技术特征：
1.一种半导体元件结构，包括：一介电层，设置在一半导体基底上；一第一导电接触点，穿经该介电层，其中该第一导电接触点包括一第一金属填充层以及一第一金属硅化物结构，该第一金属硅化物结构围绕该第一金属填充层；以及一第二导电接触点，穿经该介电层，其中该第二导电接触点包括一第二金属填充层以及一第二金属硅化物结构，该第二金属硅化物结构围绕该第二金属填充层，其中该第一导电接触点的一第一宽度不同于该第二导电接触点的一第二宽度。2.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第一金属填充层通过该第一金属硅化物结构而与该介电层分隔开，而该第二金属填充层通过该第二金属硅化物结构而与该介电层分隔开。3.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第一金属填充层通过该第一金属硅化物结构而与该半导体基底分隔开，而该第二金属填充层通过该第二金属硅化物结构而与该半导体基底分隔开。4.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第一金属硅化物结构的一材料相同于该第二金属硅化物结构的一材料。5.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第一金属硅化物结构的一上表面齐平于该第一金属填充层的一上表面，而该第二金属硅化物结构的一上表面齐平于该第二金属填充层的一上表面。6.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第一金属硅化物结构与该第二金属硅化物结构中的每一个包括多个子层。7.一种半导体元件结构的制备方法，包括：形成一介电层在一半导体基底上；形成一第一开孔以及一第二开孔以穿经该介电层，其中该第一开孔的一第一宽度不同于该第二开孔的一第二宽度；分别形成一第一金属硅化物结构以及一第二金属硅化物结构在该第一开孔与该第二开孔中，其中形成该第一金属硅化物结构以及该第二金属硅化物结构包括：形成一第一含硅层以及一第二含硅层以分别加衬该第一开孔与该第二开孔；以及将该第一含硅层与该第二含硅层分别转变成一第一金属硅化物层以及一第二金属硅化物层；以及以一第一金属填充层填满该第一开孔的一余留部分以及以一第二金属填充层填满该第二开孔的一余留部分。8.如权利要求7所述的半导体元件结构的制备方法，其中该第一含硅层与该第二含硅层的制作技术包含将该第一开孔与该第二开孔浸渍在硅烷中。9.如权利要求7所述的半导体元件结构的制备方法，其中该第一开孔的一下表面以及各侧壁被该第一含硅层所覆盖，且该第二开孔的一下表面以及各侧壁被该第二含硅层所覆盖。10.如权利要求7所述的半导体元件结构的制备方法，其中形成该第一金属硅化物结构与该第二金属硅化物结构还包括：分别形成一第三含硅层以及一第四含硅层在该第一金属硅化物层以及该第二金属硅
化物层上；以及将该第三含硅层与该第四含硅层分别转换成一第三金属硅化物层以及一第四金属硅化物层。11.如权利要求7所述的半导体元件结构的制备方法，其中该第一金属填充层通过该第一金属硅化物结构而与该介电层分隔开，且该第二金属填充层通过该第二金属硅化物结构而与该介电层分隔开。12.一种半导体元件结构的制备方法，包括：形成一牺牲层在一半导体基底上；形成一第一开孔以及一第二开孔以穿经该牺牲层，其中该第一开孔的一第一宽度不同于该第二开孔的一第二宽度；以一第一金属柱以及一第二金属柱填满该第一开孔与该第二开孔；在该第一金属柱与该第二金属柱形成之后移除该牺牲层；以及在该牺牲层移除之后缩减该第一金属柱的一宽度以及该第二金属柱的一宽度。13.如权利要求12所述的半导体元件结构的制备方法，其中通过一氧化工艺以缩减该第一金属柱的该宽度，以使该金属柱的一部分转变成一金属氧化物层。14.如权利要求13所述的半导体元件结构的制备方法，其中该金属氧化物层覆盖该第一金属柱的一余留部分的一上表面以及各侧壁。15.如权利要求14所述的半导体元件结构的制备方法，还包括：形成一介电层以覆盖该金属氧化物层；以及执行一平坦化工艺以暴露该第一金属柱的该余留部分。16.如权利要求14所述的半导体元件结构的制备方法，还包括：移除该金属氧化物层以暴露该第一金属柱的该余留部分；形成一介电层以覆盖该第一金属柱的该余留部分；以及执行一平坦化工艺以暴露该第一金属柱的该余留部分。
技术总结
本公开提供一种具有不同宽度的导电接触点的半导体元件结构以及该半导体元件结构的制备方法。该半导体元件结构包括一介电层，设置在一半导体基底上；以及一第一导电接触点，穿经该介电层。该第一导电接触点包括一第一金属填充层以及一金属硅化物结构，该金属硅化物结构围绕该第一金属填充层。该半导体元件结构亦包括一第二导电接触点，穿经该介电层。该第二导电接触点包括一第二金属填充层以及一第二金属硅化物结构，该第二金属硅化物结构围绕该第二金属填充层，且该第一导电接触点的一第一宽度不同于该第二导电接触点的一第二宽度。一宽度不同于该第二导电接触点的一第二宽度。一宽度不同于该第二导电接触点的一第二宽度。
技术研发人员：谢明宏
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2022.04.08
技术公布日：2023/2/2