1.一种mv器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的mv器件，其特征在于：所述介质分割结构由填充于分割沟槽中的介质层组成；
3.如权利要求2所述的mv器件，其特征在于：所述介质分割结构的介质层包括第一介质层，所述第一介质层和所述侧墙的介质层的工艺结构相同且同时形成。
4.如权利要求3所述的mv器件，其特征在于：所述分割沟槽的宽度小于等于所述侧墙的介质层的厚度的两倍，所述第一介质层将所述分割沟槽完全填充，所述介质分割结构的介质层由所述第一介质层组成；
5.如权利要求4所述的mv器件，其特征在于：所述第一介质层为氧化层或者为氮化层或者为氧化层和氮化层的叠加层；
6.如权利要求1所述的mv器件，其特征在于：mv器件的形成区域位于第一有源区中，所述第一有源区由场氧化层环绕区域的半导体衬底组成；
7.如权利要求1所述的mv器件，其特征在于：所述栅介质层的材料包括氧化层。
8.如权利要求1所述的mv器件，其特征在于：所述栅极导电材料层的材料包括多晶硅。
9.一种mv器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
10.如权利要求9所述的mv器件的制造方法，其特征在于：步骤五中，所述介质分割结构的介质层包括第一介质层，所述第一介质层为所述侧墙的介质层；所述第一介质层的形成工艺合并到步骤四中并采用步骤四中的所述侧墙工艺形成。
11.如权利要求10所述的mv器件的制造方法，其特征在于：所述分割沟槽的宽度小于等于所述侧墙的介质层的厚度的两倍，所述第一介质层将所述分割沟槽完全填充并组成介质分割结构，步骤四和步骤五合并在一起实现。
12.如权利要求10所述的mv器件的制造方法，其特征在于：所述分割沟槽的宽度大于所述侧墙的介质层的厚度的两倍，所述第一介质层未将所述分割沟槽完全填充且在所述分割沟槽中形成有间隙，步骤五中还包括：
13.如权利要求12所述的mv器件的制造方法，其特征在于：步骤五中的所述第二介质层的形成工艺放置在步骤六之后；在进行步骤六之前，还包括采用光刻胶将所述分割沟槽的间隙完全填充，之后再进行步骤六，之后再去除所述分割沟槽中的光刻胶。
14.如权利要求12所述的mv器件的制造方法，其特征在于：所述第一介质层为氧化层或者为氮化层或者为氧化层和氮化层的叠加层；
15.如权利要求9所述的mv器件的制造方法，其特征在于：所述栅介质层的材料包括氧化层。
16.如权利要求9所述的mv器件的制造方法，其特征在于：所述栅极导电材料层的材料包括多晶硅。