技术特征：
1.一种具有寄生scr的双fin esd防护器件，其特征在于，包括一个单fin pnp晶体管、一个单fin npn晶体管、第三场氧隔离区(09)、第四场氧隔离区(10)、第五场氧隔离区(11)、第六场氧隔离区(12)、第一阳极金属电极(13)、第二阳极金属电极(14)、第一阴极金属电极(15)、第二阴极金属电极(16)；所述的第三场氧隔离区(09)设置于单fin npn晶体管右侧的p型衬底(01)和n型阱区(02)上方，所述的第四场氧隔离区(10)和第五场氧隔离区(11)依次设置于单fin npn晶体管和单fin pnp晶体管之间的p型衬底(01)和n型阱区(02)上方，所述的第六场氧隔离区(12)设置于单fin pnp晶体管左侧的p型衬底(01)和n型阱区(02)上方；所述的第一阳极金属电极(13)设置于第一n型重掺杂区(03)上方，所述的第二阳极金属电极(14)设置于第一p型重掺杂区(05)上方，所述的第一阴极金属电极(15)设置于第二n型重掺杂区(04)上方，所述的第二阴极金属电极(16)设置于第二p型重掺杂区(06)上方；所述的单fin pnp晶体管和单fin npn晶体管沿y轴方向上依次并排放置，组合形成寄生的scr结构。2.根据权利要求1所述的一种具有寄生scr的双fin esd防护器件，其特征在于，所述的单fin pnp晶体管，包括第一p型重掺杂区(05)、n型阱区(02)、第二场氧隔离区(08)、p型衬底(01)、第二p型重掺杂区(06)；所述的n型阱区(02)设置于p型衬底(01)中，所述的第一p型重掺杂区(05)设置于n型阱区(02)上方，所述的第二p型重掺杂区(06)设置于p型衬底(01)上方，所述的第二场氧隔离区(08)设置于第一p型重掺杂区(05)和第二p型重掺杂区(06)之间。3.根据权利要求1所述的一种具有寄生scr的双fin esd防护器件，其特征在于，所述的单fin npn晶体管，包括第一n型重掺杂区(03)、n型阱区(02)、第一场氧隔离区(07)、p型衬底(01)、第二n型重掺杂区(04)；所述的第一n型重掺杂区(03)设置于n型阱区(02)上方，所述的第二n型重掺杂区(04)设置于p型衬底(01)上方，所述的第一场氧隔离区(07)设置于第一n型重掺杂区(03)和第二n型重掺杂区(04)之间。4.根据权利要求1所述的一种具有寄生scr的双fin esd防护器件，其特征在于，包括一个等效电路，当器件开始泄放时，其内电流的路径为：一部分电流从单fin pnp晶体管q1的发射极流入集电极流出，即电流i
e1
到电流i
c1
；一部分电流从单fin npn晶体管q2的集电极流入发射极流出，即电流i
c2
到电流i
e2
；另有一部分电流在单fin pnp晶体管q1和单fin npn晶体管q2之间形成一条正反馈的电流环路，即电流i
b1
到电流i
c2
和电流i
c1
到电流i
b2
。5.根据权利要求1所述的一种具有寄生scr的双fin esd防护器件，其特征在于，所述的第一阳极金属电极(13)和第二阳极金属电极(14)相并联，第一阴极金属电极(15)、第二阴极金属电极(16)相并联，构成esd泄放时的金属互连。
技术总结
本发明公开了一种具有寄生SCR的双Fin ESD防护器件，包括一个单Fin PNP晶体管、一个单Fin NPN晶体管、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区、第五场氧隔离区、第六场氧隔离区、第一阳极金属电极、第二阳极金属电极、第一阴极金属电极、第二阴极金属电极。第一阳极金属电极设置于第一N型重掺杂区上方，第二阳极金属电极设置于第一P型重掺杂区上方，第一阴极金属电极设置于第二N型重掺杂区上方，第二阴极金属电极设置于第二P型重掺杂区上方。单Fin PNP晶体管和单Fin NPN晶体管沿Y轴方向上并排放置，组合成寄生SCR结构。本发明可有效提高小尺寸器件的鲁棒性，确保器件能够在ESD来临时迅速高效开启。高效开启。高效开启。
技术研发人员：成建兵 周嘉诚 刘立强 张效俊 孙旸
受保护的技术使用者：南京邮电大学
技术研发日：2022.05.13
技术公布日：2022/9/23