液体回收组件、单晶圆处理设备及其控制方法与流程

本技术涉及一种湿处理设备，特别是涉及一种液体回收组件、单晶圆处理设备及其控制方法。

背景技术：

1、在半导体基板的工艺中，需要对半导体基板的元件设置面进行多道处理步骤，包含蚀刻、清洗等湿式处理程序。随着半导体基板的工艺复杂度增加，现已发展出一种单晶圆处理设备，其包含旋转台和回收环。单晶圆处理设备可对旋转台上的基板施加工艺液体，并且通过回收环收集所述工艺液体。

2、在传统的单晶圆处理设备中，回收环是采用单一升降机构。然而，如果待处理基板不是平坦表面，而是具有多个芯片堆叠于晶圆表面的凸块结构，此时当回收环的上升高度不足时，工艺液体可能会喷溅超过回收环的高度，进而越过回收环而污染到周围元件。另一方面，如果为了防止液体飞溅而增加回收环的高度差，当回收环下降到原点时，回收环容易与机械手臂互相干涉，进而导致机械手臂难以顺利地夹取或放入晶圆。

3、有鉴于此，有必要提供一种单晶圆处理设备，以解决上述技术问题

技术实现思路

1、为解决上述现有技术的问题，本技术的目的在于提供一种液体回收组件、单晶圆处理设备及其控制方法，其通过在回收环上增设一个门环，防止了液体飞溅越过回收环上方而污染周围元件。

2、为达成上述目的，本技术提供一种液体回收组件，包括：承载台；回收环，与所述承载台间隔设置；第一升降机构，连接所述承载台和所述回收环，其中所述回收环通过所述第一升降机构沿着垂直方向与所述承载台相对地移动；门环，设置在所述回收环远离所述承载台的一侧；以及第二升降机构，连接所述门环和所述回收环，其中所述门环通过所述第二升降机构沿着所述垂直方向与所述回收环相对地移动。

3、在一些实施例中，所述第一升降机构包括第一起始态和第一上升态，当所述第一升降机构处于所述第一起始态时，所述回收环与所述承载台相隔第一距离，以及当所述第一升降机构处于所述第一上升态时，所述回收环与所述承载台相隔第二距离，其中所述第二距离大于所述第一距离。

4、在一些实施例中，所述第二升降机构包括第二起始态和第二上升态，当所述第二升降机构处于所述第二起始态时，所述门环与所述回收环相隔第三距离，以及当所述第二升降机构处于所述第二上升态时，所述门环与所述回收环相隔第四距离，其中所述第四距离大于所述第三距离。

5、在一些实施例中，当所述第一升降机构处于所述第一起始态和所述第二升降机构处于所述第二起始态时，所述门环与所述承载台的距离为所述第一距离和所述第三距离的和，以及当所述第一升降机构处于所述第一上升态和所述第二升降机构处于所述第二上升态时，所述门环与所述承载台的距离为所述第二距离和所述第四距离的和。

6、本技术还提供一种单晶圆处理设备，包括：旋转台，配置为放置基板；液体供应装置，设置在所述旋转台上方，且配置为对所述基板施加工艺液体；以及液体回收组件，环绕地设置在所述旋转台的周围，并且可沿着垂直方向相对所述旋转台移动。所述液体回收组件包括：承载台；回收环，与所述承载台间隔设置，并且配置为收集从所述基板飞溅出的所述工艺液体；第一升降机构，连接所述承载台和所述回收环，其中所述回收环通过所述第一升降机构沿着所述垂直方向与所述承载台相对地移动；门环，设置在所述回收环远离所述承载台的一侧，并且配置为收集部分越过所述回收环而喷溅至所述回收环外部的所述工艺液体；以及第二升降机构，连接所述门环和所述回收环，其中所述门环通过所述第二升降机构沿着所述垂直方向与所述回收环相对地移动。

7、在一些实施例中，当取放所述基板时，所述回收环和所述门环的水平高度低于所述旋转台的水平高度，以及当所述旋转台旋转时，所述回收环和所述门环的水平高度高于所述旋转台的水平高度。

8、在一些实施例中，所述单晶圆处理设备还包含第一排放管和第二排放管，其中所述第一排放管与所述回收环的内部空间连通并且配置为排放所述回收环收集的所述工艺液体，以及所述第二排放管与所述门环的内部空间连通并且配置为排放所述门环收集的所述部分的所述工艺液体。

9、在一些实施例中，所述第一升降机构包括第一起始态和第一上升态，当所述第一升降机构处于所述第一起始态时，所述回收环与所述承载台相隔第一距离，以及当所述第一升降机构处于所述第一上升态时，所述回收环与所述承载台相隔第二距离，其中所述第二距离大于所述第一距离。

10、在一些实施例中，所述第二升降机构包括第二起始态和第二上升态，当所述第二升降机构处于所述第二起始态时，所述门环与所述回收环相隔第三距离，以及当所述第二升降机构处于所述第二上升态时，所述门环与所述回收环相隔第四距离，其中所述第四距离大于所述第三距离。

11、在一些实施例中，当所述第一升降机构处于所述第一起始态和所述第二升降机构处于所述第二起始态时，所述门环与所述承载台的距离为所述第一距离和所述第三距离的和，以及当所述第一升降机构处于所述第一上升态和所述第二升降机构处于所述第二上升态时，所述门环与所述承载台的距离为所述第二距离和所述第四距离的和。

12、在一些实施例中，当取放所述基板时，所述第一升降机构处于所述第一起始态和所述第二升降机构处于所述第二起始态，以及当所述旋转台旋转时，所述第一升降机构处于所述第一上升态和所述第二升降机构处于所述第二上升态。

13、本技术还提供一种单晶圆处理设备的控制方法，其中所述单晶圆处理设备包括旋转台、液体供应装置、承载台、回收环、第一升降机构、门环和第二升降机构，以及所述控制方法包括：在所述旋转台上放置基板；通过所述第一升降机构控制所述回收环同步带动所述门环一起沿着垂直方向朝远离所述承载台的方向移动；通过所述第二升降机构控制所述门环沿着所述垂直方向朝远离所述回收环的方向移动；以及控制所述旋转台旋转以及控制所述液体供应装置对所述基板施加工艺液体，其中所述回收环配置为收集从所述基板飞溅出的所述工艺液体，以及所述门环配置为收集部分越过所述回收环而喷溅至所述回收环外部的所述工艺液体。

14、在一些实施例中，所述第一升降机构包括第一起始态和第一上升态并且所述第二升降机构包括第二起始态和第二上升态，以及在所述旋转台上放置所述基板之前，所述控制方法还包括：控制所述第一升降机构处于所述第一起始态以及控制所述第二升降机构处于所述第二起始态，使得所述回收环和所述门环的水平高度低于所述旋转台的水平高度。

15、在一些实施例中，在控制所述旋转台旋转以及控制所述液体供应装置对所述基板施加所述工艺液体之前，所述控制方法还包括：控制所述第一升降机构处于所述第一上升态以及控制所述第二升降机构处于所述第二上升态，使得所述回收环和所述门环的水平高度高于所述旋转台的水平高度。

16、在一些实施例中，控制所述旋转台旋转以及控制所述液体供应装置对所述基板施加所述工艺液体之后，所述控制方法还包括：控制所述旋转台停止旋转以及控制所述液体供应装置停止对所述基板施加所述工艺液体；通过所述第二升降机构控制所述门环沿着所述垂直方向朝靠近所述回收环的方向移动；通过所述第一升降机构控制所述回收环同步带动所述门环一起沿着所述垂直方向朝靠近所述承载台的方向移动；以及从所述旋转台取走所述基板。

17、在一些实施例中，所述单晶圆处理设备还包含第一排放管和第二排放管，所述控制方法还包括：当控制所述旋转台旋转以及控制所述液体供应装置对所述基板施加所述工艺液体时，通过所述第一排放管排放所述回收环收集的所述工艺液体，以及通过所述第二排放管排放所述门环收集的所述部分的所述工艺液体。

18、相较于先前技术，本技术的单晶圆处理设备通过在回收环上增设门环，并且通过两个升降机构以两阶段的方式将回收环和门环进行升降，进而提高液体回收组件的整体高度差，防止药水飞溅越过回收环上方而污染设备。