1.一种基板处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中当俯视时所述底部供应端口定位成与所述缓冲空间交叠。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述壳体包括顶部壳体和底部壳体，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述填充构件包括：
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述基部设置为与所述壳体的所述内壁间隔开。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中在所述基部的顶表面处形成至少一个支撑销，以通过接触被放置在所述支撑单元上的所述基板的底表面而使所述基板与所述支撑单元间隔开预定距离。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中沿着限定所述缓冲空间的所述突出部的内表面形成具有螺旋形形状的狭缝。
8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述填充构件包括：
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中在所述突出部的底端形成彼此间隔开的多个支撑突起，支撑突起将所述突出部的所述底端与限定所述凹槽的底表面间隔开，并且所述支撑突起的顶端定位成高于所述凹槽的顶端，并且，
10.根据权利要求1-9中任一项所述的基板处理装置，其中所述工艺流体是超临界流体。
11.一种基板处理装置，包括：
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，还包括填充构件，所述填充构件位于在所述处理空间中被支撑在所述支撑单元上的所述基板下方，所述填充构件位于所述缓冲板下方。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中所述壳体包括第一壳体和第二壳体，并且所述第二壳体具有沿远离被支撑在所述支撑单元上的所述基板的方向凹进形成的所述凹槽。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中所述缓冲板位于所述凹槽处，并且所述缓冲板的面向从所述供应端口供应的所述工艺流体的区域是阻挡区域。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中当俯视时所述填充构件设置为具有大于所述凹槽的面积。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中所述填充构件的底表面设置为高于所述缓冲板的顶表面。
17.根据权利要求11-16中任一项所述的基板处理装置，其中所述工艺流体是超临界流体。
18.一种基板处理装置，包括：
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中所述填充构件包括：
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中在所述突出部的底端形成支撑突起，所述突出部的所述底端与所述凹槽的底表面沿向上方向间隔开，并且，