技术特征：
1.一种集成电路(ic)器件，包括：背侧互连结构，包括背侧互连；前端层，包括前端晶体管；后端层，包括后端存储器单元和后端互连；以及正侧互连结构，包括正侧互连，其中：所述前端层在所述背侧互连结构与所述后端层之间，所述后端层在所述前端层与所述正侧互连结构之间，并且所述背侧互连中的至少一个背侧互连通过所述后端互连中的两个或更多个后端互连的电馈通网络耦接到所述正侧互连中的至少一个正侧互连。2.根据权利要求1所述的ic器件，其中，所述后端互连中的所述两个或更多个后端互连包括至少一个导电过孔和至少一条导电线。3.根据权利要求1所述的ic器件，其中：所述ic器件具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述背侧互连中的所述至少一个背侧互连耦接到所述第一面处的导电触点，并且所述正侧互连中的所述至少一个正侧互连耦接到所述第二面处的导电触点。4.根据权利要求3所述的ic器件，其中，所述第一面处的所述导电触点和所述第二面处的所述导电触点中的单独一个导电触点包括导电焊盘或导电柱。5.根据权利要求1-4中任一项所述的ic器件，其中，所述电馈通网络耦接到所述后端存储器单元中的一个或多个后端存储器单元。6.根据权利要求1-4中任一项所述的ic器件，其中，所述电馈通网络用于向、或从、或向和从所述后端存储器单元中的一个或多个后端存储器单元传送信号。7.根据权利要求1-4中任一项所述的ic器件，其中：所述ic器件包括第一部分和第二部分，每个部分在所述ic器件的第一面与第二面之间延伸，所述第二面与所述第一面相对，所述背侧互连结构、所述前端层、所述后端层和所述正侧互连结构布置在所述ic器件的所述第一部分中，并且所述ic器件的所述第二部分包括在所述ic器件的所述第一面与所述第二面之间延伸的多个过孔。8.根据权利要求7所述的ic器件，其中：所述电馈通网络用于向、或从、或向和从所述后端存储器单元中的一个或多个后端存储器单元传送信号，并且所述ic器件的所述第二部分中的所述多个过孔用于向所述后端存储器单元中的一个或多个后端存储器单元提供电力。9.根据权利要求7所述的ic器件，其中：所述多个过孔是第一多个过孔，所述ic器件的所述第二部分还包括在所述ic器件的所述第一面与所述第二面之间延伸的第二多个过孔，并且所述第一多个过孔的平均间距大于所述第二多个过孔的平均间距。
10.根据权利要求9所述的ic器件，其中：所述第一多个过孔的所述平均间距在大约10微米至25微米之间，并且所述第二多个过孔的所述平均间距在大约2微米至12微米之间。11.根据权利要求9所述的ic器件，其中：所述第一多个过孔布置在第一行列中，所述第二多个信号过孔布置在第二行列中，并且所述第二行列基本上垂直于所述第一行列。12.根据权利要求1-4中任一项所述的ic器件，其中：所述背侧互连中的至少一个背侧互连的截面、所述后端互连中的至少一个后端互连的截面、以及所述正侧互连中的至少一个正侧互连的截面中的每一个截面是包括两条平行边的梯形，所述两条平行边中的一条边是短边，并且所述两条平行边中的另一条边是长边，并且对于所述背侧互连中的所述至少一个背侧互连的所述截面的所述梯形、所述后端互连中的所述至少一个后端互连中的所述截面的所述梯形、以及所述正侧互连中的所述至少一个正侧互连的所述截面的所述梯形中的每一个梯形，所述短边比所述长边更接近所述前端层。13.根据权利要求1-4中任一项所述的ic器件，其中，所述后端存储器单元中的单独一个后端存储器单元包括晶体管和耦接到所述晶体管的电容器。14.根据权利要求1-4中任一项所述的ic器件，其中，所述后端存储器单元布置在所述后端层的不同层中的多个存储器阵列中。15.一种集成电路(ic)封装，包括：ic器件；以及其他ic部件，耦接到所述ic器件，其中，所述ic器件包括：背侧互连结构，包括背侧互连；前端层，包括前端晶体管，所述前端层具有正侧和背侧；后端层，包括后端存储器单元和后端互连；以及正侧互连结构，包括正侧互连，其中：所述背侧互连结构在所述前端层的所述背侧上，所述后端层在所述前端层的所述正侧上，并且在所述前端层与所述正侧互连结构之间，并且所述背侧互连通过多个所述后端互连耦接到所述正侧互连。16.根据权利要求15所述的ic封装，其中，所述多个后端互连包括至少一个导电过孔和至少一条导电线。17.根据权利要求15-16中任一项所述的ic封装，其中：所述背侧互连耦接到所述ic器件的第一面处的导电触点，所述正侧互连耦接到所述ic器件的第二面处的导电触点，所述第二面与所述第一面相对，
所述ic封装还包括第一部件和第二部件，所述第一部件通过第一互连耦接到所述ic器件的所述第一面处的所述导电触点，并且所述第二部件通过第二互连耦接到所述ic器件的所述第二面处的所述导电触点。18.根据权利要求17所述的ic封装，其中，所述第一部件或所述第二部件包括封装衬底、中介层或其他ic管芯中的一个。19.一种制造集成电路(ic)器件的方法，所述方法包括：在包括半导体材料的支撑结构上方制造前端层，所述前端层包括前端晶体管，其中，所述前端晶体管中的单独一个前端晶体管的沟道区域是所述半导体材料的一部分；在所述前端层上方制造后端层，所述后端层包括后端存储器单元和后端互连；去除所述支撑结构的至少一部分，以暴露所述前端层的至少部分；在所述后端层上方制造包括正侧互连的正侧互连结构；以及在暴露的所述前端层上方制造包括背侧互连的背侧互连结构，其中，所述背侧互连中的至少一个背侧互连通过所述后端互连中的两个或更多个后端互连的电馈通网络耦接到所述正侧互连中的至少一个正侧互连。20.根据权利要求19所述的方法，其中：制造所述后端层包括：形成在所述后端层的第一面与第二面之间延伸的所述后端互连中的两个或更多个后端互连的所述电馈通网络，所述第二面与所述第一面相对，所述后端层的第一面处的所述后端互连中的两个或更多个后端互连的所述电馈通网络的一部分耦接到所述背侧互连中的所述至少一个背侧互连，并且所述后端层的第二面处的所述后端互连中的两个或更多个后端互连的所述电馈通网络的一部分耦接到所述正侧互连中的所述至少一个正侧互连。
技术总结
公开了具有后端存储器和IC器件的相对侧之间的互连的电馈通网络的IC器件，以及相关联组件、封装及方法。示例IC器件包括：背侧互连结构，包括背侧互连；前端层，包括前端晶体管；后端层，包括后端存储器单元和后端互连；以及正侧互连结构，包括正侧互连。在这样的IC器件中，前端层在背侧互连结构与后端层之间，后端层在前端层与正侧互连结构之间，并且背侧互连中的至少一个背侧互连通过后端互连中的两个或更多个后端互连的电馈通网络电耦接到正侧互连中的至少一个正侧互连。中的至少一个正侧互连。中的至少一个正侧互连。
技术研发人员：A
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2022.05.25
技术公布日：2022/12/26