技术特征：
1.一种电介质体，包括：以钛酸钡为主要成分的多个晶粒；和包括zr、eu和mn的添加剂，其中所述多个晶粒中的至少一个具有核壳结构，所述核壳结构具有核和壳，所述核的主要成分是钛酸钡，所述壳的主要成分是钛酸钡，所述壳的zr浓度高于所述核的zr浓度，其中zr/ti原子浓度比为0.02以上且0.10以下，其中eu/ti原子浓度比为0.001以上且0.03以下，其中mn/ti原子浓度比为0.005以上且0.05以下，其中所述电介质体具有eu以外的一种或多种稀土元素，或者不具有任何eu以外的稀土元素，其中当所述电介质体具有所述eu以外的一种或多种稀土元素时，所述eu以外的一种或多种稀土元素的总原子浓度小于eu的原子浓度，其中所述多个晶粒的中值直径为200nm以上且400nm以下。2.根据权利要求1所述的电介质体，其中所述添加剂的稀土元素仅为eu。3.一种层叠陶瓷电容器，包括：层叠结构，其具有多个电介质层中的每一层与多个内部电极层中的每一层交替层叠的结构，并且具有大致长方体形状，其中所述多个内部电极层中的每一层交替地露出于所述长方体形状的两个不同面中的每一面，其中露出于所述两个不同面的内部电极层彼此相对的部分是电容部，其中所述电容部中的电介质层具有以钛酸钡为主要成分的多个晶粒和包括zr、eu和mn的添加剂，其中所述多个晶粒中的至少一个具有核壳结构，所述核壳结构具有核和壳，所述核的主要成分是钛酸钡，所述壳的主要成分是钛酸钡，所述壳的zr浓度高于所述核的zr浓度，其中所述电容部中的所述电介质层的zr/ti原子浓度比为0.02以上且0.10以下，其中所述电容部中的所述电介质层的eu/ti原子浓度比为0.001以上且0.03以下，其中所述电容部中的所述电介质层的mn/ti原子浓度比为0.005以上且0.05以下，其中所述电容部中的所述电介质层具有eu以外的一种或多种稀土元素，或者不具有任何eu以外的稀土元素，其中当所述电容部中的所述电介质层具有所述eu以外的一种或多种稀土元素时，所述eu以外的一种或多种稀土元素的总原子浓度小于eu的原子浓度，其中所述多个晶粒的中值直径为200nm以上且400nm以下。4.根据权利要求3所述的层叠陶瓷电容器，其满足x8r特性。5.一种制造电介质体的方法，包括：通过以5000℃/h以上且10000℃/h以下的升温速率对电介质生片进行烧制，形成电介质体，其中所述电介质生片包括钛酸钡粉末和包括zr、eu和mn的添加剂，其中所述电介质生片中的zr/ti原子浓度比为0.02以上且0.10以下，其中所述电介质生片中的eu/ti原子浓度比为0.001以上且0.03以下，
其中所述电介质生片中的mn/ti原子浓度比为0.005以上且0.05以下，其中所述电介质生片具有eu以外的一种或多种稀土元素，或者不具有任何eu以外的稀土元素，其中当所述电介质生片具有所述eu以外的一种或多种稀土元素时，所述电介质生片中的所述eu以外的一种或多种稀土元素的总原子浓度小于所述电介质生片中的eu的原子浓度，其中所述电介质体包括以钛酸钡为主要成分的多个晶粒，其中所述多个晶粒的中值直径为200nm以上且400nm以下。6.一种制造层叠陶瓷电容器的方法，包括：通过将其中电介质生片上印刷有导电金属膏的层叠单元层叠，形成陶瓷层叠结构，所述电介质生片包括钛酸钡粉末和包括zr、eu和mn的添加剂；以5000℃/h以上且10000℃/h以下的升温速率对所述陶瓷层叠结构进行烧制，以便由所述电介质生片形成电介质层，其中所述电介质生片中的zr/ti原子浓度比为0.02以上且0.10以下，其中所述电介质生片中的eu/ti原子浓度比为0.001以上且0.03以下，其中所述电介质生片中的mn/ti原子浓度比为0.005以上且0.05以下，其中所述电介质生片具有eu以外的一种或多种稀土元素，或者不具有任何eu以外的稀土元素，其中当所述电介质生片具有所述eu以外的一种或多种稀土元素时，所述电介质生片中的所述eu以外的一种或多种稀土元素的总原子浓度小于所述电介质生片中的eu的原子浓度，其中所述电介质层包括以钛酸钡为主要成分的多个晶粒，其中所述多个晶粒的中值直径为200nm以上且400nm以下。
技术总结
本申请提供一种电介质体，该电介质体包括以钛酸钡为主要成分的多个晶粒，和包括Zr、Eu和Mn的添加剂。多个晶粒中的至少一个具有核壳结构，该核壳结构具有核和壳。Zr/Ti原子浓度比为0.02以上且0.10以下。Eu/Ti原子浓度比为0.001以上且0.03以下。Mn/Ti原子浓度比为0.005以上且0.05以下。当电介质体具有一种或多种稀土元素时，一种或多种稀土元素的总原子浓度小于Eu的原子浓度。多个晶粒的中值直径为200nm以上且400nm以下。200nm以上且400nm以下。200nm以上且400nm以下。
技术研发人员：津岛湧使 森田浩一郎
受保护的技术使用者：太阳诱电株式会社
技术研发日：2022.06.24
技术公布日：2022/12/26