1.一种功率设备，其特征在于，所述功率设备包括：电路板、功率模组和散热器，所述功率模组设置于电路板上，所述散热器设置于所述功率模组背离所述电路板的一面；
2.根据权利要求1所述的功率设备，其特征在于，所述功率模组还包括热沉片，所述热沉片位于所述覆金属层基板与所述芯片之间，所述热沉片的厚度大于所述覆金属层基板中金属层的厚度，所述热沉片在所述功率模组厚度方向上的投影覆盖所述芯片在所述功率模组厚度方向上的投影。
3.根据权利要求1或2所述的功率设备，其特征在于，所述功率模组还包括第一凹槽与引脚，所述第一凹槽设置于所述塑封体靠近所述散热器的一面，且位于所述塑封体与所述散热器之间，以形成面向所述散热器的凹陷空间，使得所述引脚与所述散热器之间的爬电距离得到增加；
4.根据权利要求1-3所述的功率设备，其特征在于，所述功率模组还包括第二凹槽，所述第二凹槽设置于所述塑封体背离所述散热器的一面，且位于所述塑封体与所述电路板之间，且沿所述电路板表面延伸，形成面向所述引脚开口的扁平空间。
5.根据权利要求1-4任一所述的功率设备，其特征在于，所述功率模组中的芯片为多个，所述凹陷部包括至少一个子区域，每个所述凹陷部的子区域对应至少一个芯片。
6.根据权利要求1-5任一所述的功率设备，其特征在于，所述塑封体包括第一凹槽，包括：所述第一凹槽的侧壁设置有至少一个阶梯齿。
7.根据权利要求1-6任一所述的功率设备，其特征在于，所述塑封体包括第一凹槽，包括：所述第一凹槽中包括至少一个子凹槽。
8.根据权利要求1-7任一所述的功率设备，其特征在于，所述凹陷部的侧壁与所述功率模组厚度方向的夹角不为零，所述凹陷部的底部宽度小于所述凹陷部顶部宽度；
9.一种功率模组，其特征在于，所述功率模组包括覆金属层基板、芯片和塑封体，所述覆金属层基板与所述芯片叠层设置，且塑封在所述塑封体内；
10.根据权利要求1-4任一所述的功率模组，其特征在于，所述功率模组包括热沉片，所述热沉片设置于所述覆金属层基板与所述芯片之间，所述热沉片的厚度大于所述覆金属层基板中金属层的厚度，所述热沉片在所述功率模组厚度方向上的投影覆盖所述芯片在所述功率模组厚度方向上的投影。
11.根据权利要求1所述的功率模组，其特征在于，所述功率模组还包括第一凹槽与引脚，所述第一凹槽设置于所述塑封体靠近所述覆金属层基板的一面，以在所述塑封体靠近所述覆金属层基板的一面形成凹陷区域，使得所述第一凹槽所述引脚与散热器之间的爬电距离得到增加；
12.根据权利要求1或2所述的功率模组，其特征在于，所述功率模组还包括第二凹槽，所述第二凹槽设置于所述塑封体背离所述覆金属层基板的一面，且沿所述塑封体背离所述覆金属层基板的一面延伸，以形成面向所述引脚开口的扁平空间。
13.根据权利要求1-3任一所述的功率模组，其特征在于，所述功率模组中的芯片为多个，所述凹陷部包括至少一个子区域，每个所述凹陷部的子区域对应至少一个芯片。
14.根据权利要求1-5任一所述的功率模组，其特征在于，所述塑封体包括第一凹槽，包括：所述第一凹槽的侧壁设置有至少一个阶梯齿。
15.根据权利要求1-6任一所述的功率模组，其特征在于，所述塑封体包括第一凹槽，包括：所述第一凹槽中包括至少一个子凹槽。