显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注。oled显示作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器(liquid crystal display,lcd)，并广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。
3.在oled显示器件中，发光层为有机聚合物，阴极为镁银等，都对水氧很敏感，水氧对oled器件及寿命影响很大，因此，减少水氧渗透至关重要的。现有的像素定义层为两层结构，均不会对水氧渗透阻隔；当单个像素(pixel)被水氧侵蚀时，水氧会随着像素定义层向四周扩散，导致周边像素被水氧侵蚀渗透，进而导致像素失效扩大，进而导致显示面板失效。
4.故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种显示面板，用于改善由于水氧侵蚀导致的显示面板失效的技术问题。
6.本技术实施例提供一种显示面板，包括：
7.阵列基板；
8.平坦化层，设置在所述阵列基板上；
9.阻挡构件，设置所述平坦化层远离所述阵列基板的一面；
10.像素定义层，设置在所述平坦化层远离所述阵列基板的一面，且所述阻挡构件贯穿所述像素定义层，所述像素定义层包括多个开口；
11.发光层，所述发光层包括多个发光部，一所述发光部设置在一所述开口内。
12.在本技术实施例提供的显示面板中，所述阻挡构件包括多个第一阻挡构件和多个第二阻挡构件，多个所述第一阻挡构件沿第一方向延伸，多个所述第二阻挡构件沿第二方向延伸，所述第一阻挡构件和所述第二阻挡构件交叉形成多个阻挡墙，一所述阻挡墙包围一所述发光部。
13.在本技术实施例提供的显示面板中，所述阻挡构件包括多个第一阻挡构件和多个第二阻挡构件，多个所述第一阻挡构件沿第一方向延伸，多个所述第二阻挡构件沿第二方向延伸，所述第一阻挡构件和所述第二阻挡构件交叉形成多个阻挡墙，至少一所述阻挡墙包围一所述发光部且至少一所述阻挡墙包围多个所述发光部。
14.在本技术实施例提供的显示面板中，所述阻挡构件包括多个阻挡墙，任意一个所述阻挡墙围绕一所述发光部设置。
15.在本技术实施例提供的显示面板中，所述阻挡墙为单挡墙结构。
16.在本技术实施例提供的显示面板中，所述阻挡墙包括第一阻挡墙和第二阻挡墙，所述第一阻挡墙设置在所述平坦化层上，所述第二阻挡墙设置在所述第一阻挡墙靠近或远离所述开口的一侧。
17.在本技术实施例提供的显示面板中，所述阻挡构件还包括第三阻挡墙，所述第三阻挡墙设置在所述第二阻挡墙远离所述第一阻挡墙的一面。
18.在本技术实施例提供的显示面板中，所述第一阻挡墙和所述第三阻挡墙的阻挡水氧的能力大于所述第二阻挡墙的阻挡水氧的能力。
19.在本技术实施例提供的显示面板中，所述第一阻挡墙和所述第三阻挡墙的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、铝、银、氧化铝或氧化银中的至少一者，所述第二阻挡墙的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、铝、银、氧化铝、氧化银和有机聚合物中的至少一者。
20.在本技术实施例提供的显示面板中，所述阻挡构件远离所述平坦化层的一面高于所述发光层远离所述平坦化层的一面。
21.在本技术实施例提供的显示面板中，所述阻挡构件远离所述平坦化层的一面与所述像素定义层远离所述平坦化层的一面平齐。
22.在本技术实施例提供的显示面板中，所述平坦化层包括凹槽，所述阻挡构件设置在所述凹槽内。
23.在本技术实施例提供的显示面板中，所述阻挡构件的高度介于0.5微米至3微米。
24.在本技术实施例提供的显示面板中，每一所述发光部均位于所述阻挡构件内。
25.本技术实施例提供一种显示面板，显示面板包括阵列基板、平坦化层、阻挡构件、像素定义层和发光层。其中，平坦化层设置在阵列基板上。阻挡构件设置平坦化层远离阵列基板的一面。像素定义层设置在平坦化层远离阵列基板的一面，且阻挡构件贯穿像素定义层，像素定义层包括多个开口。发光层包括多个发光部，一发光部设置在一开口内，且每一发光部均位于阻挡构件内。本技术实施例通过在平坦化层上设置阻挡构件，用于阻挡水氧从侧面侵蚀发光层，进而防止显示面板失效，因此，本技术实施例提供的显示面板可以用于改善由于水氧侵蚀导致的显示面板失效的技术问题。
附图说明
26.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
27.图1为本技术实施例提供的显示面板的第一种平面结构示意图；
28.图2为图1沿a-a方向截取的显示面板的第一种剖面图；
29.图3为图1沿a-a方向截取的显示面板的第二种剖面图；
30.图4为图1沿a-a方向截取的显示面板的第三种剖面图。
31.图5为本技术实施例提供的显示面板的第二种平面结构示意图；
32.图6为本技术实施例提供的显示面板的第三种平面结构示意图。
具体实施方式
33.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本技术具体实施例，其不应被视为限制本技术未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
34.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
35.本技术实施例提供一种显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
36.本技术实施例提供一种显示面板，显示面板包括阵列基板、平坦化层、阻挡构件、像素定义层和发光层。其中，平坦化层设置在阵列基板上。阻挡构件设置平坦化层远离阵列基板的一面。像素定义层设置在平坦化层远离阵列基板的一面，且阻挡构件贯穿像素定义层，像素定义层包括多个开口。发光层包括多个发光部，一发光部设置在一开口内。本技术实施例通过在平坦化层上设置阻挡构件，用于阻挡水氧从侧面侵蚀发光层，进而防止显示面板失效，因此，本技术实施例提供的显示面板可以用于改善由于水氧侵蚀导致的显示面板失效的技术问题。
37.下面通过具体实施例对本技术提供的显示面板进行详细的阐述。
38.请参考图1和图2，图1为本技术实施例提供的显示面板的第一种平面结构示意图。图2为图1沿a-a方向截取的显示面板的第一种剖面图。本技术实施例提供一种显示面板100，显示面板100包括阵列基板10、平坦化层201、阻挡构件30、像素定义层40和发光层502。其中，平坦化层201设置在阵列基板10上。阻挡构件30设置平坦化层201远离阵列基板10的一面。像素定义层40设置在平坦化层201远离阵列基板10的一面，且阻挡构件30贯穿像素定义层40，像素定义层40包括多个开口40a。一发光部502a设置在一开口40a内。本技术实施例通过在平坦化层201上设置阻挡构件30，用于阻挡水氧从侧面侵蚀发光层502，进而防止显示面板100失效，因此，本技术实施例提供的显示面板100可以提高隔绝水氧的能力，使得单个像素单元不受相邻的像素单元的水汽影响，从而改善了由于水氧侵蚀导致的显示面板100失效的技术问题。
39.阵列基板10包括衬底101、缓冲层102、遮光层103、有源层104、栅极绝缘层105、栅极106、源极107、漏极108、辅助电极109、层间介质层110和钝化层111。其中，缓冲层102设置在遮光层103远离衬底101的一面。有源层104设置在缓冲层102远离衬底101的一面。栅极绝缘层105设置在有源层104远离缓冲层102的一面。栅极106设置在栅极绝缘层105远离有源层104的一面。源极107和漏极108分别通过接触孔与有源层104电性连接。辅助电极109设置在一过孔内，用于连接漏极108和遮光层103。层间介质层110覆盖栅极106、有源层104和缓
冲层102。钝化层111覆盖源极107、漏极108和层间介质层110。在本技术实施例中，由于遮光层103与漏极108电连接，遮光层103不仅能用于为有源层104遮光，防止光照影响有源层104的稳定性；并且，遮光层103和漏极108电连接，由于遮光层103与有源层104和栅极106均存在重叠区域，遮光层103与有源层104和栅极106之间分别会形成寄生电容。在显示面板100工作时，随着数据信号线上加载的电压不同，漏极108上的电压会随之变化，使得遮光层103上的电压也会随之改变从而影响有源层104的电性能。通过将遮光层103与漏极108连接形成等电位，可以避免遮光层103上的电压变化影响有源层104的电性能。
40.需要说明的是，本技术实施例中的阵列基板10的薄膜晶体管可以是单栅型薄膜晶体管，也可以是双栅型薄膜晶体管；可以是顶栅薄膜晶体管，也可以是底栅薄膜晶体管，本技术实施例以顶栅薄膜晶体管为示例进行阐述，但不限于此。
41.在一些实施例中，衬底101可以包括依次层叠设置第一柔性层101a、第一阻挡层101b、第二柔性层101c和第二阻挡层101d。遮光层103位于第二阻挡层101d远离第二柔性层101c的一面。
42.第一阻挡层101b用于防止水氧通过第一柔性层101a的一侧渗透至第一阻挡层101b上面的结构，防止损坏阵列基板10。在一些实施例中，第一阻挡层101b和第二阻挡层101d的材质包括但不限于含硅的氧化物、氮化物或氮氧化物。例如，第一阻挡层101b的材质为sio
x
、sin
x
或sio
x
ny中的至少一种，第一阻挡层101b的材质为sio
x
、sin
x
或sio
x
ny中的至少一种。第一柔性层101a的材料可以和第二柔性层101c的材料相同，其可以包括pi(聚酰亚胺)、pet(聚二甲酸乙二醇酯)、pen(聚萘二甲酸乙二醇脂)、pc(聚碳酸酯)、pes(聚醚砜)、par(含有聚芳酯的芳族氟甲苯)或pco(多环烯烃)中的至少一种。
43.在一些实施例中，遮光层103、栅极106、源极107、第漏极102d、第二漏极108和辅助电极109的材质包括如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、钨(w)、铜(cu)、镍(ni)、铬(cr)、钼(mo)、钛(ti)、铂(pt)、钽(ta)、钕(nd)或钪(sc)的金属、它们的合金、它们的氮化物等中的一种或其任意组合。缓冲层102、栅极绝缘层105、层间介质层110和钝化层111的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或其任意组合。
44.在一些实施例中，显示面板100还包括存储电容c，存储电容c包括第一极板c1和第二极板c2，第一极板c1与遮光层103同层且同材料。第二极板c2与源极107同层且同材料。第一极板c1于衬底101上的正投影覆盖第二极板c2于衬底101上的正投影。在本技术实施例中，由于第一极板c1与遮光层103同层且同材料，第二极板c2与源极107同层且同材料，可以简化显示面板100的制程。
45.可选的，在一些实施例中，存储电容c包括第一极板c1、第二极板c2和第三极板c3。第一极板c1与遮光层103同层且同材料。第二极板c2与源极107同层且同材料。第三极板c3与有源层104同层且同材料。第一极板c1于衬底101上的正投影覆盖第二极板c2于衬底101上的正投影。第一极板c1于衬底101上的正投影覆盖第三极板c3于衬底101上的正投影。第二极板c2和第一极板c1电连接。在本技术实施例中，将存储电容c的结构设置为夹心结构，即可以将第一极板c1和第三极板c3视为第一子存储电容，第二极板c2和第三极板c3视为第二子存储电容，第一子存储电容和第二子存储电容采用并联设计，增大了电容储存电荷的能力。另外，由于第三极板c3与有源层104同层设置，可以在形成有源层104的同时形成第三极板c3，因此，无需增加光罩，简化了显示面板100的制作工艺。应该理解的是，第三极板c3
通过对半导体材料导体化后形成。
46.平坦化层201设置在钝化层111上。平坦化层201的材质可以是有机材料。例如，平坦化层201的材料可以是丙烯酸树脂。
47.在一些实施例中，请继续参阅图1，阻挡构件30包括多个第一阻挡构件30a和多个第二阻挡构件30b。多个第一阻挡构件30a沿第一方向x延伸，且沿第二方向y排列。多个第二阻挡构件30b沿第二方向y延伸，且沿第一方向x排列。第一阻挡构件30a和第二阻挡构件30b交叉形成多个阻挡墙301，阻挡墙301包围发光部502a。在本技术实施例中，相邻两个阻挡墙301共用一部分，以此形成围设于每一发光部502a设置的环形阻挡墙，该设置方式可用于在相邻两个子像素排布密集时，节省显示面板100的空间。另外，该设置方式还可以节省阻挡构件30的材料成本。
48.在一些实施例中，每一发光部502a均位于阻挡构件30内，以此保护所有的发光部502a均不受到水氧入侵，提高显示面板100整体的稳定性。
49.在一些实施例中，阻挡墙301为单挡墙结构。当阻挡墙301为单挡墙结构时，其材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、铝、银、氧化铝或氧化银中的至少一者。在本技术实施例中，阻挡墙301为单挡墙结构，可以简化阻挡墙301的制作工艺。
50.请参考图3，图3为图1沿a-a方向截取的显示面板的第二种剖面图。在一些实施例中，阻挡墙301包括第一阻挡墙301a和第二阻挡墙301b，第一阻挡墙301a设置在平坦化层201上，第二阻挡墙301b设置在第一阻挡墙301a靠近或远离开口40a的一侧。在本技术实施例中，阻挡墙301为双层结构，延长了水氧侵蚀的路径，进一步改善了由于水氧侵蚀导致的显示面板100失效的技术问题。
51.在另一实施例中，阻挡墙301包括第一阻挡墙301a、第二阻挡墙301b和第三阻挡墙301c。第二阻挡墙301b设置在第一阻挡墙301a靠近或远离开口40a的一侧，第三阻挡墙301c设置在第二阻挡墙301b远离第一阻挡墙301a的一侧。在一实施方式中，第一阻挡墙301a设置在平坦化层201远离阵列基板10的一面。第二阻挡墙301b设置在第一阻挡墙301a靠近或远离开口40a的侧面。第三阻挡墙301c设置在第二阻挡墙301b远离第一阻挡墙301a的侧面。在本技术实施例中，阻挡墙为三层的结构，进一步延长的水氧入侵的路径，从而进一步改善了由于水氧侵蚀造成的显示面板100失效的问题。
52.在一些实施例中，第一阻挡墙301a和第三阻挡墙301c的阻挡水氧的能力大于第二阻挡墙301b的阻挡水氧的能力。由于远离发光部502a一侧的第一阻挡墙301a的阻挡水氧的能力较强，可以阻挡更多的水氧入侵，防止显示面板100失效。
53.在一些实施例中，第一阻挡墙301a和第三阻挡墙301c的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、铝、银、氧化铝或氧化银中的至少一者。第二阻挡墙301b的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、铝、银、氧化铝、氧化银和有机聚合物中的至少一者。例如，在一具体实施例方式中，第一阻挡墙301a的材料为铝，第二阻挡墙301b为环氧树脂，第三阻挡墙301c的材料为银。由于第一阻挡墙301a和第三阻挡墙301c的材料为透明金属材料，当具有水氧侵蚀时，氧气和铝、银反应形成致密的氧化铝薄膜和氧化银薄膜，从而阻挡了水氧入侵，提高显示面板100的稳定性。而第二阻挡墙301b的材料为环氧树脂材料，由于环氧树脂的柔性大于金属材料的柔性，可以为显示面板100提供应力，以符合显示面板100的弯折需求。
54.请参考图4，图4为图1沿a-a方向截取的显示面板的第二种剖面图。在一些实施例
中，平坦化层201包括凹槽gr，阻挡构件30设置在凹槽gr内。在本技术实施例中，通过在平坦化层201上设置凹槽gr，并将阻挡构件30卡扣于凹槽gr内，增加了平坦化层201和阻挡构件30之间的稳定性。
55.在一些实施例中，阻挡构件30远离平坦化层201的一面高于发光层502远离平坦化层201的一面。在本技术实施例中，由于阻挡构件30远离平坦化层201的一面高于发光层502远离平坦化层201的一面，用于阻隔水氧从侧面入侵，防止对显示面板100造成损害。
56.在另一实施例中，阻挡构件30远离平坦化层201的一面与像素定义层40远离平坦化层201的一面平齐。由于阻挡构件30与像素定义层40平齐设置，进一步阻隔了水氧从侧面入侵，防止对显示面板100造成损害，提高了显示面板100的稳定性。
57.在一些实施例中，阻挡构件30的高度介于0.5微米至3微米。例如，阻挡构件30的高度可以是0.5微米、0.8微米、1.0微米、1.2微米、1.5微米、2.0微米、2.5微米或3微米中的任意一者。在本技术实施例中，通过将阻挡构件30的高度设置为0.5微米至3微米之间，从而阻挡了水氧的入侵，提高显示面板100的稳定性。
58.需要说明的，阻挡构件30的高度为阻挡构件30接触平坦化层201的一面与阻挡构件30远离平坦化层201的一面之间的距离。
59.在一些实施例中，像素定义层40包括第一像素定义层401和第二像素定义层402，第一像素定义层401设置在平坦化层201远离阵列基板10的一面。第一像素定义层401具有亲液性。第二像素定义层402设置在第一像素定义层401远离平坦化层201的一面。第二像素定义层402具有疏液性。
60.亲液性是指材料表面易被液体介质润湿或溶化。疏液性(也可称为憎液性)与亲液性相反，疏液性是指材料表面不易被液体介质润湿或溶化。材料表面的亲液和憎液性质主要由其表面结构或官能团的性质所决定。本技术中可以通过调节制程工艺参数对像素定义层40的亲疏液性进行改变和调整，例如显影工艺和固化工艺的参数。对像素定义层40的亲疏液性进行改变和调整，可以适配不同打印工艺、墨水的种类以及膜层的厚度，使像素定义层40更容易适应不同显示面板的要求。
61.具体地，像素定义层40材料的厚度会影响材料的亲疏液性，例如，当疏液材料很薄的情况下，则不具有疏液性。另外，对材料进行氧气(o2)或氮气(n2)等离子体处理可以使疏液性变为亲液性，对材料进行氟气(f)等离子体处理可以使亲液性变为疏液性。
62.可选的，像素定义层40为line-bank结构，即面板中像素定义层40开孔至少一个纵横方向为贯穿条形开孔，使得像素定义层40也为贯穿条形。line-bank结构的像素定义层40更有利于喷墨打印成膜的有机分子得到更佳的均一性。
63.显示面板还包括阳极501、阴极503。其中，阳极501设置在平坦化层201远离阵列基板10的一面，且与阵列基板10电连接。开口40a暴露阳极501的一部分。发光部502a限定于开口40a内。阻挡构件30包围发光部502a。阴极503设置在像素定义层40远离阳极501的一面。
64.在一些实施例中，发光层502可采用喷墨印刷(ink-jet printing,ijp)的工艺进行制作。喷墨打印的发光层502材料浓度较低，需要打印较多的发光层502材料才能达成目标膜厚，但较多发光层502材料通常容易在打印时溢出开口，并与其他颜色的发光层502材料发生桥连导致混色。本技术实施例中的像素定义层40靠近阵列基板10的一侧具有亲液性、远离阵列基板10的一侧具有疏液性，则可以避免发光层502溢出导致混色。
diode，mini-led)显示面板等。
73.相应的，本技术实施例还提供一种显示面板的制作方法，显示面板的制作方法包括以下步骤：
74.步骤b001：提供一阵列基板。
75.其中，阵列基板的制作方法属于现有技术，此处不再赘述。
76.步骤b002：在阵列基板上形成平坦化层。
77.具体的，在阵列基板上涂布有机材料，例如丙烯酸树脂，以形成平坦化层。
78.步骤b003：在平坦化层上形成阳极，阳极通过过孔与阵列基板电连接。
79.具体地，在等离子体或电场的作用下，对第一电极材料进行轰击，把第一电极材料的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的第一电极材料带有一定的动能，沿一定的方向射向阵列基板，从而在阵列基板上形成第一电极材料。采用沉积的方法，速度快，膜层致密，附着性好，很适合于大批量，高效率工业生产。
80.在沉积第一电极材料之后，对第一电极材料进行图案化处理，以得到阳极。
81.步骤b004：在平坦化层上形成阻挡构件。
82.具体的，在一实施例中，通过等离子体增强化学的气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)在平坦化层上沉积一阻挡材料，并对阻挡材料进行蚀刻，以形成阻挡构件。
83.在另一实施例中，首先，通过等离子体增强化学的气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)在平坦化层上沉积第一阻挡材料，并对第一阻挡材料进行蚀刻，以形成第一阻挡墙。其次，通过光刻(photo)技术成膜，形成第二阻挡材料，然后对第二阻挡材料进行曝光、显影，以形成第二阻挡墙。最后，通过等离子体增强化学的气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)在平坦化层上沉积第三阻挡材料，并对第三阻挡材料进行蚀刻，以形成第三阻挡墙，以此形成阻挡构件。
84.步骤b005：通过光刻工艺在平坦化层上形成像素定义层。
85.步骤b006：通过喷墨打印或蒸镀工艺，在像素定义层的开口内形成发光层。
86.步骤b007：整面蒸镀金属镁或银中的至少一者，以形成阴极。
87.步骤b008：在阴极上形成封装层。
88.综上所述，虽然本技术已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本技术，本领域的普通技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本技术的保护范围以权利要求界定的范围为准。