、钽、钛钨或氮化锰。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该半导体穿孔包括一阻障层，设置在该粘着层与该二隔离层之间以及在该粘着层与该测试垫之间，且电性耦接到该粘着层与该测试垫，其中该阻障层包含钽、氮化钽、钛、氮化钛、铼、硼化镍或氮化钽/钽双层。9.如权利要求4所述的半导体元件，其中该半导体穿孔的各侧壁呈锥形。10.如权利要求4所述的半导体元件，其中该功能方块包括一互补式金属氧化物半导体、一金属氧化物半导体场效晶体管或一鳍式场效晶体管或类似物。11.如权利要求4所述的半导体元件，其中该重分布结构包括一第一隔离层，设置在该第一钝化层上，且该第一导电部与该第二导电部设置在该第一隔离层中，其中该第一隔离层包含聚苯并恶唑、聚酰亚胺、苯并环丁烯、阻焊膜、氮氧化硅、氧化氮化硅、磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃或掺杂硼的磷硅酸盐玻璃。12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该重分布结构的该第二导电部包括：一导体层，设置在该第一隔离层中且电性耦接到该半导体穿孔；以及一阻障层，设置在该第一隔离层与该导体层之间、在该电路层与该导体层之间，以及在该半导体穿孔与该导体层之间。
13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该重分布结构的该第二导电部包括一晶种层，设置在该导体层与该阻障层之间。14.如权利要求4所述的半导体元件，还包括一散热层，设置在该基底下，其中该散热层包含垂直定向的石墨与多个纳米碳管。15.如权利要求14所述的半导体元件，还包括一附接层，设置在该散热层与该基底之间，其中该附接层包含晶粒附接膜、银胶或类似物。16.如权利要求4所述的半导体元件，还包括多个第一连接件，设置在该重分布结构上且分别对应电性耦接到该重分布结构的该第一导电部与重分布结构的该第二导电部，其中该多个第一连接件包含多个焊料接头、多个凸块、多个柱状凸块或类似物。17.如权利要求16所述的半导体元件，还包括多个凸块下金属层，分别对应设置在该多个第一连接件与该重分布结构之间。18.如权利要求5所述的半导体元件，其中该半导体穿孔包括二辅助层，分别对应设置在该二隔离层与该填充层之间，其中该二辅助层的各最低点设置在一垂直位面，该垂直位面低于该第一钝化层的一下表面的一垂直位面。19.一种半导体元件的制备方法，包括：提供一基底；形成一电路层在该基底上并包括：一功能方块在该基底上；以及一测试垫再挨基底上并远离该功能方块；形成一半导体穿孔以实体且电性连接到该测试垫；以及形成一重分布结构在该电路层上并包括：一第一导电部在该功能方块上且电性耦接到该功能方块；以及一第二导电部在该测试垫上且经由该半导体穿孔而电性耦接到该测试垫。20.如权利要求19所述的半导体元件的制备方法，还包括形成多个第一连接件在该重分布结构上且分别对应电性耦接到该重分布结构的该第一导电部以及该重分布结构的该第二导电部，其中该多个第一连接件包含多个焊锡、多个凸块、多个柱状凸块或类似物。
技术总结
本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一电路层，设置在该基底上且具有一功能方块以及一测试垫，该功能方块设置在该基底上，该测试垫设置在基底上并远离该功能方块；一重分布结构，设置在该电路层上并具有一第一导电部以及一第二导电部，该第一导电部设置在该功能方块上且电性耦接到该功能方块，该第二导电部设置在该测试垫上且电性耦接到该测试垫；以及一半导体穿孔，实体且电性耦接到该测试垫。实体且电性耦接到该测试垫。实体且电性耦接到该测试垫。
技术研发人员：黄则尧
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2022.01.26
技术公布日：2022/10/17