技术特征：
1.一种环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，包括：形成环栅晶体管结构，所述环栅晶体管结构包括衬底以及形成于所述衬底上沿第一方向排列的的若干鳍结构以及若干假栅堆叠件；所述若干假栅堆叠件横跨每个鳍结构，且沿第二方向排列；所述第二方向垂直于所述第一方向；所述鳍结构包括：间隔堆叠的牺牲层与沟道层；刻蚀所述假栅堆叠件之间的所述鳍结构，以形成源漏空腔；刻蚀所述牺牲层的沿所述第一方向的两端，以形成内侧墙空腔；在所述内侧墙空腔中沉积氧化硅和氮化硅；刻蚀掉所述内侧墙空腔外的所述氧化硅和所述氮化硅，以在所述内侧墙空腔中形成内侧墙，其中，所述内侧墙的组成成分是氮氧硅。2.根据权利要求1所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，在所述内侧墙空腔中沉积氧化硅和氮化硅之后还包括：对所述氧化硅和所述氮化硅进行退火，使得在所述内侧墙空腔中填满所述氮氧硅。3.根据权利要求2所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，所述氮氧硅中的氮元素与氧元素的比例是可调的。4.根据权利要求3所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，构成所述氮氧硅的所述氮元素与所述氧元素的比例通过调节沉积的所述氮化硅与所述氧化硅之间的厚度的比例来实现。5.根据权利要求4所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，所述氧化硅的厚度：所述氮化硅的厚度是1：1，2：1，3：1，1：2或1：3。6.根据权利要求5所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，所述氮氧硅中的所述氧元素含量：所述氮元素含量的比值，沿远离所述牺牲层的方向上依次递减。7.根据权利要求6所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，在所述内侧墙空腔中沉积氧化硅和氮化硅采用的方式是：循环沉淀的方式。8.根据权利要求7所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，所述循环沉淀的方式是原子层沉积的方式。9.根据权利要求8所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，在所述内侧墙空腔中沉积氧化硅和氮化硅，具体包括：依次沉积一层所述氧化硅和一层所述氮化硅；重复上述步骤，以在所述内侧墙空腔中填满间隔堆叠的所述氧化硅层和所述氮化硅层。10.根据权利要求9所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，每次沉积一层所述氧化硅和一层所述氮化硅之后，还包括：对所述氧化硅和所述氮化硅进行退火，以形成所述氮氧硅。11.根据权利要求9或10任一项所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，每一层沉积的所述氧化硅和/或所述氮化硅的厚度在0.01nm-2nm之间。12.根据权利要求11所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法，其特征在于，在所述内侧墙空腔中沉积氧化硅和氮化硅时，选用的前驱体分别是：二氯硅烷、双(叔丁基氨基)硅烷、三(二甲氨基)硅烷、双(二乙胺基)硅烷或二(异丙氨基)硅烷。
13.一种环栅晶体管的制作方法，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法。14.一种电子设备的制作方法，其特征在于，包括权利要求13所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法。15.一种环栅晶体管的内侧墙，其特征在于，利用权利要求1-12任一项所述的环栅晶体管的内侧墙的制作方法制作而成。16.一种环栅晶体管，其特征在于，包括权利要求15所述的环栅晶体管的内侧墙。17.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求16所述的环栅晶体管。
技术总结
本发明提供了一种环栅晶体管的内侧墙的制作方法，包括：形成环栅晶体管结构，环栅晶体管结构包括衬底以及形成于衬底上沿第一方向排列的的若干鳍结构以及若干假栅堆叠件；若干假栅堆叠件横跨每个鳍结构，且沿第二方向排列；鳍结构包括：间隔堆叠的牺牲层与沟道层；刻蚀假栅堆叠件之间的鳍结构，以形成源漏空腔；刻蚀牺牲层的沿第一方向的两端，以形成内侧墙空腔；在内侧墙空腔中沉积氧化硅和氮化硅；刻蚀掉内侧墙空腔外的氧化硅和氮化硅，以在内侧墙空腔中形成内侧墙，其中，内侧墙的组成成分是氮氧硅。解决了环栅晶体管的内侧墙的材料介电常数较大，不利于减少寄生电容的问题，以及内侧墙的刻蚀工艺与其他工艺兼容性差的问题。内侧墙的刻蚀工艺与其他工艺兼容性差的问题。内侧墙的刻蚀工艺与其他工艺兼容性差的问题。
技术研发人员：孙新 钱乐雯 汪大伟 刘桃 陈鲲 杨静雯 徐敏 吴春蕾 王晨 张卫
受保护的技术使用者：上海集成电路制造创新中心有限公司
技术研发日：2022.11.15
技术公布日：2023/1/5