1.一种半导体衬底的加工变质层的评价方法，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的加工变质层的评价方法，其中，所述半导体衬底是碳化硅衬底。
3.根据权利要求1或2所述的加工变质层的评价方法，其中，
4.根据权利要求3所述的加工变质层的评价方法，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，所述激光具有比所述半导体衬底的带隙大的光子能量。
6.根据权利要求5所述的加工变质层的评价方法，其中，所述激光具有所述半导体衬底的带隙的约101～122％的光子能量。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，包括使用s偏振光的测量工序，使s偏振光的激光从所述半导体衬底的表面入射，测量在所述表面下方散射的散射光的强度。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，包括使用p偏振光的测量工序，使p偏振光的激光从所述半导体衬底的表面入射，测量在所述表面下方散射的散射光的强度。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，包括：
10.根据权利要求1至9中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，所述半导体衬底具有被平坦化的表面。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，所述激光相对于所述半导体衬底的表面的法线以40°≤θ≤80°的入射角度θ入射到所述半导体衬底。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的加工变质层的评价方法，其中，
13.根据权利要求12所述的加工变质层的评价方法，其中，所述测量工序包括调整所述激光的所述侵入特性的光调整工序。
14.根据权利要求13所述的加工变质层的评价方法，其中，所述光选择工序包括遮蔽在偏离所述检查区域的非检查区域处产生的散射光。
15.根据权利要求14所述的加工变质层的评价方法，其中，所述光选择工序包括遮蔽在所述半导体衬底的背面产生的反射光和/或散射光。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的评价方法，其中，所述测量工序包括在使所述半导体衬底旋转的同时扫描所述激光的扫描工序。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的评价方法，其中，所述测量工序是测量包含弹性散射的所述散射光的工序。
18.一种评价系统，其中，包括：
19.根据权利要求18所述的评价系统，其中，
20.根据权利要求19所述的评价系统，其中，
21.根据权利要求18至20中任一项所述的评价系统，其中，所述投光系统照射具有比所述半导体衬底的带隙大的光子能量的所述激光。
22.根据权利要求21所述的评价系统，其中，所述投光系统照射具有所述半导体衬底的带隙的约101～122％的光子能量的所述激光。
23.根据权利要求18至22中任一项所述的评价系统，其中，包括：
24.根据权利要求18至23中任一项所述的评价系统，其中，所述投光系统以相对于所述半导体衬底的表面的法线为40°≤θ≤80°的入射角θ对所述半导体衬底照射所述激光。
25.根据权利要求18至24中任一项所述的评价系统，其中，
26.根据权利要求25所述的评价系统，其中，所述投光系统具有调整所述激光的所述侵入特性的光调整器，所述光接收系统具有选择性地测量在所述检查区域处产生的散射光的光选择器。
27.根据权利要求26所述的评价系统，其中，所述光选择器包括遮蔽在偏离所述检查区域的非检查区域处产生的散射光的狭缝。
28.根据权利要求27所述的评价系统，其中，所述光选择器包括遮蔽在所述半导体衬底的背面产生的反射光和/或散射光的狭缝。
29.根据权利要求18至28中任一项所述的评价系统，其中，所述半导体衬底是碳化硅衬底。
30.一种半导体衬底的评价方法，其中，包括：
31.根据权利要求30所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述半导体衬底是碳化硅衬底。
32.根据权利要求30或31所述的半导体衬底的评价方法，其中，
33.根据权利要求30至32中任一项所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述激光具有偏振特性。
34.根据权利要求33所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述激光是s偏振光和/或p偏振光。
35.根据权利要求30至34中任一项所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述评价工序包括根据所述统计量计算所述半导体衬底的表面下方的应变量的应变量计算工序。
36.根据权利要求30至35中任一项所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述评价工序还包括确定大于预定上限值的所述强度测量值并进行标记的峰值确定工序。
37.根据权利要求30至36中任一项所述的半导体衬底的评价方法，其中，
38.根据权利要求30至37中任一项所述的半导体衬底的评价方法，其中，包括：映射工序，基于将所述强度测量值的下限到上限分割为多个的阈值，制作所述强度测量值的分布图。
39.根据权利要求38所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述映射工序包括，基于多个阈值来制作所述强度测量值的分布图，以便能够阶段性地识别应变量。
40.根据权利要求30至39中任一项所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述评价工序包括：
41.根据权利要求40所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述参数提取工序包括提取多个所述强度测量值的位置参数的位置参数提取工序。
42.根据权利要求41所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述位置参数提取工序是提取多个所述强度测量值的众数的工序。
43.根据权利要求41或42所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述参数提取工序包括提取多个所述强度测量值的尺度参数的尺度参数提取工序。
44.根据权利要求43所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述尺度参数提取工序是提取多个所述强度测量值的半值宽度的工序。
45.根据权利要求40至44中任一项所述的半导体衬底的评价方法，其中，
46.根据权利要求45所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述分析工序基于位置参数和尺度参数的组合来分析所述半导体衬底。
47.根据权利要求46所述的半导体衬底的评价方法，其中，包括：分类工序，基于所述位置参数和尺度参数的组合对多个半导体衬底进行分类。
48.根据权利要求47所述的半导体衬底的评价方法，其中，
49.根据权利要求40至44中任一项所述的半导体衬底的评价方法，其中，
50.根据权利要求49所述的半导体衬底的评价方法，其中，所述第一激光是s偏振光，所述第二激光是p偏振光。
51.根据权利要求49或50所述的半导体衬底的评价方法，其中，
52.一种半导体衬底的制造方法，其中，包括：