1.一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构，其特征在于，所述导热硅通孔形状为圆柱形，填充材料为单壁碳纳米管束。
3.根据权利要求1所述的一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构，其特征在于，所述热沉为铜基热沉。
4.根据权利要求1所述的一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构，其特征在于，所述微冷流通道包括冷却液入口、冷却液出口以及碳化硅微冷流通道壁。
5.根据权利要求1所述的一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构，其特征在于，所述微冷流通道中的冷却液采用液态金属复合材料，包括镓铟锡合金。
6.一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1所述的一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构的制备方法，其特征在于，所述对硅衬底进行清洗，具体包括以下步骤：
8.根据权利要求6所述的一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构的制备方法，其特征在于，所述在硅衬底正表面制备sio2氧化层，具体包括以下步骤：
9.根据权利要求6所述的一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构的制备方法，其特征在于，所述在氧化完成的硅衬底背面制备微冷流通道结构，具体包括以下步骤：
10.根据权利要求6所述的一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构的制备方法，其特征在于，所述进行导热硅通孔的制备，采用激光钻孔工艺，具体包括以下步骤：