技术特征：
1.一种半导体装置，包括：一第一源极/漏极结构；一外延衬垫层，形成于该第一源极/漏极结构上；一第二源极/漏极结构；以及一接点蚀刻停止层，形成于该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构上，其中该接点蚀刻停止层直接形成于该第二源极/漏极结构上，且该外延衬垫层形成于该第一源极/漏极结构与该接点蚀刻停止层之间。
技术总结
本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置的形成方法采用一个图案化的掩模与一个自对准掩模以形成n型源极/漏极结构与p型源极/漏极结构，以增加误差容许范围并提供多种形状及/或体积的源极/漏极结构的弹性。一些实施例在形成第一型态的源极/漏极结构之后，可形成自对准掩模层于第一型态的源极/漏极结构上而不需采用光刻工艺，因此可避免在图案化工艺中损伤第一型态的源极/漏极结构。艺中损伤第一型态的源极/漏极结构。艺中损伤第一型态的源极/漏极结构。
技术研发人员：黄耀升 张毅敏 赵皇麟
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.02.24
技术公布日：2022/7/29