1.一种具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，当该第一导电型态为n型半导体型，且该第二导电型态为p型半导体型时，该第一节点电性耦接至一输入输出接点，且该第二节点电性耦接至一接地端。
3.如权利要求2所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，当一扫描电压经由该输入输出接点输入时，一双极性接面晶体管被形成，且该双极性接面晶体管具有一浮接基极，该双极性接面晶体管由该重掺杂基底、该轻掺杂磊晶层、该第二井型区与该第二重掺杂区所组成。
4.如权利要求3所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，该双极性接面晶体管的该浮接基极由该轻掺杂磊晶层与该第二井型区所组成。
5.如权利要求2所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，当一扫描电压经由该接地端输入时，一硅控整流器被形成，且该硅控整流器具有一浮接基极，该硅控整流器由该第一重掺杂区、该第三重掺杂区、该第一井型区、该第三井型区、该轻掺杂磊晶层及该重掺杂基底所组成。
6.如权利要求5所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，该硅控整流器的该浮接基极由该第一井型区、该第三井型区及该轻掺杂磊晶层所组成。
7.如权利要求1所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，还包括一全面性离子植入层，其中，该全面性离子植入层设置于该重掺杂基底与该轻掺杂磊晶层之间。
8.如权利要求7所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，该全面性离子植入层具有该第一导电型态或该第二导电型态。
9.如权利要求7所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，每一该沟槽的深度不少于该全面性离子植入层。
10.如权利要求1所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，还包括一第一轻掺杂植入层，该第一轻掺杂植入层具有该第一导电型态，并且，具有该第一导电型态的该第一轻掺杂植入层形成于该第二井型区中，并环绕设置于该第二重掺杂区的外围。
11.如权利要求10所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，还包括一第二轻掺杂植入层，该第二轻掺杂植入层具有该第二导电型态，并且，具有该第二导电型态的该第二轻掺杂植入层埋设于该第二井型区中，并位于该第一轻掺杂植入层的下方。
12.如权利要求1所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，还包括两个第一轻掺杂植入层，该两个第一轻掺杂植入层具有该第一导电型态，并且，具有该第一导电型态的该两个第一轻掺杂植入层形成于该第二井型区中，其中，每一该第一轻掺杂植入层设置于该第二重掺杂区的转角处。
13.如权利要求12所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，还包括一第二轻掺杂植入层，该第二轻掺杂植入层具有该第二导电型态，并且，具有该第二导电型态的该第二轻掺杂植入层埋设于该第二井型区中，并位于该两个第一轻掺杂植入层之间。
14.如权利要求1所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，还包括一第四重掺杂区、一第五重掺杂区、一第六重掺杂区及一第七重掺杂区，其中，该第四重掺杂区具有该第一导电型态，该第四重掺杂区设置于该第一井型区中，该第五重掺杂区具有该第一导电型态，该第五重掺杂区设置于该第三井型区中，该第六重掺杂区具有该第二导电型态，该第六重掺杂区设置于该第二井型区中，该第七重掺杂区具有该第二导电型态，该第七重掺杂区设置于该第二井型区中，并且，该第四重掺杂区电性耦接该第六重掺杂区，该第五重掺杂区电性耦接该第七重掺杂区。
15.如权利要求1所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，还包括一第四重掺杂区、一第五重掺杂区、一第六重掺杂区及一第七重掺杂区，其中，该第四重掺杂区具有该第一导电型态，该第四重掺杂区设置于该第一井型区中，该第五重掺杂区具有该第一导电型态，该第五重掺杂区设置于该第三井型区中，该第六重掺杂区具有该第二导电型态，该第六重掺杂区设置于该轻掺杂磊晶层中，该第七重掺杂区具有该第二导电型态，该第七重掺杂区设置于该轻掺杂磊晶层中，并且，该第四重掺杂区电性耦接该第六重掺杂区，该第五重掺杂区电性耦接该第七重掺杂区。
16.如权利要求1所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，还包括一第四重掺杂区、一第五重掺杂区、一第六轻掺杂植入层及一第七轻掺杂植入层，其中，该第四重掺杂区具有该第一导电型态，该第四重掺杂区设置于该第一重掺杂区与该第二重掺杂区之间，该第六轻掺杂植入层具有该第二导电型态，该第六轻掺杂植入层设置于该轻掺杂磊晶层中，并且，该第六轻掺杂植入层与该第一井型区环绕设置于该第四重掺杂区的外围，该第五重掺杂区具有该第一导电型态，该第五重掺杂区设置于该第三重掺杂区与该第二重掺杂区之间，该第七轻掺杂植入层具有该第二导电型态，该第七轻掺杂植入层设置于该轻掺杂磊晶层中，并且，该第七轻掺杂植入层与该第三井型区环绕设置于该第五重掺杂区的外围。
17.如权利要求5所述的具有可调整触发及保持电压的瞬时电压抑制器，其特征在于，当该扫描电压经由该接地端输入，使具有该浮接基极的该硅控整流器被形成时，该硅控整流器的电性特征表现为一正向偏压二极管，且不产生有骤回效应。