技术特征：
1.一种传感器，其特征在于，所述传感器包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的感光点的矩阵，所述矩阵的每个感光点由包括多晶硅的隔离沟槽界定；以及所述半导体衬底的外围区，直接围绕感光点的所述矩阵延伸，所述外围区包括由包含多晶硅的隔离沟槽界定的虚设感光点；其中所述外围区中的多晶硅密度低于在感光点的所述矩阵的外边缘处的多晶硅密度、并且高于在围绕所述外围区的所述半导体衬底的范围中的多晶硅密度。2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述外围区包括围绕感光点的所述矩阵的外围隔离沟槽，所述外围区的所述外围隔离沟槽以大于所述矩阵中的所述感光点的宽度的距离与感光点的所述矩阵的所述外边缘分离。3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述外围区包括围绕感光点的所述矩阵延伸的一系列外围隔离沟槽，其中所述一系列外围隔离沟槽中的两个连续外围隔离沟槽之间的距离大于所述矩阵中的所述感光点的宽度，并且其中所述两个连续外围隔离沟槽之间的所述距离从最靠近感光点的所述矩阵的所述外边缘的所述外围隔离沟槽开始增加。4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述外围区包括围绕感光点的所述矩阵的外围隔离沟槽，所述外围区的所述外围隔离沟槽在小于界定所述矩阵的所述感光点的所述隔离沟槽的深度的一个深度上延伸。5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述外围区包括围绕感光点的所述矩阵延伸的一系列的外围隔离沟槽，其中所述外围隔离沟槽的深度和所述外围隔离沟槽的宽度从最靠近感光点的所述矩阵的所述外围隔离沟槽开始下降。6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述外围区的所述外围隔离沟槽具有的所述深度介于界定所述矩阵的所述感光点的所述隔离沟槽的深度的三分之一与三分之二之间。7.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述外围区具有的宽度介于20μm与400μm之间。8.一种传感器，其特征在于，所述传感器包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的感光点的矩阵，由包括多晶硅的第一隔离沟槽界定；以及所述半导体衬底的第一外围区，围绕感光点的所述矩阵，所述第一外围区包括由包含多晶硅的第二隔离沟槽界定的第一虚设感光点；其中所述第一外围区的所述第二隔离沟槽中的多晶硅密度低于用于感光点的所述矩阵的所述第一隔离沟槽中的多晶硅密度。9.根据权利要求8所述的传感器，其特征在于，所述传感器进一步包括：所述半导体衬底的第二外围区，围绕所述半导体衬底的所述第一外围区，所述第二外围区包括由包含多晶硅的第三隔离沟槽界定的第二虚设感光点；其中所述第二外围区的所述第三隔离沟槽中的多晶硅密度小于所述第一外围区的所述第二隔离沟槽中的所述多晶硅密度。10.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，感光点的所述矩阵以第一间距被布置，
所述第一虚设感光点以大于所述第一间距的第二间距被布置，并且所述第二虚设感光点以大于所述第二间距的第三间距被布置。11.根据权利要求10所述的传感器，其特征在于，所述第二间距是所述第一间距的两倍，并且所述第三间距是所述第一间距的四倍。12.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，所述第二隔离沟槽的深度小于所述第一隔离沟槽的深度，并且其中所述第三隔离沟槽的深度小于所述第二隔离沟槽的深度。13.根据权利要求8所述的传感器，其特征在于，感光点的所述矩阵以第一间距被布置，并且所述第一虚设感光点以大于所述第一间距的第二间距被布置。14.根据权利要求13所述的传感器，其特征在于，所述第二间距是所述第一间距的两倍。15.根据权利要求8所述的传感器，其特征在于，所述第二隔离沟槽的深度小于所述第一隔离沟槽的深度。
技术总结
本公开的实施例涉及传感器。传感器包括：半导体衬底；半导体衬底中的感光点的矩阵，每个感光点由包括多晶硅的隔离沟槽界定；以及半导体衬底的外围区，直接围绕感光点矩阵延伸，外围区包括由包含多晶硅的隔离沟槽界定的虚设感光点。外围区中多晶硅的密度介于在感光点矩阵边缘处的多晶硅密度与围绕外围区的多晶硅密度之间。硅密度之间。硅密度之间。
技术研发人员：F
受保护的技术使用者：意法半导体（克洛尔2）公司
技术研发日：2022.04.21
技术公布日：2022/10/13