技术特征：
1.一种接触结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成绝缘介质层；形成贯穿所述绝缘介质层的接触孔，所述接触孔包括连通的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段贯穿至所述衬底，所述第二孔段位于所述第一孔段远离所述衬底的一侧，且所述第一孔段在所述衬底上具有第一正投影，所述第二孔段在所述衬底上具有第二正投影，所述第二正投影位于所述第一正投影中；在所述接触孔中形成导电插塞。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层包括沿远离所述衬底的方向顺序层叠的第一绝缘层和第二绝缘层，形成所述接触孔的步骤包括：顺序刻蚀所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，以形成贯穿至所述衬底表面的所述接触孔。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层包括沿远离所述衬底的方向顺序层叠的第一绝缘层和第二绝缘层，形成所述接触孔的步骤包括：顺序刻蚀所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述衬底，以形成贯穿至所述衬底中的所述接触孔。4.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，控制所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的刻蚀选择比，形成倒酒杯形状的所述接触孔。5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一孔段位于所述第一绝缘层内，所述第二孔段位于所述第二绝缘层内。6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一孔段的第一部分位于所述衬底内，所述第一孔段的第二部分位于所述第一绝缘层内，所述第二孔段位于所述第二绝缘层内，所述第一部分包括弧形的底面。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述导电插塞的步骤包括：在所述接触孔的底面形成金属化合物层；在所述接触孔的孔壁和所述金属化合物层的表面覆盖阻挡层；在所述阻挡层的表面形成金属填充部，所述金属填充部填满所述接触孔。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述金属化合物层的步骤包括：在所述接触孔的孔壁和底面覆盖金属层；对覆盖有所述金属层的所述衬底进行退火处理，以使所述金属层与所述衬底反应形成所述金属化合物层。9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述金属化合物层的步骤包括：在所述接触孔的底面形成半导体外延层；在所述接触孔中形成至少覆盖所述半导体外延层的金属层；对覆盖有所述金属层的所述半导体外延层进行退火处理，以使所述金属层与所述半导体外延层反应形成所述金属化合物层。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述半导体外延层的厚度为10～20nm，所述金属层的厚度为5～30nm。11.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述金属填充部的步骤包括：在所述阻挡层的表面覆盖金属材料，以形成种子层；
采用电镀工艺在所述接触孔中填充所述金属材料，以形成所述导电插塞。12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述种子层的厚度为2～20nm。13.一种接触结构，其特征在于，包括位于衬底上的导电插塞，所述导电插塞包括：相连接的第一导电段和第二导电段，所述第二导电段设置于所述第一导电段远离所述衬底的一侧，其中，所述导电插塞的形状为倒酒杯状，所述第一导电段的截面尺寸大于所述第二导电段的截面尺寸。14.根据权利要求13所述的接触结构，其特征在于，在平行于所述衬底表面的方向上，所述第一导电段的最大截面尺寸与所述第二导电段的最大截面尺寸之比大于或等于2。15.根据权利要求13或14所述的接触结构，其特征在于，所述导电插塞还包括：金属化合物层，设置于所述衬底与所述第一导电段之间。16.根据权利要求13或14所述的接触结构，其特征在于，还包括：阻挡层，至少覆盖在所述导电插塞的外周。
技术总结
本公开提供了一种接触结构及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：在衬底上形成绝缘介质层；形成贯穿绝缘介质层的接触孔，接触孔包括连通的第一孔段和第二孔段，第一孔段贯穿至衬底，第二孔段位于第一孔段远离衬底的一侧，且第一孔段在衬底上具有第一正投影，第二孔段在衬底上具有第二正投影，第二正投影位于第一正投影中；在接触孔中形成导电插塞，从而使得接触孔的底部能够具有相比于上部更大的容纳尺寸，使得在上述接触孔中形成的导电插塞能够与衬底具有较大的接触面积，进而降低了导电插塞的接触电阻。塞的接触电阻。塞的接触电阻。
技术研发人员：孙闯 何丹丹
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.07.07
技术公布日：2022/10/13