技术特征：
1.一种竖直传导mosfet器件，包括：碳化硅的主体，具有第一面和第二面以及外围区域，所述主体包括：第一导电类型的第一电流传导区，从所述第二面在所述主体中延伸，并且具有面向所述第一面的表面部分；第二导电类型的主体区，从所述第一面在所述主体中延伸；以及所述第一导电类型的第二电流传导区，从所述主体的所述第一面延伸到所述主体区的内部；绝缘栅极区，在所述主体的所述第一面上延伸，并且横向覆盖在所述主体区的、在所述第一电流传导区与所述第二电流传导区之间的一部分上，所述绝缘栅极区包括栅极导电区；以及表面边缘结构，在所述主体的所述外围区域中、在所述主体的所述第一面上延伸，所述表面边缘结构包括导电材料的环形连接区，其中所述栅极导电区和所述环形连接区各自包括硅层、以及覆盖在所述硅层上的金属硅化物层。2.根据权利要求1所述的竖直传导mosfet器件，其特征在于，所述硅层是多晶层。3.根据权利要求1所述的竖直传导mosfet器件，其特征在于，所述金属硅化物层是以下项中的一种：钨硅化物、钛硅化物、镍硅化物、钴硅化物或铂硅化物。4.根据权利要求1所述的竖直传导mosfet器件，其特征在于：所述栅极导电区包括包含所述硅层的栅极半导体部分、以及包含所述金属硅化物层的栅极金属部分，并且所述环形连接区包括包含所述硅层的半导体连接部分、以及包含所述金属硅化物层的金属连接部分。5.根据权利要求4所述的竖直传导mosfet器件，其特征在于，所述表面边缘结构包括钝化层，所述钝化层完全覆盖所述环形连接区的所述金属连接部分。6.根据权利要求4所述的竖直传导mosfet器件，其特征在于，所述栅极半导体部分具有第一宽度，所述栅极金属部分具有第二宽度，所述第一宽度等于所述第二宽度。7.根据权利要求4所述的竖直传导mosfet器件，其特征在于，所述栅极半导体部分具有第一宽度，所述栅极金属部分具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。8.根据权利要求1所述的竖直传导mosfet器件，其特征在于，所述主体的所述第一面具有面积和中心部分，所述竖直传导mosfet器件还包括在所述主体的第一面上延伸、与所述第二电流传导区直接电接触的传导接触金属区，所述传导接触金属区包括单个接触部分，所述单个接触部分覆盖所述第一面的所述面积的大部分，并且在所述第一面的所述中心部分上方不中断地延伸。9.根据权利要求1所述的竖直传导mosfet器件，其特征在于，所述主体具有两个相对侧表面，所述环形连接区具有第一分支和第二分支，所述第一分支和所述第二分支在所述主体的所述相对侧表面附近延伸，并且所述栅极导电区在所述环形连接区的所述第一分支与所述第二分支之间具有连续性地延伸。10.一种结构，包括：第一导电类型的半导体主体，所述半导体主体具有第一表面和与所述第一表面相对的
第二表面；第二导电类型的主体区，从所述半导体主体的所述第一表面延伸到所述半导体主体中；所述第一导电类型的电流传导区，从所述半导体主体的所述第一表面延伸到所述主体区中；栅极区，在所述主体的所述第一表面上延伸，并且横向地覆盖在所述主体区的一部分上，所述主体区的所述一部分位于所述半导体主体与所述电流传导区之间；以及表面边缘结构，在所述栅极区外部、在所述第一表面的一部分上延伸并且包括导电结构。11.根据权利要求10所述的结构，其特征在于，所述导电结构包括沿着所述半导体主体的外围部分的环形连接区。12.根据权利要求11所述的结构，其特征在于，所述环形连接区和所述栅极区包括相同的导电材料。13.根据权利要求11所述的结构，其特征在于，所述表面边缘结构包括在所述环形连接区横向外侧的边缘绝缘结构。
技术总结
本公开涉及竖直传导MOSFET器件及结构。一种竖直传导MOSFET器件，形成在碳化硅的主体中，该主体具有第一面和第二面以及外围区域。第一导电类型的漏极区在两个面之间的主体中延伸。第二导电类型的主体区从第一面在主体中延伸，并且具有第一导电类型的源极区从主体的第一面延伸到主体区的内部。绝缘栅极区在主体的第一面上延伸并且包括栅极导电区。导电材料的环形连接区在外围区域中、形成在表面边缘结构内，该表面边缘结构在主体的第一面上延伸。栅极导电区和环形连接区由硅层和覆盖在硅层上的金属硅化物层形成。通过使用根据本公开的实施例，能够有效地利用管芯的面积。能够有效地利用管芯的面积。能够有效地利用管芯的面积。
技术研发人员：M
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
技术研发日：2022.02.16
技术公布日：2022/11/17