用于处理基板的装置的制作方法

本文描述的本发明构思的实施方式涉及一种基板处理装置，更具体地，涉及一种对基板执行干燥工艺的基板处理装置。

背景技术：

1、通常，为了制造半导体元件，执行各种工艺，例如光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺和沉积工艺。此外，在执行这些工艺时会产生各种杂质，例如颗粒、有机污染物和金属杂质。这些杂质在基板中引起缺陷，因此成为直接影响半导体元件性能和产率的因素。在半导体元件的制造过程中，必须包括用于去除此类杂质的清洁工艺。

2、最近，在用于清洁基板的工艺或使基板显影的工艺中使用超临界流体。根据一个实施方式，可使用诸如异丙醇(ipa)的防倾液体润湿基板的顶表面，然后可以在超临界状态下向基板的顶表面供应二氧化碳(co2)，以去除剩余的防倾液体。

3、在使用超临界流体执行工艺的处理空间内，应保持高于临界温度和临界压力的环境。此外，超临界流体应均匀分布在处理空间内。然而，由于处理空间内的结构问题，超临界流体无法在处理空间内均匀流动。在一个实施方式中，如果在处理空间内供应超临界流体的供应端口偏置于处理空间的中心布置，则超临界流体相对集中在设置供应端口的区域。也就是说，超临界流体在处理空间内不对称流动。如果以高速将超临界流体供应到处理空间中，则处理空间内超临界流体的不对称性会进一步加剧。为此，不能对布置在处理空间内的基板执行均匀处理。此外，由于超临界流体的不对称性，在相对较多地供应了超临界流体的基板的特定区域中会出现大量颗粒。

技术实现思路

1、本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其用于向处理空间均匀地供应工艺流体。

2、本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其用于在以高速向处理空间供应处理流体时使工艺流体在处理空间中均匀地流动。

3、本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其用于在使用工艺流体处理基板时抑制特定区域处的颗粒浓度。

4、本发明构思的技术目的不仅限于上述，根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员将是显而易见的。

5、本发明构思提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，所述壳体用于提供用于在其中处理基板的处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑所述基板；底部供应端口，所述底部供应端口用于向所述处理空间供应工艺流体；和填充构件，所述填充构件位于在所述处理空间中被支撑在所述支撑单元上的所述基板下方，其中所述填充构件形成面向所述底部供应端口的缓冲空间，并且在所述填充构件与所述壳体的内壁之间形成通道，所述通道使被引入所述缓冲空间中的所述工艺流体沿着所述基板的方向流动。

6、在一个实施方式中，当俯视时所述底部供应端口定位成与所述缓冲空间交叠。

7、在一个实施方式中，所述壳体包括顶部壳体和底部壳体，所述顶部壳体形成带有开放顶部的凹槽，并且所述填充构件的至少一部分插入所述凹槽中。

8、在一个实施方式中，所述填充构件包括：基部；和突出部，所述突出部从所述基部的底表面沿向下方向延伸。

9、在一个实施方式中，所述基部设置为与所述壳体的所述内壁间隔开。

10、在一个实施方式中，在所述基部的顶表面处形成至少一个支撑销，以通过接触被放置在所述支撑单元上的所述基板的底表面而使所述基板与所述支撑单元间隔开预定距离。

11、在一个实施方式中，沿着限定所述缓冲空间的所述突出部的内表面形成具有螺旋形形状的狭缝。

12、在一个实施方式中，所述填充构件包括：基部；和突出部，所述突出部从所述基部的底表面沿向下方向延伸，其中所述突出部的至少一部分插入所述凹槽中，并且所述基部位于所述凹槽上方并且设置为当俯视时大于所述凹槽的面积。

13、在一个实施方式中，在所述突出部的底端形成彼此间隔开的多个支撑突起，支撑突起将所述突出部的所述底端与限定所述凹槽的底表面间隔开，并且所述突出部的顶端定位成高于所述凹槽的顶端，并且所述支撑突起之间的空间设置为所述通道。

14、在一个实施方式中，所述工艺流体是超临界流体。

15、本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，所述壳体用于提供用于在其中处理基板的处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑所述基板；供应端口，所述供应端口用于向所述处理空间供应工艺流体；和缓冲板，所述缓冲板通过与在所述壳体形成的凹槽联接在一起而形成缓冲空间，并具有用于将所述处理空间与所述缓冲空间连通的开口。

16、在一个实施方式中，基板处理装置还包括填充构件，所述填充构件位于在所述处理空间中被支撑在所述支撑单元上的所述基板下方，所述填充构件位于所述缓冲板下方。

17、在一个实施方式中，所述壳体包括第一壳体和第二壳体，所述第二壳体具有沿远离被支撑在所述支撑单元上的所述基板的方向凹进形成的所述凹槽。

18、在一个实施方式中，所述缓冲板位于所述凹槽处，并且所述缓冲板的面向从所述供应端口供应的所述工艺流体的区域是阻挡区域。

19、在一个实施方式中，当俯视时所述填充构件设置为具有大于所述凹槽的面积。

20、在一个实施方式中，所述填充构件的底表面设置为高于所述缓冲板的顶表面。

21、在一个实施方式中，所述工艺流体是超临界流体。

22、本发明构思提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，所述壳体用于提供用于在其中处理基板的处理空间，并包括顶部壳体和底部壳体，所述底部壳体具有带有开放顶部的凹槽；支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间处支撑所述基板；顶部供应端口，所述顶部供应端口用于从所述处理空间上方供应工艺流体；底部供应端口，所述底部供应端口用于从所述处理空间下方或侧面供应所述工艺流体；以及填充构件，所述填充构件位于在所述处理空间中被支撑在所述支撑单元上的所述基板下方，其中所述填充构件具有面向所述底部供应端口形成的缓冲空间，并且在所述填充构件与所述壳体的内壁之间形成通道，所述通道使通过所述底部供应端口引入所述缓冲空间中的所述工艺流体沿着所述基板的方向流动。

23、在一个实施方式中，填充构件包括：基部；和呈环形的突出部，所述突出部从所述基部的底表面沿向下方向延伸，其中所述基部位于所述凹槽上方并且当俯视时大于所述凹槽的面积，并且其中所述突出部位于所述凹槽内，并朝向所述凹槽的中心与所述凹槽的侧表面间隔开。

24、在一个实施方式中，在所述突出部的底端形成支撑突起，所述突出部的所述底端与所述凹槽的底表面沿向上方向间隔开，并且所述突出部的顶端定位成高于所述凹槽的顶端。

25、根据本发明构思的实施方式，可以有效地处理基板。

26、根据本发明构思的实施方式，可以向处理空间均匀地供应工艺流体。

27、根据本发明构思的实施方式，在以高速向处理空间供应工艺流体时可以使工艺流体在处理空间中均匀地流动。

28、根据本发明构思的实施方式，在通过使用工艺流体处理基板时可以抑制基板的特定区域处的颗粒浓度。

29、本发明构思的效果不仅限于上述，根据以下描述，其他未提及的效果对于本领域技术人员将是显而易见的。