技术特征：1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，
7.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括金属氧化物、第一导电体至第三导电体、第一绝缘体至第四绝缘体、位于所述第一导电体与所述第二绝缘体间的第五绝缘体以及位于所述第二导电体与所述第二绝缘体间的第六绝缘体，
技术总结提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：金属氧化物；金属氧化物上的第一导电体及第二导电体；在金属氧化物上且位于第一导电体与第二导电体间的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；第三绝缘体上的第三导电体；位于第一导电体与第一绝缘体间的第四绝缘体；以及位于第二导电体与第一绝缘体间的第五绝缘体。第一绝缘体接触于金属氧化物的顶面及侧面且与第二绝缘体相比不容易透过氧。第一导电体、第二导电体、第四绝缘体及第五绝缘体包含相同金属元素。在沟道长度方向的截面中，从第一导电体到第一绝缘体的距离为第一绝缘体的膜厚度以上且从第三导电体到金属氧化物的距离以下。
技术研发人员：方堂凉太,斋藤晓,国武宽司,山崎舜平,和久田真弘,滨田俊树
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：技术公布日：2024/7/11