技术特征：
1.一种非易失存储结构，其特征在于，所述非易失存储结构至少包括：衬底，形成于所述衬底上的深n阱，形成于所述深n阱上的p阱，形成于所述p阱内的第一有源区、第二有源区、第三有源区、第四有源区、第五有源区，形成于各有源区上的浮栅结构，以及形成于所述浮栅结构上的金属布线层；所述浮栅结构与所述第一有源区及所述第二有源区相交构成擦除选择管，第一金属线和第二金属线从所述第一有源区分别引出所述擦除选择管的漏极和源极，第三金属线从所述第二有源区引出所述擦除选择管的控制栅；所述浮栅结构与所述第三有源区相交构成电容；所述浮栅结构与所述第四有源区及所述第五有源区相交构成编程选择管，第四金属线和第五金属线从所述第五有源区分别引出所述编程选择管的漏极和源极，第六金属线从所述第四有源区引出所述编程选择管的控制栅；且，所述编程选择管的漏极通过所述第四金属线连接所述第三有源区。2.根据权利要求1所述的非易失存储结构，其特征在于：所述第一有源区、所述第二有源区、所述第三有源区、所述第四有源区及所述第五有源区依次间隔排布。3.根据权利要求1或2所述的非易失存储结构，其特征在于：所述第一有源区、所述第二有源区、所述第三有源区、所述第四有源区及所述第五有源区平行设置。4.根据权利要求3所述的非易失存储结构，其特征在于：所述浮栅结构与各有源区垂直设置。5.根据权利要求4所述的非易失存储结构，其特征在于：设置于所述第一有源区和所述第二有源区上的所述浮栅结构与设置于所述第四有源区和所述第五有源区上的所述浮栅结构交错分布。6.根据权利要求1所述的非易失存储结构，其特征在于：所述第一金属线与所述第四金属线位于所述浮栅结构的第一侧，所述第二金属线与所述第五金属线位于所述浮栅结构的第二侧。7.根据权利要求6所述的非易失存储结构，其特征在于：所述第二金属线与所述第五金属线为同一金属线。8.根据权利要求7所述的非易失存储结构，其特征在于：所述浮栅结构第二侧的所述第二有源区及所述第四有源区还通过接触孔连接所述第二金属线和所述第五金属线。9.根据权利要求7所述的非易失存储结构，其特征在于：所述第三金属线及所述第六金属线位于第一金属布线层，所述第一金属线、所述第二金属线、所述第四金属线及所述第五金属线位于第二金属布线层。10.根据权利要求9所述的非易失存储结构，其特征在于：相邻非易失存储结构两两构成一组，同一组的两个非易失存储结构对称设置，且各擦除选择管及编程选择管的源极共用同一金属线。11.根据权利要求1所述的非易失存储结构，其特征在于：所述编程选择管为耗尽型晶体管。12.根据权利要求1所述的非易失存储结构，其特征在于：所述浮栅结构与所述第一有源区和第二有源区的交叠面积为所述浮栅结构与所述第四有源区和所述第五有源区的交叠面积的2～4倍。
13.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件至少包括：如权利要求1-12任意一项所述的非易失存储结构。14.根据权利要求13所述的存储器件，其特征在于：所述存储器件为多次可编程存储器件或单次可编程存储器件。
技术总结
本发明提供一种非易失存储结构及存储器件，包括：衬底、深N阱、P阱、第一～第五有源区、浮栅结构及金属布线层；浮栅结构与第一、第二有源区相交构成擦除选择管，第一、第二金属线从第一有源区引出擦除选择管的漏极和源极，第三金属线从第二有源区引出控制栅；浮栅结构与第三有源区相交构成电容；浮栅结构与第四、第五有源区相交构成编程选择管，第四、第五金属线从第五有源区引出编程选择管的漏极和源极，第六金属线从第四有源区引出控制栅；且编程选择管的漏极连接第三有源区。本发明采用水平设置的单层多晶硅结构，兼容标准逻辑制程工艺，制造成本低、结构简单；擦除和编程时的选择管分开设置，不互相干扰，提升编程擦除效率。提升编程擦除效率。提升编程擦除效率。
技术研发人员：陈精纬
受保护的技术使用者：中宇天智集成电路（上海）有限公司
技术研发日：2022.08.10
技术公布日：2022/11/4